| 例文 (9件) |
側壁境界層の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
さらに、ｐ^+型分離層１１は、凹部６の底面と側壁との境界２０を一辺とするへき開面２１を含むように設けられている。例文帳に追加
Furthermore, the p^+-type isolation layer 11 is provided including a cleavage surface 21 having one side at a boundary 20 between the bottom surface and side wall of the recess part 6. - 特許庁
本バケット（７００）は、作動流体（７５０、７５５）の入口流れ角度の半径方向変化を考慮して、内側側壁（７０１）及び外側側壁（７０３）に隣接して流れの境界層を生じるようにした翼形部（７７０）を含む。例文帳に追加
The bucket (700) includes an airfoil (770) that accounts for a radial variation of the inlet flow angle for working fluid (750, 755) with the boundary layer of a flow adjacent to an inner sidewall (701) and an outer sidewall (703). - 特許庁
多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。例文帳に追加
The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5. - 特許庁
画素分離のためのトレンチ２０３の側壁に設けられた欠陥抑制層２０５とフォトダイオード２０８との境界部分に反転層２０９を設ける。例文帳に追加
The device comprises an inversion layer 209 on boundary parts of a defect-suppressing layer 205, provided on the sidewalls of trenches 203 for isolating pixels and a photodiode 208. - 特許庁
そして、窒化シリコンからなり、駆動領域Ｃと周辺領域Ｓとの境界において下地絶縁層３及び配線層４の側面を覆う側壁７を設ける。例文帳に追加
Moreover, the semiconductor device 1 is also provided with a sidewall 7 formed of silicon nitride, covering the side surfaces of the lower insulating layer 3 and the wiring layer 4, at the boundary between the drive region C and the peripheral region S. - 特許庁
容器の底部５及び下側壁１１はアルミニウム材で構成され、下側壁と一体の上側壁１３はアルミニウム層１５とチタン層１７とステンレス層１９の三層のクラッド材で構成され、上側カバー２３はステンレス材で構成されており、互いに境界部が溶接されて一体になっている。例文帳に追加
A bottom part 5 and a lower wall 11 of a vessel consist of an aluminum material, an upper wall 13 integrated with the lower wall consists of a three-layer clad material of an aluminum layer 15, a titanium layer 17 and a stainless steel layer 19, an upper cover 23 consists of a stainless steel material and the boundary parts are mutually welded and integrated together. - 特許庁
次に、半導体基板１０の裏面から開口部１０ｗの側壁と底部との境界に位置する第２の絶縁膜上に、第３のレジスト層１８を選択的に形成する。例文帳に追加
Then, a third resist layer 18 is selectively formed on the second insulating film located at the boundary between the side wall of the opening 10w and the bottom thereof from the back of the semiconductor substrate 10. - 特許庁
この腐食防止層１５により、たとえ側壁５と内部電極４との間に隙間が生じ、側壁５と内部電極４との境界部分に電極下地層９が十分に付着しなくとも、内部電極４と側壁５との間の腐食防止層１５により、電解メッキ処理工程における内部電極４の腐食を抑制することができる。例文帳に追加
Even when a void is produced between the side wall 5 and the internal electrode 4 and an electrode base layer 9 does not sufficiently adhere to a boundary between the side wall 5 and the internal electrode 4 by the anti-corrosion layer 15, corrosion of the internal electrode 4 in an electrolytic plating step can be prevented from occurring by the anti-corrosion layer 15 between the internal electrode 4 and the side wall 5. - 特許庁
本発明に係る半導体装置は、半導体層と；前記半導体層中に形成された素子分離膜と；前記素子分離膜によって囲まれたアクティブ領域の半導体層と；前記アクティブ領域の半導体層の深さ方向における側壁部であり、前記素子分離膜との境界部分に形成された空隙部とを備える。例文帳に追加
The semiconductor device includes: a semiconductor layer; an element isolation film formed in the semiconductor layer; a semiconductor layer in an active region surrounded by the element isolation film; and a gap, formed on a sidewall portion of the semiconductor layer in the active region which extends in a depth direction, and at boundary between the element isolation film and the active region. - 特許庁
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