ellipsometryとは 意味・読み方・使い方

A region containg a part subjected to fine working is evaluated by spectral ellipsometry, after a thin film process is performed.例文帳に追加

薄膜プロセスの後に微細加工された部分を含む領域を分光エリプソメトリにより評価する。 - 特許庁

The measurement device 1 comprises an ellipsometry measurement system for measuring changes in film thickness, and a UV radiation system for removing organics.例文帳に追加

測定装置１を、膜厚変化の測定を行うエリプソメトリ測定系と、有機物の除去を行うＵＶ光照射系と、から構成する。 - 特許庁

FTIR ELLIPSOMETRY DEVICE AND PROCESS FOR CHARACTERIZATION AND FURTHER IDENTIFICATION OF SAMPLES OF COMPLEX BIOLOGICAL MATERIALS, NOTABLY MICROORGANISMS例文帳に追加

複雑な生物学的材料、特に微生物の試料の特性を明らかにし、さらに特定するＦＴＩＲ偏光解析装置と方法 - 特許庁

The measurements made by the detector elements provide ellipsometry/reflectometry data for the test surface.例文帳に追加

検出器要素が行なう測定によって、検査表面に関する変更解析／反射率データが供給される。 - 特許庁

An areal (XY) determination of working layer thickness is made by ellipsometry, laser interferometry or x-ray diffraction or other known means.例文帳に追加

偏光解析法、レーザ干渉法、又はｘ線回折法又はその他の既知の手段により加工層７０の領域的（ＸＹ）厚さの決定が行われる。 - 特許庁

Before the diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer, the film thickness and index of refraction of a film underneath the structure are first measured using a spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry when required.例文帳に追加

半導体ウェハ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。 - 特許庁

The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.例文帳に追加

二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁

The ellipsometry measurement system comprises a light source 8, polarizing lens 9, 1/4 wavelength plate 10, focus lens 11, polarization detecting device 12, and light receiving element 13.例文帳に追加

該エリプソメトリ測定系は、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、から構成される。 - 特許庁