意味 | 例文 (9件) |
側壁境界層の英語
追加できません
(登録数上限)
英訳・英語 sidewall boundary layer
「側壁境界層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
さらに、p^+型分離層11は、凹部6の底面と側壁との境界20を一辺とするへき開面21を含むように設けられている。例文帳に追加
Furthermore, the p^+-type isolation layer 11 is provided including a cleavage surface 21 having one side at a boundary 20 between the bottom surface and side wall of the recess part 6. - 特許庁
本バケット(700)は、作動流体(750、755)の入口流れ角度の半径方向変化を考慮して、内側側壁(701)及び外側側壁(703)に隣接して流れの境界層を生じるようにした翼形部(770)を含む。例文帳に追加
The bucket (700) includes an airfoil (770) that accounts for a radial variation of the inlet flow angle for working fluid (750, 755) with the boundary layer of a flow adjacent to an inner sidewall (701) and an outer sidewall (703). - 特許庁
多結晶シリコン膜7の下に位置する側壁膜6は、活性領域2aと素子分離膜3との境界50にまたがって設けられ、且つ、側壁膜6の上部は、n型拡散層5の上面より上側に位置している。例文帳に追加
The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5. - 特許庁
画素分離のためのトレンチ203の側壁に設けられた欠陥抑制層205とフォトダイオード208との境界部分に反転層209を設ける。例文帳に追加
The device comprises an inversion layer 209 on boundary parts of a defect-suppressing layer 205, provided on the sidewalls of trenches 203 for isolating pixels and a photodiode 208. - 特許庁
そして、窒化シリコンからなり、駆動領域Cと周辺領域Sとの境界において下地絶縁層3及び配線層4の側面を覆う側壁7を設ける。例文帳に追加
Moreover, the semiconductor device 1 is also provided with a sidewall 7 formed of silicon nitride, covering the side surfaces of the lower insulating layer 3 and the wiring layer 4, at the boundary between the drive region C and the peripheral region S. - 特許庁
容器の底部5及び下側壁11はアルミニウム材で構成され、下側壁と一体の上側壁13はアルミニウム層15とチタン層17とステンレス層19の三層のクラッド材で構成され、上側カバー23はステンレス材で構成されており、互いに境界部が溶接されて一体になっている。例文帳に追加
A bottom part 5 and a lower wall 11 of a vessel consist of an aluminum material, an upper wall 13 integrated with the lower wall consists of a three-layer clad material of an aluminum layer 15, a titanium layer 17 and a stainless steel layer 19, an upper cover 23 consists of a stainless steel material and the boundary parts are mutually welded and integrated together. - 特許庁
この腐食防止層15により、たとえ側壁5と内部電極4との間に隙間が生じ、側壁5と内部電極4との境界部分に電極下地層9が十分に付着しなくとも、内部電極4と側壁5との間の腐食防止層15により、電解メッキ処理工程における内部電極4の腐食を抑制することができる。例文帳に追加
Even when a void is produced between the side wall 5 and the internal electrode 4 and an electrode base layer 9 does not sufficiently adhere to a boundary between the side wall 5 and the internal electrode 4 by the anti-corrosion layer 15, corrosion of the internal electrode 4 in an electrolytic plating step can be prevented from occurring by the anti-corrosion layer 15 between the internal electrode 4 and the side wall 5. - 特許庁
-
履歴機能過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断診断回数が
増える! -
マイ単語帳便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳文章で
単語を理解!
「側壁境界層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
次に、半導体基板10の裏面から開口部10wの側壁と底部との境界に位置する第2の絶縁膜上に、第3のレジスト層18を選択的に形成する。例文帳に追加
Then, a third resist layer 18 is selectively formed on the second insulating film located at the boundary between the side wall of the opening 10w and the bottom thereof from the back of the semiconductor substrate 10. - 特許庁
本発明に係る半導体装置は、半導体層と;前記半導体層中に形成された素子分離膜と;前記素子分離膜によって囲まれたアクティブ領域の半導体層と;前記アクティブ領域の半導体層の深さ方向における側壁部であり、前記素子分離膜との境界部分に形成された空隙部とを備える。例文帳に追加
The semiconductor device includes: a semiconductor layer; an element isolation film formed in the semiconductor layer; a semiconductor layer in an active region surrounded by the element isolation film; and a gap, formed on a sidewall portion of the semiconductor layer in the active region which extends in a depth direction, and at boundary between the element isolation film and the active region. - 特許庁
1
sidewall boundary layer
JST科学技術用語日英対訳辞書
|
意味 | 例文 (9件) |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
「側壁境界層」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |