「二酸化シリコン膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3. - 特許庁

シリコン基板上に光ファイバ搭載用のＶ溝を設け、二酸化珪素被膜を形成したもののＶ溝の幅を計測する方法において、レーザ反射方式のオートフォーカスにより、二酸化珪素被膜表面のＶ溝のエッジをフォーカス位置として検出し、Ｖ溝の幅を計測する方法。例文帳に追加

In the method for measuring width in the V groove that is provided on the silicon substrate, is used for mounting the optical fibers, and forms the silicon dioxide film, the edge of the V groove on the surface of the silicon dioxide film is detected as a focus position, and the width in the V groove is measured. - 特許庁

屈折率がシリコンと異なる物質層（二酸化シリコン層）２２上の（１１１）面単結晶シリコン層２３の表面に金属薄膜パターン（金パターン）２５を形成し、高温の四塩化珪素ガス雰囲気中で金属薄膜パターン形成部にシリコン単結晶柱２６を成長させることにより柱状体を形成し、柱状体配列構造を有するフォトニック結晶を作製する。例文帳に追加

The photonic crystal having a column array structure is made by forming a metal thin film pattern (gold pattern) 25 on the surface of the (111) face single crystal silicon layer 23 on a substance layer (silicon dioxide layer)22 different from silicon in refractive index and growing silicon single crystal columns 26 on a metal thin film pattern formation part in a high- temperature silicon tetrachloride gas atmosphere to form the columns. - 特許庁

ゲート絶縁膜１５０は、二酸化シリコンよりも大きい誘電率を有する高誘電体膜１０３と、高誘電体膜１０３の上に形成され、炭素を含む炭素含有膜１０４とを有している。例文帳に追加

The gate insulating film 150 has a high dielectric film 103 having a dielectric constant larger than that of silicon dioxide, and a carbon-containing film 104 formed on the high dielectric film 103 and including carbon. - 特許庁

ＴＦＴ１２のゲート絶縁膜５２を、窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる第１絶縁膜５２Ａと、４２０ｎｍ以下の光を吸収する材料よりなる第１光吸収層５２Ｂと、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2 ）よりなる第２絶縁膜５３Ｂとの積層構造とする。例文帳に追加

A gate insulation film 52 of a TFT 12 includes a laminate structure of a first insulation film 52A made of silicon nitride (SiN), a first light-absorbing layer 52B made of a material for absorbing light of ≤420 nm wavelength, and a second insulation layer 53B made of silicon dioxide (SiO_2). - 特許庁

ガラス板または樹脂板上の二酸化珪素膜を、減圧された雰囲気が調整できる成膜室内で、シリコンの蒸着材料にアーク放電プラズマを照射し、これによりシリコンを蒸発させ酸素と反応させながら成膜する。例文帳に追加

In a film deposition chamber capable of controlling pressure- reduced atmosphere, a silicon dioxide film is deposited on a glass sheet or a resin sheet while irradiating an evaporation material of silicon with arc discharge plasma to evaporate silicon and allowing the resultant silicon vapor to react with oxygen. - 特許庁

二酸化シリコン換算膜厚が５ｎｍ未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。例文帳に追加

To repair a defect of a gate insulating film without oxidizing a metal gate electrode in a MISFET where the metal gate electrode is formed on the much thinned gate insulating film with a thickness of a silicon dioxide reduced thickness of less than 5 nm. - 特許庁

二酸化シリコン換算膜厚が５nm未満の極薄ゲート絶縁膜上にメタルゲート電極を形成したＭＩＳＦＥＴにおいて、メタルゲート電極を酸化させることなくゲート絶縁膜の欠陥を修復する。例文帳に追加

To restore defects of the gate insulating film which has an extremely small thickness of <5 nm (equivalent to silicon dioxide) of an MISFET, in which a metal gate electrode is formed on the gate insulating film without oxidizing the metal gate electrode. - 特許庁

シリコン非結晶薄膜またはシリコンを主成分とする非結晶薄膜を集電体上に堆積させた負極を用いたリチウム二次電池において、非水電解質中に溶解している二酸化炭素の量が少なくても、良好な充放電サイクル特性を示すリチウム二次電池を製造する。例文帳に追加

