半深成のの英語

半導体チップ５０にその厚さの途中までの深さを有した溝２０が形成されている。例文帳に追加

A groove 20, having a depth to the middle of thickness of a semiconductor chip 50, is formed in the semiconductor chip 50. - 特許庁

Ｐ型の半導体基板１の表面には第１のＮウエル３Ａ，３Ｂが深く形成されている。例文帳に追加

In the front surface of a p-type semiconductor substrate 1, first n-wells 3A and 3B are formed deep. - 特許庁

１つのＰ型の半導体基板１１にＮ型の深いウェル領域１２を複数個形成する。例文帳に追加

A plurality of deep N type well regions 12 are formed in one P type semiconductor substrate 11. - 特許庁

Ｐ型ウェル４ａは、半導体基板１の主表面から所定の深さにわたり形成されている。例文帳に追加

The P-type well 4a is formed from a principal surface of a semiconductor substrate 1 to a predetermined depth. - 特許庁

深いトレンチトップ絶縁層を形成するための方法及びその方法による半導体メモリ例文帳に追加

METHOD FOR FORMING DEEP TRENCH TOP INSULATING LAYER, AND SEMICONDUCTOR MEMORY BY IT - 特許庁

深さの異なるコンタクトホールを同時に形成することを可能とした半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which contact holes with different depths are formed at the same time. - 特許庁

カソード領域はエピタキシャル層の表面から半導体基板に達する深さまで形成される。例文帳に追加

The cathode region is formed from the surface of the epitaxial layer down to the depth reaching the semiconductor substrate. - 特許庁

深い記憶トレンチに自己整列した埋込みストラップの形成方法および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD OF FORMING EMBEDDED SELF-ALIGNED STRAP IN DEEP STORAGE TRENCH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