「ellipsometry」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Spectral ellipsometry measurement is performed on a surface 10a of a compound semiconductor substrate 10.例文帳に追加

化合物半導体基板１０の表面１０ａの分光エリプソメトリ測定を行う。 - 特許庁

A region containg a part subjected to fine working is evaluated by spectral ellipsometry, after a thin film process is performed.例文帳に追加

薄膜プロセスの後に微細加工された部分を含む領域を分光エリプソメトリにより評価する。 - 特許庁

The measurements made by the detector elements provide ellipsometry/reflectometry data for the test surface.例文帳に追加

検出器要素が行なう測定によって、検査表面に関する変更解析／反射率データが供給される。 - 特許庁

FTIR ELLIPSOMETRY DEVICE AND PROCESS FOR CHARACTERIZATION AND FURTHER IDENTIFICATION OF SAMPLES OF COMPLEX BIOLOGICAL MATERIALS, NOTABLY MICROORGANISMS例文帳に追加

複雑な生物学的材料、特に微生物の試料の特性を明らかにし、さらに特定するＦＴＩＲ偏光解析装置と方法 - 特許庁

Thereafter the thickness t1 of the second semiconductor layer 11b in the substrate 10 for the temperature measurement is measured by a spectral ellipsometry device.例文帳に追加

その後、分光エリプソメトリ装置により、温度測定用基板１０における第２の半導体層１１ｂの厚さｔ１を測定する。 - 特許庁

The measurement device 1 comprises an ellipsometry measurement system for measuring changes in film thickness, and a UV radiation system for removing organics.例文帳に追加

測定装置１を、膜厚変化の測定を行うエリプソメトリ測定系と、有機物の除去を行うＵＶ光照射系と、から構成する。 - 特許庁

To provide a thin film measuring device of an ellipsometry system suitable for inline measurement, for example, in a semiconductor manufacturing process or an FPD manufacturing process.例文帳に追加

例えば、半導体製造プロセスやＦＰＤ製造プロセス等におけるインライン計測に好適なエリプソメトリ方式の薄膜計測装置を提供すること。 - 特許庁

An areal (XY) determination of working layer thickness is made by ellipsometry, laser interferometry or x-ray diffraction or other known means.例文帳に追加

偏光解析法、レーザ干渉法、又はｘ線回折法又はその他の既知の手段により加工層７０の領域的（ＸＹ）厚さの決定が行われる。 - 特許庁

Refractive index and extinction coefficient of before-film- formation (a base film 7 with a magnetic film) are determined by fitting optical features ψ, δ measured by a spectrum ellipsometry measuring part 9a before film-formation.例文帳に追加

成膜前に分光エリプソ測定部９ａで測定した光学的特徴ψ、δをフィッティングして成膜前（磁性膜付ベースフィルム）の屈折率、消衰係数を求める。 - 特許庁

To provide an ellipsometry in which the measurement of the thickness and the cross-sectional shape of a film formed on multilayer wiring can be carried out nondestructively with a high throughput.例文帳に追加

多層配線上に形成された膜の膜厚測定及び断面形状測定を、非破壊かつ高スループットで行うことのできる偏光解析方法を提供する。 - 特許庁

The ellipsometry measurement system comprises a light source 8, polarizing lens 9, 1/4 wavelength plate 10, focus lens 11, polarization detecting device 12, and light receiving element 13.例文帳に追加

該エリプソメトリ測定系は、光源８と、偏光レンズ９と、１／４波長板１０と、焦点レンズ１１と、偏光検出装置１２と、受光素子１３と、から構成される。 - 特許庁

The interface position between the silicon dioxide film and a silicon substrate can be specified using the thickness of the silicon dioxide film evaluated by spectroscopic ellipsometry after forming the silicon dioxide film.例文帳に追加

