「半深成の」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体装置２の表面から第３半導体領域１６の深部または第４半導体領域１８に達する少なくとも一対のトレンチが形成されている。例文帳に追加

The second semiconductor region 12 is an opposite conductive type. - 特許庁

単結晶の半導体基板にその穴の深さより高い高さを有する凸部を形成する。例文帳に追加

A projecting part having a height higher than the depth of the hole is formed in the single crystalline semiconductor substrate. - 特許庁

半導体チップ５０にその厚さの途中までの深さを有した溝２０が形成されている。例文帳に追加

A groove 20, having a depth to the middle of thickness of a semiconductor chip 50, is formed in the semiconductor chip 50. - 特許庁

Ｐ型の半導体基板１の表面には第１のＮウエル３Ａ，３Ｂが深く形成されている。例文帳に追加

In the front surface of a p-type semiconductor substrate 1, first n-wells 3A and 3B are formed deep. - 特許庁

１つのＰ型の半導体基板１１にＮ型の深いウェル領域１２を複数個形成する。例文帳に追加

A plurality of deep N type well regions 12 are formed in one P type semiconductor substrate 11. - 特許庁

Ｐ型ウェル４ａは、半導体基板１の主表面から所定の深さにわたり形成されている。例文帳に追加

The P-type well 4a is formed from a principal surface of a semiconductor substrate 1 to a predetermined depth. - 特許庁

深いトレンチトップ絶縁層を形成するための方法及びその方法による半導体メモリ例文帳に追加

METHOD FOR FORMING DEEP TRENCH TOP INSULATING LAYER, AND SEMICONDUCTOR MEMORY BY IT - 特許庁

深さの異なるコンタクトホールを同時に形成することを可能とした半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which contact holes with different depths are formed at the same time. - 特許庁

カソード領域はエピタキシャル層の表面から半導体基板に達する深さまで形成される。例文帳に追加

The cathode region is formed from the surface of the epitaxial layer down to the depth reaching the semiconductor substrate. - 特許庁

深い記憶トレンチに自己整列した埋込みストラップの形成方法および半導体デバイス例文帳に追加

METHOD OF FORMING EMBEDDED SELF-ALIGNED STRAP IN DEEP STORAGE TRENCH, AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ドライエッチングにより半導体基板１に所定深さのトレンチ６を形成する。例文帳に追加

A trench 6, having a predetermined depth, is formed in the semiconductor substrate 1 by dry etching. - 特許庁

拡散層１１は、トレンチ深部周囲の半導体基板内に形成される。例文帳に追加

A diffused layer 11 is formed in the semiconductor substrate in a periphery of a trench depth part. - 特許庁

半導体基板等に形成される溝の深さを高精度に管理することで、所望の深さの溝を備えた半導体装置を製造することが出来る半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having trenches of desired depths by managing the depths of the trenches being made in a semiconductor substrate or the like with high accuracy. - 特許庁

素子分離膜Ｔは、半導体基板１００の主面から深さＬ１で形成され、半導体基板１００のうち、半導体基板１００の主面から深さＬ１までを複数の第１領域Ｒ１に区画する。例文帳に追加

An element isolation film T is formed at a depth of L1 on the main surface of a semiconductor substrate 100, and an area between the main surface of the semiconductor substrate 100 and the depth L1 in the semiconductor substrate 100 is divided into a plurality of first areas R1. - 特許庁

半導体装置に、開口寸法のばらつきが小さく、微細で深度が深く、基板面に対して垂直なバイアホールなどの孔を形成する半導体装置の製造方法およびそれによる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a hole such as a via hole, which has little dispersion in an opening size, is fine and deep and is vertical to a substrate surface, in a semiconductor device, and to provide a semiconductor device using the method. - 特許庁

方法は、シリコンのような結晶半導体中に、第１深さまで、アモルファス領域を形成する工程と、これに続いて、例えば炭素のような置換型元素を、第１深さより浅い深さまで注入する工程とを含む。例文帳に追加

