「二酸化シリコン膜」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

これによって、多結晶シリコンと二酸化シリコン膜の界面位置を特定できる。例文帳に追加

The interface position between the polycrystal silicon film and the silicon dioxide film can be specified thereby. - 特許庁

シロキサン化合物を利用した二酸化シリコン膜の形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON DIOXIDE FILM USING SILOXANE COMPOUND - 特許庁

二酸化シリコン膜生成方法及び光導波路生成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON DIOXIDE FILM AND METHOD FOR FORMING LIGHT GUIDE - 特許庁

ポリシリコンを堆積せしめてポリシリコン膜を形成するポリシリコン堆積工程と、ポリシリコン膜を熱酸化処理して二酸化シリコン膜にせしめるポリシリコン熱酸化工程とを、必要に応じて複数回繰り返し、所定厚さの二酸化シリコン膜を生成する。例文帳に追加

A step for depositing polysilicon to form a polysilicon film and a step for thermally oxidizing the polysilicon film to convert the film to a silicon dioxide film are optionally repeated plural times to form a silicon dioxide film of a prescribed thickness. - 特許庁

シリコン基板上に、シリコン層を堆積しこれを二酸化シリコン膜に生成する工程を繰り返すことにより、所定厚さの二酸化シリコン膜を生成するとともに、生成される二酸化シリコン膜の表面粗さ、堆積するシリコン膜の成長速度などを、適宜に選択できるようにした二酸化シリコン膜の生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon dioxide film-generating method in which that film having a prescribed thickness can be generated by repeating the processes for depositing a silicon film on a silicon substrate and for converting the film into a silicon oxide film, and further the surface roughness of the generated silicon dioxide film and also the growth rate of the deposited silicon film can be selected properly. - 特許庁

次に、二酸化シリコン膜４を除去した後、多結晶シリコン膜３の表面の凹凸をＣＭＰ法により研磨して平坦化し、再度多結晶シリコン膜３の表面を酸化して、薄い二酸化シリコン膜４ａを形成する。例文帳に追加

After the silicon dioxide film 4 is removed, the uneven surface of the polysilicon film 3 is polished and flattened by a CMP(chemical-mechanical polishing) method, and the surface of the polysilicon film 3 is oxidized again to form a thin silicon dioxide film 4a. - 特許庁

非晶質シリコン層の堆積及び熱酸化処理は繰り返され、複数層の多結晶シリコン／二酸化シリコン積層膜を形成する。例文帳に追加

The deposition and thermal oxidation processing of the amorphous silicon layer is repeated so that multilayer multicrystalline silicon/silicon dioxide laminated layers are formed. - 特許庁

層間膜、例えば二酸化シリコン膜520が、下地マ−ク510aとして働く開口部を有する下地膜、例えばポリシリコン膜510の上に形成される。例文帳に追加

An interlayer film such as a silicon dioxide film 520 is formed on a base film, such as a poly-silicon film 510 having an opening part operating as a base mark 510a. - 特許庁

その結果、低電圧・低温でありながら、二酸化シリコン膜１５の厚さを任意に制御することができ、シリコン基板１表面に高品質の二酸化シリコン膜１５が容易に形成できる。例文帳に追加

Consequently, the thickness of the silicon dioxide film 15 can be controlled arbitrarily while being at a low voltage and a low temperature so that the high-quality silicon dioxide film 15 can be formed easily on the surface of the silicon substrate 1. - 特許庁

これにより、該被処理用シリコン基板１の表面に、通常の高温熱酸化法で形成した二酸化シリコン膜の特性と遜色のない二酸化シリコン膜が容易に形成できる。例文帳に追加

By this setup, a silicon dioxide film which is almost equal in characteristics to other silicon dioxide films formed through a conventional high-temperature thermal oxidation method can be easily formed on the surface of the processed silicon substrate 1. - 特許庁

絶縁膜５は、二酸化シリコン膜からなり、半導体基板１上に形成される。例文帳に追加

The insulating film 5 is composed of a silicon dioxide film and is formed on the semiconductor substrate 1. - 特許庁

この堆積したシリコンを熱酸化することにより、所望の膜厚の二酸化ケイ素SiO_2絶縁膜を得る。例文帳に追加

By thermally oxidizing the deposited silicon, a silicon dioxide SiO_2 insulation film of a desired film thickness is obtained. - 特許庁