To manufacture a lithium secondary battery showing superior charging and discharging cycle characteristics, even if the quantity of carbon dioxide dissolved in the non-aqueous electrolyte is small, in a lithium secondary battery using a negative electrode, in which silicon amorphous thin film or amorphous thin film made mainly of silicon is piled on a current collector. - 特許庁

二酸化チタン膜と例えば酸化シリコン膜とを交互に積層した積層構造に真空中にて所定の熱処理を施すことにより、経時的に光学特性を安定化させることが可能な光フィルタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing optical filter, capable of stabilizing optical characteristics with time by subjecting a laminate structure made by alternately laminating a titanium dioxide film and, for example, a silicon oxide film to prescribed heat treatment in vacuum. - 特許庁

誘電率を低くするようにした二酸化シリコン膜とバリアメタル膜との密着性を向上させて、ワイヤ接合強度を増加させた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, wherein the adhesion between a silicon dioxide film and a barrier metal film is made so as to lower the dielectric constant for increasing wire bond strength. - 特許庁

透明性及び耐熱性に優れた樹脂あるいは樹脂を含む基体（１）の表面（１ａ）の６箇所に、二酸化シリコン膜（２ａ）〜（２ｃ）を介して帯状抵抗体としてのＩＴＯ膜（３ａ）〜（３ｃ）を形成する。例文帳に追加

ITO films (3a)-(3c) as a belt-like resistor are formed through silicon dioxide films (2a)-(2c) at six places on the surface (1a) of a substrate (1) of a resin or containing the resin excellent in transparency and thermal resistance. - 特許庁

第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。例文帳に追加

During the deposition of the first AHM layer, doping is performed with at least one dopant selected from a group consisting of silicon, silane, boron, nitrogen, germanium, carbon, ammonia, and carbon dioxide. - 特許庁

ＡＬＤ法により二酸化シリコン膜を形成するにあたってハロゲン元素または−ＮＣＯ基に置換されたシロキサン化合物をＳｉソースとして使用する。例文帳に追加

When a silicon dioxide film is formed using the ALD method, a siloxane compound substituted with a halogen element or -NCO radical is used as a Si source. - 特許庁

ＳＴＩ用の二酸化シリコンの高品質誘電体膜の形成：ＨＡＲＰＩＩ−遠隔プラズマ増強型堆積プロセス−のための異なるシロキサンベースの前駆物質の使用例文帳に追加

FORMATION OF HIGH QUALITY DIELECTRIC FILM OF SILICON DIOXIDE FOR STI AND USE OF PRECURSOR OF DIFFERENT SILOXANE BASE FOR HARPII (REMOTE PLASMA ENHANCEMENT TYPE DEPOSITION PROCESS) - 特許庁

本発明による二酸化シリコン膜の形成方法では、置換されたシロキサン化合物からなる第１反応物を基板上に供給し、前記第１反応物の化学吸着を形成する。例文帳に追加

In the method for forming the silicon dioxide film, a first reactant comprising the substituted siloxane compound is supplied onto a substrate to form a chemical adsorption layer of the first reactant. - 特許庁

半導体を高濃度の硝酸の蒸気および／または溶液に接触させる処理で、短時間に、前記半導体表面に高品質の二酸化シリコン膜の生成を実現する。例文帳に追加

To form a silicon dioxide film of high quality on a surface of a semiconductor in a short time through processing wherein the semiconductor is brought into contact with vapor and/or a solution of nitric acid of high concentration. - 特許庁

半導体基板の素子分離領域に、半導体基板の裏面側から１００ｎｍ〜３００ｎｍの線幅の第１の溝部６１が形成され、第１の溝部６１には酸化ハフニウム膜６２を介して二酸化シリコン６３が埋め込まれている。例文帳に追加

A silicon dioxide 63 is embedded in the first grooves 61 via a hafnium oxide film 62. - 特許庁

本発明は、（ａ）アルミニウム含有粉末と、（ｂ）非晶質二酸化シリコンと、（ｃ）１種または複数の任意選択のガラスフリット組成物とが、（ｄ）有機媒体に分散されているものからなる厚膜導体組成物を対象とする。例文帳に追加

The thick film conductive composition comprises (a) an aluminum-containing powder, (b) an amorphous silicon dioxide, and (c) one or a plurality of optionally selected glass frit compositions, dispersed in (d) an organic solvent. - 特許庁