The method includes a step of forming an amorphous region in a crystalline semiconductor such as silicon down to a first depth followed by a step of implanting a substitutional element such as carbon to a smaller depth than the first depth. - 特許庁

そのため両カム溝が、周方向両側へ向けて深さが浅くなる斜面に形成されていて、その最深位置の深さが、ボールの半径より小さい寸法に設定され、また、その最も浅い位置の深さが、ボールの抜け出しを阻止する寸法に設定されている。例文帳に追加

The both cam grooves are thus formed into inclined faces gradually shallowed their depths towards the circumferential both sides, the depth of the most deep position is set to smaller than the radius of the ball, and the depth of the most shallow position is set to such a dimension as preventing the ball from slipped out. - 特許庁

第２半導体領域には、深さが徐々に深くなる傾斜底領域６ａと、傾斜底領域の外側に隣接しているとともに深さが一定距離Ｄに維持されている平坦底領域６ｂが形成されている。例文帳に追加

In the second semiconductor region, a tilted bottom region 6a which gradually increases in depth and a flat bottom region 6b which is adjacent to outside the tilted bottom region and whose depth is kept to a fixed distance D. - 特許庁

凹部４６ｃの最深部４６ｄとなる入隅部がローラ４８の半径より大きな曲率半径Ｒの円弧面状に形成されている。例文帳に追加

An internal angle part being the most deepest part 46d of the recessed part 46c is formed like a circular arched face with a radius R of curvature larger than a radius of the roller 48. - 特許庁

個々の記録マークに対して半径方向隣の記録トラックでは深さ方向に層間の半分だけずらして記録マークを形成する。例文帳に追加

A recording mark is formed in the recording track of a radial direction adjacent to each recording mark by shifting only an interlayer half in a depth direction. - 特許庁

その半導体装置には、半導体基板の表面から深さ方向に伸びる電位計測用トレンチが形成されている。例文帳に追加

The semiconductor device has a potential measuring trench extending from the surface of the substrate in a depth direction. - 特許庁

新規な構成による深さ方向に均一な濃度プロファイルの半導体層を有する半導体基板とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate, having semiconductor layers of uniform concentration profile in the depth direction of the substrate using a new constitution, and to provide a manufacturing method of the substrate. - 特許庁

そして、側面分離部５１は、半導体基板１１の一面側から離間する所定の深さに形成された深層領域５３と、深層領域５３についての半導体基板１１の一面側に形成された表面領域５２とを有する。例文帳に追加

The side surface isolating portion 51 has: a deep layer region 53 formed at a predetermined depth separated from the one surface side of the semiconductor substrate 11; and a surface region 52 formed on the one surface side of the semiconductor substrate 11 for the deep layer region 53. - 特許庁

それぞれの深さが異なる浅底半球型スクリーン１Ｂと、当該浅底半球型スクリーン１Ｂと半球型スクリーン１の周縁部分とからなる半球型スクリーン１全体の深底半球型スクリーン１Ａとを備える構成とする。例文帳に追加

The multifunctional ophthalmic examination apparatus comprises a shallow bottom hemispherical screen 1B and a deep bottom hemispherical screen 1A respectively with different depths, the deep bottom hemispherical screen 1A is the total of a hemispherical screen 1 comprising the shallow bottom hemispherical screen 1B and the periphery part of the hemispherical screen 1. - 特許庁

それぞれの深さが異なる浅底半球型スクリーン１Ｂと、当該浅底半球型スクリーン１Ｂと半球型スクリーン１の周縁部分とからなる半球型スクリーン１全体の深底半球型スクリーン１Ａとを備える構成とする。例文帳に追加

The multifunctional ophthalmic examination apparatus comprises a shallow bottom hemispherical screen 1B and a deep bottom hemispherical screen 1A with different depths, the deep bottom hemispherical screen 1A is the total of a hemispherical screen 1 comprising the shallow bottom hemispherical screen 1B and the periphery part of the hemispherical screen 1. - 特許庁

