露光用マスク、マスクパターン補正方法、及び、半導体装置に関し、パターンの占有密度等に応じて補助パターン配置方法を考慮し、焦点深度を拡大する。例文帳に追加

To enlarge a depth of focus by considering a method for disposing an auxiliary pattern according to the pattern possession density, relating to an exposure mask, a mask pattern correction method and a semiconductor device. - 特許庁

同時に、フォトマスク、マスクブランクス、ガラス基板、ウエハ等の薄板状の製品を、一方のロボットのロボットハンドから他方のロボットのロボットハンドに直接受け渡しできる方法を提供する。例文帳に追加

The apparatus is composed of a pair of robots for directly delivering a thin plate-like product from a robot hand of one robot to that of the other robot in a clean room. - 特許庁

描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR PARTITIONING PATTERN FOR WRITING, METHOD FOR WRITING, METHOD FOR MAKING MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, PROGRAM FOR PARTITIONING PATTERN FOR WRITING AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM RECORDED WITH THE PROGRAM - 特許庁

描画データの作成方法、描画データの作成装置、描画データ、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画データ作成用プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体例文帳に追加

DRAWING DATA, CREATING METHOD AND APPARATUS THEREOF, DRAWING METHOD, MASK AND ITS CREATION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, PROGRAM FOR DRAWING DATA CREATION, AND COMPUTER READABLE RECORD MEDIUM WITH RECORDED PROGRAM - 特許庁

マスクパターンに依存した仕上がり配線寸法のバラツキを、１チップ面積当りのレジスト露出表面積が等しくなるようなダミーパターンを介在させることにより低減して、異なるパターン被覆率やセル占有率を有する半導体装置間の仕上がり配線寸法の精度の向上が図れるマスク、マスクの作成方法および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a mask, a method of preparing the mask and a method of manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the variation of a finish wiring dimension depending on a mask pattern by interposing a dummy pattern for equalizing a resist exposure surface area per area of one chip and improving the accuracy of the finish wiring dimension among semiconductor devices having different pattern coverages and cell occupancies. - 特許庁