特に、チャンネル５がフラーレンからなり、ゲート絶縁膜３がアルミナや二酸化シリコンなどの無機物から構成されているので、電気的に書き込み、消去、読み出しができる不揮発性記憶素子１となる。例文帳に追加

In particular, the channel 5 is constituted of fullerene and the gate insulating film 3 is constituted of an inorganic substance such as alumina or silicon dioxide, thereby obtaining the nonvolatile memory cell 1 in which writing, deleting and reading can electrically be performed. - 特許庁

これにより、絞り６０で反射した入射角の小さい不要光線を二酸化シリコン膜４で吸収することができ、撮像画像に絞り６０のゴースト像が発生する不都合を防止することができる。例文帳に追加

Thereby needless rays reflected by a diaphragm 60 having a small angle of incidence can be absorbed by the silicon dioxide film 4, and the inconvenience of generating the ghost image of the diaphragm 60 in the pickup image can be prevented. - 特許庁

シリコン基板上に光ファイバ搭載用のＶ溝を設け、二酸化珪素被膜を形成したもののＶ溝の幅を、非破壊法により計測する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for measuring width in a V groove that is provided on a silicon substrate, is used for mounting optical fibers, and forms a silicon dioxide film by a nondestructive method. - 特許庁

一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。例文帳に追加

The composition of a silicon oxynitride film can be easily controlled by changing power to be applied to a target or changing a flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas as reactive gas in sputtering using a target material 13c composed of silicon monoxide and target materials 13a, 13b composed of silicon dioxide. - 特許庁

ガラスからなる絶縁性基板１０の上に、下からモリブデンの膜からなる第１モリブデン層７２、アルミニウムネオジウム合金の膜からなるアルミニウム導電層７６、モリブデンの膜からなる第２モリブデン層７４、二酸化シリコンの膜からなる絶縁膜層が積層される。例文帳に追加

A first molybdenum layer 72 comprising a molybdenum film, an aluminum conductive layer 76 comprising an aluminum-neodymium alloy film, a second molybdenum layer 74 comprising a molybdenum film, and an insulating film layer comprising silicon dioxide are layered in this order from a lower side on an insulating substrate 10 comprising glass. - 特許庁

二酸化シリコンに対して、高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜が、ａ）ドーピング金属と、ｂ）ジルコニウム（Ｚｒ）およびハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選択される金属と、ｃ）酸素とを含むことにより、高誘電体膜が形成される、薄膜。例文帳に追加

This thin film has high dielectric constant with respect to silicon dioxide and is a high dielectric constant film formed by containing a) doping metal, b) metal selected from among a group consisting of zirconium(Zr) and hafnium(Hf) and c) oxygen. - 特許庁

弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、ジルコニウム層を熱酸化して酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成し、その後、ジルコニウム層を熱酸化する際の最高温度以下の温度で、絶縁体膜５５をアニール処理する。例文帳に追加

An insulator film 55 consisting of zirconium oxide is formed on an elastic layer 50 (silicon dioxide film 51) by carrying out thermal oxidation of a zirconium layer, and then annealing of the insulator film 55 is carried out at a temperature below the highest temperature when thermal oxidation of the zirconium layer is carrier out. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０を構成する最下層のボトム絶縁膜１１は、当該ボトム絶縁膜１１と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、ＦＮ電気伝導特性を示す誘電膜を含む。例文帳に追加

A bottom insulating film 11 in the lowest layer constituting the gate insulating film 10 contains a dielectric film, which makes an energy barrier between the bottom insulating film 11 and the substrate smaller than an energy barrier between silicon dioxide and silicon and exhibits an FN electric conduction characteristic. - 特許庁

窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ_2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。例文帳に追加

The surface acoustic wave device 1 having the satisfactory temperature characteristics and a high sound speed can be achieved by setting, in an appropriate area, relationship between the normalized film thickness KH-AIN of the aluminum nitride film 30 and the normalized film thickness KH-SiO_2 of the silicon dioxide film 40. - 特許庁

これによって、下地保護膜３を構成する二酸化シリコンは、吸蔵水の含有量が抑えられ、薄膜トランジスタ１の動作温度において、下地保護膜３から水分が不純物として特に半導体膜１４へ拡散して、動作特性に悪影響を与えることが防止される。例文帳に追加

