二酸化シリコン薄膜の英語

集積回路の保護被膜は、ＰＥＣＶＤ処理により堆積された以下の順序の材料を含む：二酸化シリコンの薄膜、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は炭化シリコンの層、及び酸化シリコンの大変薄い最上層。例文帳に追加

A protective film of an integrated circuit contains materials deposited by PECVD process in the following order: a thin film of silicon dioxide, a layer of silicon nitride, silicon nitride oxide, or silicon carbide and a very thin topmost layer of silicon oxide. - 特許庁

シリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を集電体上に堆積させた負極を用いたリチウム二次電池において、非水電解質中に溶解している二酸化炭素の量が少なくても、良好な充放電サイクル特性を示すリチウム二次電池を製造する。例文帳に追加

To manufacture a lithium secondary battery showing superior charging and discharging cycle characteristics, even if the quantity of carbon dioxide dissolved in the non-aqueous electrolyte is small, in a lithium secondary battery using a negative electrode, in which silicon amorphous thin film or amorphous thin film made mainly of silicon is piled on a current collector. - 特許庁

屈折率がシリコンと異なる物質層（二酸化シリコン層）２２上の（１１１）面単結晶シリコン層２３の表面に金属薄膜パターン（金パターン）２５を形成し、高温の四塩化珪素ガス雰囲気中で金属薄膜パターン形成部にシリコン単結晶柱２６を成長させることにより柱状体を形成し、柱状体配列構造を有するフォトニック結晶を作製する。例文帳に追加

The photonic crystal having a column array structure is made by forming a metal thin film pattern (gold pattern) 25 on the surface of the (111) face single crystal silicon layer 23 on a substance layer (silicon dioxide layer)22 different from silicon in refractive index and growing silicon single crystal columns 26 on a metal thin film pattern formation part in a high- temperature silicon tetrachloride gas atmosphere to form the columns. - 特許庁

ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3. - 特許庁

二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、ａ）ドーピング金属と、ｂ）ジルコニウム（Ｚｒ）およびハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選択される金属と、ｃ）酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。例文帳に追加

This thin film has high dielectric constant with respect to silicon dioxide and is a high dielectric constant film formed by containing a) doping metal, b) metal selected from among a group consisting of zirconium(Zr) and hafnium(Hf) and c) oxygen. - 特許庁

これによって、下地保護膜３を構成する二酸化シリコンは、吸蔵水の含有量が抑えられ、薄膜トランジスタ１の動作温度において、下地保護膜３から水分が不純物として特に半導体膜１４へ拡散して、動作特性に悪影響を与えることが防止される。例文帳に追加

Accordingly, a silicon dioxide forming an underlayer protection film 3 is suppressed in its amount of the inclusion of absorbed water, and a water content is diffused, particularly, into a semiconductor film 14 under the operating temperature of a thin film transistor 1 as an impurity from the underlayer protection film 3 in order to prevent the application of an adverse effect on the operating characteristics. - 特許庁