共鳴トンネル素子の英語

共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ発振検出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a terahertz oscillation detection device with low noise that uses a resonant tunnel diode. - 特許庁

共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ検出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a terahertz detection device with low noise that uses a resonant tunnel diode. - 特許庁

半導体微構造の形成方法および同方法を用いて形成された半導体素子、共鳴トンネル素子の製造方法および同方法を用いて形成された共鳴トンネル素子例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT FORMED USING THAT METHOD, METHOD FOR FABRICATING RESONANCE TUNNEL ELEMENT AND RESONANCE TUNNEL ELEMENT FABRICATED USING THAT METHOD - 特許庁

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子における障壁層は少なくとも２層３０２１，３０２２，３０２３で構成される。例文帳に追加

The barrier layer in the resonance tunnel magnetoresistance effect element includes at least two layers among layers 3021, 3022 and 3023. - 特許庁

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a high speed and low power consumption nonvolatile memory using a resonance tunnel magnetoresistance effect element. - 特許庁

共鳴トンネル素子ＲＴＤ１１、ＲＴＤ１２が直列に接続された前段の論理ゲート１０と、共鳴トンネル素子ＲＴＤ２１、ＲＴＤ２２が直列に接続された後段の論理ゲート２０との間をコンデンサＣｃを介して接続した。例文帳に追加

A logic gate 10 of a previous stage with resonance tunnelling elements RTD_11 and RTD_12 connected serially and a logic gate 20 of a post stage with resonance tunnelling elements RTD_21 and RTD_22 connected serially are connected through a capacitor Cc between the logic gates 10 and 20. - 特許庁

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。例文帳に追加

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied. - 特許庁

２つの共鳴トンネル素子を直列に接続した論理ゲートを有する論理回路において、入力素子にトランジスタを用いることなく構成して高速動作を可能とする。例文帳に追加

To provide a logic circuit having logic gates with two serially connected resonance tunnelling elements which is configured without using a transistor in an input element and can perform a fast operation. - 特許庁