側底膜の英語

バリアメタル膜１１８は、Ｃｕ膜１２０の側面および底面を覆うように設けられている。例文帳に追加

The barrier metal 118 is provided to cover the side surface and the base of the Cu film 120. - 特許庁

配線膜６の底部及び側面部にはバリアメタル膜５が設けられる。例文帳に追加

A barrier metal film 5 is provided at a bottom portion and a side surface portion of the wiring film 6. - 特許庁

配線膜１０の底部及び側面部にはバリアメタル膜９が設けられる。例文帳に追加

A barrier metal film 9 is provided at a bottom portion and a side surface portion of the wiring film 10. - 特許庁

非貫通孔の側面および底面に表面側絶縁膜３を形成し、表面側絶縁膜３の内側に埋め込み電極４を形成する。例文帳に追加

A front-side insulating film 3 is formed on the side and bottom surfaces of the non-through hole, and an embedded electrode 4 is formed inside the front-side insulating film 3. - 特許庁

つまり、この溝17の底面および側面に、誘電体14の膜としてＴａ_2Ｏ_5が成膜され、誘電体14の膜厚は、底面の膜厚ｄ_1が５ｎｍで、側面の膜厚ｄ_2の３０ｎｍより小さくしたものである。例文帳に追加

Ta2O5 is sheeted as the film of the dielectric 14 at the bottom face and side face of the trench 17, and a film thickness d1 of the dielectric 4 at the bottom face is made 5 nm smaller than the film thickness d2 of 30 nm at the side face. - 特許庁

コンタクトの底面及び側壁面にＴi膜を形成し、アニール処理を加えて底面にＣ４９相のＴiシリサイド膜を形成する。例文帳に追加

The Ti film is formed on the underside and the sidewall of the contact, and a Ti silicide film of C49 phase is formed on the underside by applying annealing treatment. - 特許庁

また、ゲートトレンチ６の底面８および側面７上には、側面７上の部分（絶縁膜側部１０）の厚さＴ_１に対する底面８上の部分（絶縁膜底部１１）の厚さＴ_２の比が０．３〜１．０となるように、ゲート絶縁膜９を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film 9 is formed on the bottom surface 8 and the side surface 7 of the gate trench 6 so that the ratio of thickness T_2 of the part on the bottom surface 8 (insulating film bottom part 11) to thickness T_1 of the upper on the side surface 7 (insulating film side part 10) is 0.3-1.0. - 特許庁

異方性エッチングにより、ビアホールＶＨの底部の第２の絶縁膜を除去し、ビアホールＶＨの側壁に側壁絶縁膜を残す。例文帳に追加

The second insulating film at the bottom of the via hole VH is removed, and a side wall insulating film on the side wall of the via hole VH is retained. - 特許庁