二酸化シリコン膜の英語

二酸化シリコン膜生成方法及び光導波路生成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON DIOXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING LIGHT GUIDE - 特許庁

ポリシリコンを堆積せしめてポリシリコン膜を形成するポリシリコン堆積工程と、ポリシリコン膜を熱酸化処理して二酸化シリコン膜にせしめるポリシリコン熱酸化工程とを、必要に応じて複数回繰り返し、所定厚さの二酸化シリコン膜を生成する。例文帳に追加

A step for depositing polysilicon to form a polysilicon film and a step for thermally oxidizing the polysilicon film to convert the film to a silicon dioxide film are optionally repeated plural times to form a silicon dioxide film of a prescribed thickness. - 特許庁

シリコン基板上に、シリコン層を堆積しこれを二酸化シリコン膜に生成する工程を繰り返すことにより、所定厚さの二酸化シリコン膜を生成するとともに、生成される二酸化シリコン膜の表面粗さ、堆積するシリコン膜の成長速度などを、適宜に選択できるようにした二酸化シリコン膜の生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon dioxide film-generating method in which that film having a prescribed thickness can be generated by repeating the processes for depositing a silicon film on a silicon substrate and for converting the film into a silicon oxide film, and further the surface roughness of the generated silicon dioxide film and also the growth rate of the deposited silicon film can be selected properly. - 特許庁

次に、二酸化シリコン膜４を除去した後、多結晶シリコン膜３の表面の凹凸をＣＭＰ法により研磨して平坦化し、再度多結晶シリコン膜３の表面を酸化して、薄い二酸化シリコン膜４ａを形成する。例文帳に追加

After the silicon dioxide film 4 is removed, the uneven surface of the polysilicon film 3 is polished and flattened by a CMP(chemical-mechanical polishing) method, and the surface of the polysilicon film 3 is oxidized again to form a thin silicon dioxide film 4a. - 特許庁

非晶質シリコン層の堆積及び熱酸化処理は繰り返され、複数層の多結晶シリコン／二酸化シリコン積層膜を形成する。例文帳に追加

The deposition and thermal oxidation processing of the amorphous silicon layer is repeated so that multilayer multicrystalline silicon/silicon dioxide laminated layers are formed. - 特許庁

層間膜、例えば二酸化シリコン膜520が、下地マ−ク510aとして働く開口部を有する下地膜、例えばポリシリコン膜510の上に形成される。例文帳に追加

An interlayer film such as a silicon dioxide film 520 is formed on a base film, such as a poly-silicon film 510 having an opening part operating as a base mark 510a. - 特許庁

その結果、低電圧・低温でありながら、二酸化シリコン膜１５の厚さを任意に制御することができ、シリコン基板１表面に高品質の二酸化シリコン膜１５が容易に形成できる。例文帳に追加

Consequently, the thickness of the silicon dioxide film 15 can be controlled arbitrarily while being at a low voltage and a low temperature so that the high-quality silicon dioxide film 15 can be formed easily on the surface of the silicon substrate 1. - 特許庁

これにより、該被処理用シリコン基板１の表面に、通常の高温熱酸化法で形成した二酸化シリコン膜の特性と遜色のない二酸化シリコン膜が容易に形成できる。例文帳に追加

By this setup, a silicon dioxide film which is almost equal in characteristics to other silicon dioxide films formed through a conventional high-temperature thermal oxidation method can be easily formed on the surface of the processed silicon substrate 1. - 特許庁