「共鳴トンネル素子」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

共鳴トンネル構造の発振素子において、一つの発振素子を異なる発振周波数で発振させる。例文帳に追加

To oscillate one oscillation element at different oscillation frequencies, the oscillation element having resonant tunneling structure. - 特許庁

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ例文帳に追加

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY - 特許庁

共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ発振検出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a terahertz oscillation detection device with low noise that uses a resonant tunnel diode. - 特許庁

共鳴トンネルダイオードを利用した低雑音のテラヘルツ検出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a terahertz detection device with low noise that uses a resonant tunnel diode. - 特許庁

半導体微構造の形成方法および同方法を用いて形成された半導体素子、共鳴トンネル素子の製造方法および同方法を用いて形成された共鳴トンネル素子例文帳に追加

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MICROSTRUCTURE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT FORMED USING THAT METHOD, METHOD FOR FABRICATING RESONANCE TUNNEL ELEMENT AND RESONANCE TUNNEL ELEMENT FABRICATED USING THAT METHOD - 特許庁

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子における障壁層は少なくとも２層３０２１，３０２２，３０２３で構成される。例文帳に追加

The barrier layer in the resonance tunnel magnetoresistance effect element includes at least two layers among layers 3021, 3022 and 3023. - 特許庁

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a high speed and low power consumption nonvolatile memory using a resonance tunnel magnetoresistance effect element. - 特許庁

共鳴トンネル素子ＲＴＤ１１、ＲＴＤ１２が直列に接続された前段の論理ゲート１０と、共鳴トンネル素子ＲＴＤ２１、ＲＴＤ２２が直列に接続された後段の論理ゲート２０との間をコンデンサＣｃを介して接続した。例文帳に追加

A logic gate 10 of a previous stage with resonance tunnelling elements RTD_11 and RTD_12 connected serially and a logic gate 20 of a post stage with resonance tunnelling elements RTD_21 and RTD_22 connected serially are connected through a capacitor Cc between the logic gates 10 and 20. - 特許庁

不揮発性磁気メモリに、共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を装備し、共鳴準位に相当する電圧によりスピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。例文帳に追加

A nonvolatile magnetic memory includes a resonance tunnel magnetoresistance effect element, and to which a writing system by spin transfer torque produced with a voltage corresponding to the resonance level is applied. - 特許庁

２つの共鳴トンネル素子を直列に接続した論理ゲートを有する論理回路において、入力素子にトランジスタを用いることなく構成して高速動作を可能とする。例文帳に追加

To provide a logic circuit having logic gates with two serially connected resonance tunnelling elements which is configured without using a transistor in an input element and can perform a fast operation. - 特許庁

シリコン基板上に形成可能であり、かつ、負性微分抵抗を顕著に発現し得る共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子を実現する。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel element which is formed on a silicon substrate and greatly develops negative differential resistance, and also to provide its manufacturing method, and a storage element. - 特許庁

本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。例文帳に追加

The resonance tunnel element 6 has a multiple barrier structure including quantum wells and energy barriers formed alternately and continuously with the energy barriers at both ends. - 特許庁

活性層の注入電流密度を向上させ発振の出力パワーを向上させることができる共鳴トンネルダイード型の発振素子を提供することである。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel-diode oscillation element capable of improving the injection current density of an active layer, and improving the output power of oscillation. - 特許庁

その結果、共鳴トンネルダイオードのようなＮ型負性抵抗素子１１，１２の面積を大きくすることができるので、発振効率が低下せず、かつ、外部に他の信号源を設けることなく大きな出力パワーを得ることができるようになる。例文帳に追加

Since, as a result, the area of the N-type negative resistive elements 11 and 12 such as a resonance tunnel diode can be enlarged, the oscillation efficiency does not degrade and large output power can be obtained without providing another external signal source. - 特許庁

このような構成により、前段の論理ゲート１０の出力電流がコンデンサＣｃを介して後段の論理ゲート２０の共鳴トンネル素子ＲＴＤ２１、ＲＴＤ２２の接続点に流れ、これによって後段の論理ゲート２０の出力電圧をスイッチングさせることができる。例文帳に追加

According to such a configuration, an output current of the logic gate 10 of the previous stage is caused to flow to a connection between the resonance tunnelling elements RTD_21 and RTD_22 of the logic gate 20 of the post stage through the capacitor Cc, and by the output current, an output voltage of the logic gate 20 of the post stage can be switched. - 特許庁

発振素子は、第1の障壁層と量子井戸層11と第2の障壁層とを含み構成される利得媒質を、第1の厚さ調整層9と第2の厚さ調整層13との間に介在させて構成されている共鳴トンネルダイオードを備える。例文帳に追加

The oscillation element is equipped with the resonant tunneling diode constituted by interposing a gain medium constituted by including a first barrier layer, a quantum well layer 11, and a second barrier layer between a first thickness adjustment layer 9 and a second thickness adjustment layer 13. - 特許庁

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。例文帳に追加

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted. - 特許庁