Accordingly, a silicon dioxide forming an underlayer protection film 3 is suppressed in its amount of the inclusion of absorbed water, and a water content is diffused, particularly, into a semiconductor film 14 under the operating temperature of a thin film transistor 1 as an impurity from the underlayer protection film 3 in order to prevent the application of an adverse effect on the operating characteristics. - 特許庁

ホウ素濃度の低下した表面を第１酸化工程（Ｓ３）によって熱酸化し弾性膜５０を形成することにより、ホウ素の含有量の少ないあるいはホウ素を含まない二酸化シリコン膜５１が弾性膜５０として得ることができる。例文帳に追加

The surface on which the boric-acid concentration is degraded is thermally oxidized through a first oxidation process (S3) so as to form an elastic film 50, thus obtaining a silicon dioxide film 51, containing less or no boron as an elastic film 50. - 特許庁

表面シリコン原子の再配列によって形成した複数のステップ１１およびテラス１２を有するミスオリエンテーション基板１０を用いて、その基板１０のテラス１２上にエピタキシャル成長させた極薄の結晶質二酸化シリコン膜１５をゲート絶縁膜としてＭＯＳ電界効果型トランジスタを構成する。例文帳に追加

With the use of a mis-orientated wafer 10 with a plurality of steps 11 and terraces 12 formed by rearranged surface silicon atoms, a MOS field-effect transistor is structured with a very thin crystalline silicon dioxide film 15 which is grown epitaxially on the terrace 12 of the wafer 10 as a gate insulating film. - 特許庁

上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

In this method of manufacturing a semiconductor device, gas containing oxygen atoms and nitrogen atoms is supplied into a processing chamber, the gas containing the oxygen atoms and the nitrogen atoms is activated by plasma, the silicon substrate is processed by the plasma, and a silicon dioxide film containing nitrogen is formed. - 特許庁

スコープ先端部１に第１玉として設けられる平凹レンズ２の第１面２ａに二酸化シリコン膜４を設けると共に、平凹レンズ２の側面部２ｃ及び第２面２ｂ側の平面部２ｄにそれぞれ反射軽減部材５を塗布する。例文帳に追加

A silicon dioxide film 4 is provided on the first surface 2a of a flat concave lens 2 provided to the tip end 1 of the scope as a first ball, and reflection reducing member 5 are coated on the side surface 2c of the flat concave lens 2 and on the flat surface 2d on the side of the second surface 2b, respectively. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the semiconductor device using the silicon carbide single-crystal substrate, a metal contamination removing process for the silicon carbide surface is applied which comprises: a step of oxidizing the silicon carbide surface; and a step of removing a film mainly composed of silicon dioxide, the film being formed on the silicon carbide surface in the step. - 特許庁

窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ_2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス１を実現する。例文帳に追加

The surface acoustic wave device 1 has the excellent temperature characteristics, the sufficient electromechanical coupling coefficient necessary for oscillation, and a high acoustic velocity by setting the proper range of relation between the standardized film thickness KH-AlN of the aluminum nitride film 30 and the standardized film thickness KH-SiO_2 of the silicon dioxide film 40. - 特許庁

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有する。例文帳に追加

The surface acoustic wave device 1 includes, a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, an aluminum nitride film 30 formed on the main surface 11 of the sapphire substrate 10, comb-like electrodes 21, 22 formed on the surface of the aluminum nitride film 30, and a silicon dioxide film 40 for covering the surfaces of the comb-like electrodes 21, 22 and the aluminum nitride film 30. - 特許庁

ニッケル／クロム合金を基礎とするとともに、ニッケル／クロム合金の表面上に材料膜を配置し、材料膜の材質として例えばアルミニウム、窒化チタン、窒化アルミニウム、二酸化シリコン、ニッケル／クロム／チタン合金などを含むものとし、１層または多層の材料膜とニッケル／クロム合金との組み合わせにより、発熱電力が高く、単位密度電力減衰の低い電熱膜を構成する。例文帳に追加

An electric heating film with large heat-generating power and low attenuation in unit density power is structured by combination of a single or multiple layers of material film and nickel/chromium alloy, with the material film arranged on the surface of the nickel/chromium alloy with aluminum, titanium nitride, aluminum nitride, silicon dioxide, nickel/chromium titanium alloy or the like included as materials for material film, with nickel chromium alloy as a basis. - 特許庁

弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面１１とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に接するように形成される櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有する。例文帳に追加

The surface acoustic wave device 1 includes a sapphire substrate 10 having a C-plane as a main surface 11, comb-like electrodes 21, 22 formed in contact with the main surface 11 of the sapphire substrate 10, an aluminum nitride film 30 for covering the comb-like electrodes 21, 22, and a silicon dioxide film 40 formed on the surface of the aluminum nitride film 30. - 特許庁

透明基板１０上に、光触媒活性を有する金属酸化物半導体を主成分とする膜１１と、その上に、成膜時の圧力が０．８Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により形成された二酸化シリコンを主成分とする膜１２とが形成されたことを特徴とする防曇防汚物品とその製造方法。例文帳に追加

In the antifog and antistain article for manufacturing the article a film 11 comprising a metal oxide semiconductor having photocatalytic activity and a film 12 essentially comprising silica formed by reactive sputtering under the condition of ≥0.8 Pa pressure during depositing the film are formed on a transparent substrate 10. - 特許庁

素子分離溝が設けられた前記半導体基板１０上に、ブタノール濃度が３０ｐｐｍ以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜１５を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜１１とする。例文帳に追加

The semiconductor substrate 10 provided with element isolation grooves is coated with a hydrogenation polysilazane solution containing a dibutyl ether with a butanol concentration of 30 ppm or less and a hydrogenation polysilazane dissolved in the dibutyl ether, so as to form a hydrogenation polysilazane film 15, which is oxidized in an atmosphere containing vapor to make a silicon dioxide film 11. - 特許庁

エピタキシャル基板ウェーハの表面に厚さ５０μｍ以上のエピタキシャル膜を成長する際、面取り部がザグリ部の周側壁に接触しても、面取り面に二酸化シリコン製の形状保護膜が存在するので、面取り部とザグリ部の周側壁との間にブリッジが形成されにくい。例文帳に追加

When an epitaxial film is grown on a surface of an epitaxial substrate wafer to a thickness of ≥50 μm, a shape protective film made of silicon dioxide is present on a beveled surface even if the beveled portion is in contact with a peripheral sidewall of the counterbore portion, so that a bridge is hardly formed between the beveled portion and the peripheral sidewall of the counterbore portion. - 特許庁

シリコンウェハ等の半導体層と、二酸化ケイ素等からなる絶縁膜と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも１種の酸化物を含む中間層と、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属からなる感応膜とが、この順に積層されてなるガス感応性積層体とする。例文帳に追加

In the gas-sensitive laminate, a semiconductor layer, such as a silicon wafer or the like, the insulating membrane composed of silicon dioxide or the like, an intermediate layer containing at least one kind of oxide from among titanium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, niobium oxide and molybdenum oxide and the sensitive membrane composed of a metal such as Pd, Pt or the like are laminated in this order. - 特許庁

弁金属粉末を焼結してなる陽極体の誘電体酸化皮膜層の上に二酸化マンガンよりなる半導体層を形成したコンデンサ素子に、グラファイトと高分子材バインダーよりなる樹脂グラファイト層を形成した後に、陽極体の内部にシリコンオイルを充填し、加熱してゲル化する。例文帳に追加

After a resin graphite layer composed of graphite and a polymer binder is formed on a capacitor element having a semiconductor layer of manganese dioxide formed on the dielectric oxide film layer of an anode body produced by sintering valve metal powder, the anode body is internally filled with silicon oil which is eventually gelatinized thermally. - 特許庁

本発明に係る電子デバイス用基体１００は、シリコンからなる基板１１と、基板１１の被成膜面上に順にエピタキシャル成長して積層された、フルオライト構造を有する第一バッファ層１２及び第二バッファ層１３、層状ペロブスカイト構造を有する第一酸化物電極層１４、および単純ペロブスカイト構造を有する第二酸化物電極層１５とから構成されている。例文帳に追加

An electronic device 100 is composed of a substrate 11 formed of silicon, a first buffer layer 12 and a second buffer layer 13 laminated by being epitaxially grown in order on a film forming surface of the substrate 11 and having a fluorite structure, a first oxide electrode layer 14 having a laminar perovskite structure, and a second oxide electrode layer 15 having a simple perovskite structure. - 特許庁

記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon. - 特許庁