集積回路の保護被膜は、ＰＥＣＶＤ処理により堆積された以下の順序の材料を含む：二酸化シリコンの薄膜、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、又は炭化シリコンの層、及び酸化シリコンの大変薄い最上層。例文帳に追加

A protective film of an integrated circuit contains materials deposited by PECVD process in the following order: a thin film of silicon dioxide, a layer of silicon nitride, silicon nitride oxide, or silicon carbide and a very thin topmost layer of silicon oxide. - 特許庁

シリコン基板上に、あるいは熱酸化処理によりこのシリコン基板上に形成された二酸化シリコン膜上に、ポリシリコン、エピタキシャルシリコンあるいはアモルファスシリコンのいずれかを堆積しシリコン膜を形成する工程と、この膜を熱酸化処理し二酸化シリコン膜にせしめる工程とを複数回繰り返す。例文帳に追加

This method comprises repeating the following processes several times: a process for forming a silicon film by depositing either one of polysilicon, epitaxial silicon or amorphous silicon on a silicon substrate or on a silicon dioxide film formed on the silicon substrate by a thermal oxidation treatment; and a process for converting the above film into the silicon dioxide film by the thermal oxidation treatment. - 特許庁

シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING ANATASE-TYPE TITANIUM DIOXIDE SINGLE CRYSTAL FILM ON SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE - 特許庁

シロキサン化合物を利用した二酸化シリコン膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a silicon dioxide film using a siloxane compound. - 特許庁

この絶縁膜１５０は、代表的に、物理化学的に安定なガラスや二酸化シリコンからなる。例文帳に追加

The insulating film 150 is typically composed of physicochemically stable glass and silicon dioxide. - 特許庁

コアおよびテーパ部の側壁部には二酸化シリコン膜１３が形成される。例文帳に追加

A silicon dioxide film 13 is formed on the side wall parts of the core and tapered parts. - 特許庁

この絶縁膜１５０は、代表的に、物理化学的に安定なガラスや二酸化シリコンからなる。例文帳に追加

Typically, the insulating film 150 is formed of glass or silicon dioxide which is physically and chemically stable. - 特許庁

二酸化シリコンを主成分とし数％乃至３０％二酸化ゲルマニュウムを含む二酸化シリコン系ガラスの膜を、スパッター法を使用して、基板上に形成するガラス膜の形成方法において、スパッター法に使用するターゲットを二酸化シリコンと二酸化ゲルマニュウムとの組成物とし、その密度を、そ組成を有する充実体の７０％以上とする、ガラス膜の形成方法である。例文帳に追加

In the method for depositing a glass film by which a silicon dioxide glass film essentially consisting of silicon dioxide and containing germanium dioxide of several % to 30% is deposited on a substrate by using a sputtering method, a target used for the sputtering method is composed of silicon dioxide and germanium dioxide, and its density is controlled to 70% or more of the solid body having the same composition. - 特許庁

本装置は、二酸化シリコンで形成する膜と窒酸化シリコンで形成する膜とからなることを特徴とするものである。例文帳に追加

The device is characterized by comprising a film formed with silicon dioxide and a film formed with silicon nitride oxide. - 特許庁

シリコン基材表面の二酸化シリコン膜形成方法、半導体基材表面の酸化膜形成方法、及び半導体装置の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SILICON DIOXIDE FILM ON SURFACE OF SILICON BASE MATERIAL, METHOD FOR FORMING OXIDE FILM ON SURFACE OF SEMICONDUCTOR BASE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

この方法により、シリコン基板上に、厚膜の二酸化シリコン膜により形成される、クラッド層に埋め込まれた光導波路を生成する。例文帳に追加

By this method, a light guide embedded in a clad layer is formed on a silicon substrate with a thick silicon dioxide film. - 特許庁

これにより、開口部５ａを有する二酸化シリコン膜５と開口部内に位置する触媒物質８とを非晶質シリコン膜４上に形成する。例文帳に追加

Consequently, the silicon dioxide film 5 having an opening 5a and the catalytic substance 8 located in the opening are formed on the amorphous silicon film 4. - 特許庁

シリコン基板にリーク電流密度の低い高品質の極薄二酸化シリコン膜を膜厚の制御性よく低温で形成する。例文帳に追加

To provide a method for forming an extremely thin silicon oxide film of low leak current density and high quality on a silicon substrate at a low temperature with highly controllablity of film thickness. - 特許庁