二酸化シリコン膜を成膜した後に分光エリプソメトリーで評価した二酸化シリコンの膜厚を用いて、二酸化シリコン膜とシリコン基板の界面位置を特定できる。 - 特許庁

Then the Si wafer W is transferred to the part 101, the film quality of both films is measured by spectral ellipsometry, and the film formation speed of the SiO_2 film is calculated in the controller 138.例文帳に追加

次いで、このＳｉウェハＷを膜計測部１０１へ移送し、分光エリプソメトリーにより両膜の膜厚を測定し、制御装置１３８においてＳｉＯ_2膜の成膜速度を算出する。 - 特許庁

To provide a polishing end point detecting method for quickly detecting a polishing end point by using ellipsometry without executing complicated analysis of a film thickness and a refraction index, and to provide a polishing device.例文帳に追加

膜厚および屈折率の複雑な解析をすることなく、エリプソメトリーを利用して速やかに研磨終点を検出することができる研磨終点検出方法および研磨装置を提供する。 - 特許庁

Thickness of the SOI layer 3 can be measured by irradiating an object surface with the linearly polarized light beam and using polarizing ellipsometry for measuring elliptically polarized light beam reflected by the object surface.例文帳に追加

なお、ＳＯＩ層３の厚さ測定には、物体表面に直線偏光された光を照射し、物体表面で反射される楕円偏光を観測する分光エリプソメトリを使用すれば良い。 - 特許庁

Optical features ψ, δ of a film (the base film 7 with a magnetic film plus a DLC film) of after-film-formation (after-the film-formation 8-passing) at a position same as a position of before-film-formation by a spectrum ellipsometry measuring part 9b.例文帳に追加

次に分光エリプソ測定部９ｂによって、前記と同じ位置の、成膜後（成膜源８通過後）のフィルム（磁性膜付ベースフィルム７＋ＤＬＣ膜）の光学的特徴ψ、δを測定する。 - 特許庁

The harmonics to the analyzer 26 may be used for deriving an ellipsometry parameter and a system parameter for fixed polarizing elements, circular attenuation compensation, depolarization of the polarizing elements, retardances of phase modulators, and the like.例文帳に追加

解析器２６までの高調波は、固定偏光要素、円形減衰補償、偏光要素の偏光解消および位相変調器のリターダンスなどのエリプソメトリックパラメータおよびシステムパラメータを導出するために用い得る。 - 特許庁

Before the diffraction from a diffracting structure 12c on a semiconductor wafer, the film thickness and index of refraction of a film underneath the structure are first measured using a spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry when required.例文帳に追加

半導体ウェハ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計または分光エリプソメータを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率とをまず測定する。 - 特許庁

A second semiconductor region 24 is etched, and a thickness F of a second mask layer 25a is measured by spectroscopic ellipsometry during its etching time period, and stop of the etching is determined using a measurement value by the measurement and the selection ratio K.例文帳に追加

第２の半導体領域２４をエッチングするとともに、該エッチング期間中に第２のマスク層２５ａの厚さＦを分光エリプソメトリにより測定して、該測定の測定値と選択比Ｋとを用いてエッチングの停止を判断する。 - 特許庁

Then, film thickness of the DLC film film- formed by inputting the refractive index and extinction coefficient of before-film- formation as already-known values to the optical features ψ, δ measured by the spectral ellipsometry measuring part 9b and fitting them.例文帳に追加

次に前記分光エリプソ測定部９ｂで測定した光学的特徴ψ、δに、前記成膜前の屈折率、消衰係数を既知値として入力し、フィッティングを行って、成膜されたＤＬＣ膜の膜厚を計算により求める。 - 特許庁

Before the diffraction from the diffracting structure 12c on a semiconductor wafer 12a is measured, the film thickness and index of refraction of a film 12b underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry 60 or spectroscopic ellipsometry 34 when required.例文帳に追加

半導体ウェハ１２ａ上の回折構造体１２ｃからの回折の前に、必要な場合は、分光反射率計６０または分光エリプソメータ３４を使って構造体の下に位置する膜１２ｂの膜厚と屈折率とをまず測定する。 - 特許庁

