不可逆電位の英語

液晶に高い電位を印加し続けた場合に、定期的、あるいは不定期に瞬間的に電位を下げると、不可逆変化（劣化）は生じ難くなる。例文帳に追加

When a high potential is continued to be applied to the liquid crystal, but the potential is periodically or irregularly lowered momentarily, the irreversible change (deterioration) is reduced to be caused. - 特許庁

本発明は、不可逆反応を抑制し、不可逆容量を低減させた、高電位で用いる場合でも高容量化できる電極活物質を得ることを主目的とするものである。例文帳に追加

To obtain an electrode active material in which irreversible reaction is suppressed, irreversible capacity is reduced, and realization of high capacity is possible even when used at high potential. - 特許庁

正極の作動電位範囲における不可逆容量と複数ある放電領域の最も高い電位の放電領域を除いた低電位側の放電領域の可逆容量との和が負極の不可逆容量よりも小さいことを特徴とするリチウム二次電池。例文帳に追加

The lithium secondary battery comprises a positive electrode and a negative electrode, wherein the sum of the irreversible capacity of the positive electrode in an operating potential range and the irreversible capacity in a discharge region on a low potential side excluding a highest-potential discharge region of the plurality of discharge regions is smaller than the irreversible capacity of the negative electrode. - 特許庁

これは、電位を変えた瞬間だけ液晶分子の電気的なモーメント方向や強度が変化し、不可逆な変化を起こす原因となる偏った電荷の移動が起こり難くなるためである。例文帳に追加

This is because the direction of electric moment and strength of the liquid crystal molecules are changed only at the moment of the potential change, and one-sided movement of electric charges causing the irreversible change is reduced to occur. - 特許庁

ＳｉＯ_ｘ（０．２＜ｘ＜１．４）を集電体上に形成した電極上に、リチウムと、それよりも酸化還元電位が貴であって、且つケイ酸塩を生成する金属を蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング法あるいは電気化学的に不可逆容量相当量を反応させる。例文帳に追加

On an electrode with SiO_x (0.2<x<1.4) formed on a collector, lithium is reacted with an irreversible capacity equivalent quantity of metal having a redox potential more electropositive than that of lithium and producing silicate by a deposition, spattering or ion plating method or electrochemically. - 特許庁

前記プログラム素子は、その電流経路に所定の電位差が形成されることによって当該電流経路の状態が高抵抗状態から低抵抗状態に又は低抵抗状態から高抵抗状態に不可逆的に変化される構造を持つ。例文帳に追加

The program element has a structure in which the state of a current route changes irreversibly from a high-resistance state to a low-resistance state or from a low-resistance state to a high-resistance state, due to a prescribed potential difference in the current route. - 特許庁