非晶質シリコン膜４上の二酸化シリコン膜５の所定の領域にシリコンの結晶化を助長する触媒物質８を形成し、還元性ガスのプラズマに曝すことにより、触媒物質８が形成された領域の下方に位置する二酸化シリコン膜を選択的に除去する。例文帳に追加

A catalytic substance 8 for accelerating crystallization of silicon is formed in a predetermined region of a silicon dioxide film 5 on an amorphous silicon film 4 and exposed to plasma of reducing gas thus selectively removing the silicon dioxide film located beneath the region where the catalytic substance 8 is formed. - 特許庁

配線１２、導電性の突起１０、パッド１１をシリコン基材１００上に、絶縁膜である二酸化シリコン１０１を介して形成する。例文帳に追加

A wiring 12, a conductive protrusion 10, and a pad 11 are formed on a silicon base material 100 with a silicon dioxide 101 which is an insulating film in between. - 特許庁

電界効果トランジスタ１０では、パッシベーション膜２０を構成する二酸化シリコンの膜質が、ゲート酸化膜１４を構成する二酸化シリコンの膜質よりも密度が粗である。例文帳に追加

Relating to the field-effect transistor 10, the density of film quality of silicon dioxide constituting the passivation film 20 is rougher than that of silicon dioxide constituting the gate oxide film 14. - 特許庁

基板を準備し、基板の上表面に二酸化シリコン層を形成し、二酸化シリコン層を窒化酸化シリコン層に変換するためにプラズマ窒化物形成工程に二酸化シリコン層を露出し、および窒化酸化シリコン層にスパイク状急熱アニ−ルを実施することを含むゲート絶縁膜の形成方法により信頼性の高いゲート絶縁膜を提供する。例文帳に追加

The gate insulation film forming method includes a process for preparing a substrate, a process for forming a silicon dioxide layer on the top surface of the substrate, a process for exposing the silicon dioxide layer to a plasma-nitride forming process in order to change the silicon dioxide layer into a silicon nitride oxide layer, and a process for subjecting the silicon nitride oxide layer to spike-like rapid annealing. - 特許庁

二酸化ケイ素膜を研磨する用途、特にシリコン基板又はポリシリコン膜上に設けられた二酸化ケイ素膜を研磨する用途に適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition suitable for use to polish a silicon dioxide film, particularly for use to polish a silicon dioxide film formed on a silicon substrate or a polysilicon film, and to provide a polishing method by means of such a polishing composition. - 特許庁

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。例文帳に追加

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously. - 特許庁

酸化シリコン膜５３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）膜５１と、組成式ＳｉＯ_x（ｘは１．２以上２未満の数）で表される組成を有する低酸化シリコン（ＳｉＯ_x）膜５２とで構成する。例文帳に追加

The silicon oxide film 53 includes a silicon dioxide (SiO_2) film 51 and a silicon suboxide (SiO_x) film 52 with a composition expressed by a composition formula SiO_x (x is a number equal to or larger than 1.2 and smaller than 2). - 特許庁

透明絶縁性基板１上に多結晶シリコン膜３を形成した後、その多結晶シリコン膜３の表面を酸化して、厚い二酸化シリコン膜４を形成する。例文帳に追加

In a manufacturing method, a polysilicon film 3 is formed on a transparent insulating substrate 1, and the surface of the polysilicon film 4 is oxidized to form a thick silicon dioxide film 4. - 特許庁

半導体基板１の上に二酸化シリコン膜２、反射防止膜３およびレジスト膜を順に形成する。例文帳に追加

A silicon dioxide film 2, an antireflection coating 3, and the resist film are formed on a semiconductor substrate 1, in this order. - 特許庁

半導体基板１の上に二酸化シリコン膜２、反射防止膜３および酸発生剤を含む化学増幅型のレジスト膜４を形成する。例文帳に追加

In the formation method of resist pattern, the chemically amplified resist film 4 comprising a silicon dioxide film 2, an antireflection film 3 and the acid generator is formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

基材１１と光学多層膜１３の間には、基材１１側から順にシリコン層１４、一酸化シリコン層１５、二酸化シリコン層１６が積層される。例文帳に追加

Between the base material 11 and the optical multilayer film 13, a silicon layer 14, a silicon monoxide layer 15 and a silicon dioxide layer 16 are laminated from the side of the base material 11. - 特許庁