To control the production processes of a semiconductor device, which moreover includes a workpiece dimensional measurement processes so as to determine the dimensions in the transverse direction of patterns formed on a wafer using ellipsometry, in noncontact and nondestructive states, as well as at a high speed, based on the determined dimensions.例文帳に追加

エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。 - 特許庁

With respect to a spectrum of an optical constant obtained by the ellipsometry measurement, a damage on the surface 10a of the semiconductor substrate 10 is evaluated by using a spectrum in a wavelength band including a wavelength corresponding to a band gap of the semiconductor substrate.例文帳に追加

分光エリプソメトリ測定によって得られた光学定数のスペクトルにおいて、化合物半導体基板のバンドギャップに対応する波長を含む波長域におけるスペクトルを用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 - 特許庁

To control a manufacturing process of a semiconductor device based on a dimension determined by a processed-object dimension measurement process for measuring side dimensions of a pattern formed on a wafer in a non-contact and non-destructive manner at a high speed by using ellipsometry.例文帳に追加

エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。 - 特許庁

To control the manufacturing process of a semiconductor device on the basis of an obtained dimension, in such a way that by using ellipsometry, a workpiece dimension measuring process is included to find the dimension of the pattern formed on a wafer in transverse direction in in non-contact and non-destruction at high speed.例文帳に追加

エリプソメトリを使い、ウェハ上に形成されたパターンの横方向への寸法を、非接触かつ非破壊に、しかも高速に求める加工物寸法測定工程を含み、求められた寸法にもとづいて半導体装置の製造プロセスを制御する。 - 特許庁

An ellipsometry microscope includes: an oblique illumination system that includes a light source, a polarizer and a phase compensator and emits an illumination light L4 obliquely to a sample surface SP; an imaging system; an analyzer 23; and an imaging element 24 for detecting an image by the imaging system on the detection surface 25.例文帳に追加

エリプソメトリー顕微鏡は、光源と偏光子と位相補償子とを備えると共に試料面ＳＰに対して照明光Ｌ４を斜めに照射する斜め照明系と、結像系と、検光子２３と、結像系による像を検出面２５で検出する撮像素子２４とを備える。 - 特許庁

To provide an ellipsometry device that can observe the microstructure of an object at high contrast and high magnification and ensure work space for measuring means or operation means that is used in contact with or close to the surface of the object at the position on the observation side in the normal line direction to the surface of the object.例文帳に追加

物体の微小構造を高コントラストかつ高倍率で観察できるうえ、物体面に対して法線方向観察側の位置に、物体面に接触又は近接して用いられる計測手段や操作手段などのための作業空間を確保できるエリプソメトリー装置を提供すること。 - 特許庁

To speedily determine structure factor tensors and improve the measurement sensitivity, in the case of using an ellipsometric crystal when the ellipsometry of an X-ray region required for determining the structure factor tensors of substances is performed.例文帳に追加

物質の構造因子テンソルの決定に必要なＸ線領域の偏光解析の方法は既に提案されているが、構造因子テンソルの迅速決定および測定感度向上のために、偏光解析結晶を用いる場合には、種々の問題を解決しなければならない。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon carbide monocrystalline substrate includes: a process (A) of preparing a silicon carbide monocrystalline substrate having a main surface that is mechanically polished; a process (B) of chemically mechanically polishing the main surface of the silicon carbide monocrystalline substrate; and a process (C) of evaluating an alteration layer that is formed by the chemical mechanical polishing by spectral ellipsometry.例文帳に追加

本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、機械研磨が施された主面を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記炭化珪素単結晶基板の前記主面に化学機械研磨を施す工程（Ｂ）と、前記化学機械研磨によって形成される変質層を、分光エリプソメトリによって評価する工程（Ｃ）と、を包含する。 - 特許庁