基板１０２上に、物理的気相成長法によって非晶質シリコン膜１０４を成膜し、窓１０８を持つ二酸化シリコン層１０６を非晶質シリコン膜１０４上に堆積した後、非晶質シリコン膜１０４に金属触媒を導入する。例文帳に追加

An amorphous silicon film 104 is formed on a substrate 102 by physical vapor deposition and after a silicon dioxide layer 106 having a window 108 is deposited on the amorphous silicon film 104, a metallic catalyst is introduced into the amorphous silicon film 104. - 特許庁

多層膜干渉フィルタ３０６は光学膜厚を同じくする二酸化チタン層と二酸化シリコン層を交互に積層したλ／４多層膜にてスペーサ層３０６ａ、３０６ｂを挟んだ構造を備えている。例文帳に追加

The multilayer film interference filter 306 has a structure, sandwiching spacer layers 306a, 306b by a λ/4-multilayer film, in which a titanium dioxide layer and a silicon dioxide layer having the same optical film thickness are laminated alternately. - 特許庁

ホウ素の含有量の少ないあるいはホウ素を含まない二酸化シリコン膜５１は、ホウ素を多く含む二酸化シリコン膜と比較してヤング率が大きいので、ともに振動板５３を形成する絶縁体膜の厚みを薄くしても振動板全体としてのヤング率の変化を抑えることができる。例文帳に追加

The silicon dioxide film 51, with or without a low boron content or without boron, has a high Young's modulus, as compared with a silicon dioxide film containing much boron; and thus, even if the thickness of two or more insulator films forming a diaphragms 53 is made thin, change in the Young's modulus as an overall diaphragm can be controlled. - 特許庁

次に、金属配線層１８を積層し、さらにその上に二酸化シリコンなどからなる金属配線層保護膜２４を積層する。例文帳に追加

Then a metallic wiring layer 18 and a metallic wiring layer protective film 24 composed of silicon dioxide, etc., are successively stacked upon the wiring layer 18. - 特許庁

シリコン基板１上に絶縁膜（二酸化シリコン膜５、窒化シリコン膜６）を形成し、絶縁膜内に配線溝７を形成し、配線溝７が形成された絶縁膜上にホトレジスト膜８を形成し、配線溝７の内部にのみ、ホトレジスト膜８を残す。例文帳に追加

After an insulating film (composed of a silicon dioxide film 5 and a silicon nitride film 6) are formed on a silicon substrate 1, wiring groves 7 are formed into the insulating film and a photoresist film 8 is formed on the insulating film having the formed wiring grooves 7 and removed so that the film 8 may be left only in the wiring grooves 7. - 特許庁

処理槽２内に設置した、シリコン基板１と対向電極５との間で電圧を印加した状態で、シリコン基板１に硝酸等の酸化性溶液３を作用させて、前記シリコン１の表面に二酸化シリコン膜１５を形成する。例文帳に追加

While applying a voltage between the silicon substrate 1 and a counter electrode 5 in the processing bath 2, the oxidizing solution 3, such as nitric acid, is made to react with the silicon substrate 1 so that a silicon dioxide film 15 is formed on the surface of the silicon substrate 1. - 特許庁

半導体表面、とりわけシリコンの表面に高品質の化学酸化膜（二酸化シリコン膜）を、低温の液体処理で形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a high quality chemical oxide film (silicon dioxide film) on a semiconductor surface, especially on a surface of silicon, by low-temperature liquid treatment. - 特許庁

図には、分析前に試料表面を銅線で擦っておいたため、銅の分布に多結晶シリコン膜と二酸化シリコン膜界面への偏析に起因するピークが現れる。例文帳に追加

The surface of the sample is rubbed with a copper wire before the analysis so that, in a figure, a peak is shown in the distribution of copper caused by segregation to the interface between a polycrystal silicon film and a silicon dioxide film. - 特許庁

黒基準領域は、光学イメージセンサ２の母体となるシリコン基板と熱伝導性膜で接続してもよく、フォトセンサ領域を覆う二酸化シリコン上に光学遮光膜を設けることにより形成される。例文帳に追加

The black reference area may be connected to a silicon substrate to be a matrix of the image sensor 2 by a thermal conductive film and is formed by providing an optical light shielding film on silicon dioxide covering a photosensor area. - 特許庁