深さが異なる二種類の微細な溝を半導体基板に精度良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of accurately forming two kinds of fine trenches having different depths on a semiconductor substrate. - 特許庁

Ｓｉウエハの側面を保護しつつ、所望の形状の深孔または深溝を精度良く形成することができる、半導体装置の製造方法およびそれを用いて作製された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of accurately forming a deep hole or a deep groove with a desired shape while protecting the side surface of a Si wafer, and to provide the semiconductor device manufactured using the method. - 特許庁

また、好適には、エピタキシャル成長させる化合物半導体層の膜厚より深い溝深さの複数本の第２の溝４８を、相互に平行に、かつ第１の溝に交差する方向でウエハの成膜基板面に形成する。例文帳に追加

Preferably, a plurality of the second grooves 48 having a larger groove depth than the thickness of the compound semiconductor layer to be epitaxially grown are further formed in parallel to each other on the surface of the film-forming substrate of the wafer in the direction crossing the first grooves. - 特許庁

この折り返し部３Ａを有することによって、その２倍の凸型の高さを得るのに、成形時の成形する深さを略半分にすることができる。例文帳に追加

The provision of the folded part 3A enables a molding depth in the molding to be almost dimidiated so that a protrusive shape is twice higher. - 特許庁

半導体装置１は、半導体基板中に形成されたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４よりも半導体基板の表面から深い位置に形成されたｐ型半導体領域３と、ｐ型半導体領域３の一部に形成された重金属捕獲領域５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device 1 comprises an n-type semiconductor region 4 formed in a semiconductor substrate, a p-type semiconductor region 3 formed in a position deeper than the region 4 from the surface of the semiconductor substrate, and a heavy-metal-capturing region 5 formed in a part of the region 3. - 特許庁

第３の半導体領域６は、第２の半導体領域５上に、第２の半導体領域５の空乏化時の電位の極大点８の位置が第３の半導体領域６の存在していない場合よりも深くなるように形成する。例文帳に追加

The third semiconductor region 6 is so formed on the second semiconductor region 5 that the position of a maximum point 8 of potential at depletion of the second semiconductor region 5 becomes deeper than the case where the third semiconductor region 6 does not exist. - 特許庁

半導体基板(1)の所定の深さ領域(15)に半導体基板(1)の他の深さ領域(16,17)より酸素濃度の高い酸素富裕層(4)を形成し、半導体基板(1)に放射線を照射して、酸素富裕層(4)に再結合領域(5)を形成する。例文帳に追加

An oxygen-rich layer (4) having an oxygen concentration higher than the other depth regions (16 and 17) of a semiconductor substrate (1) is formed to the specified depth region (15) of the semiconductor substrate (1), and the semiconductor substrate (1) is irradiated with a radiation and a recombination region (5) is formed to the oxygen-rich layer (4). - 特許庁

本発明の半導体装置形成方法は基板１２に深トレンチ１４を形成するステップと、深トレンチの下部に誘電体層２６のライニングを形成するステップを有する。例文帳に追加

A method for forming semiconductor device includes a step of forming a deep trench 14 into a substrate 12 and another step of forming the lining of a dielectric layer 26 in the lower section of the trench 14. - 特許庁

透明基板４の上には位相差膜４ａ、４ｂが形成され、これらの膜により半径ｒ０〜ｒ７の位置に深さｄの段差が形成されている。例文帳に追加

Optical retardation films 4a and 4b are formed on transparent substrate 4, and the films form level differences of depth d at positions of radii r0 to r7. - 特許庁

半導体基板のスクライブライン領域にて前記半導体基板の表面から第１深さを有する第１凹部により形成された第１段差部よりなるアラインキーと、前記半導体基板のウェル領域にて前記半導体基板の表面から前記第１深さと同じか浅い第２深さを有する第２凹部により形成された第２段差部とを含む。例文帳に追加

An alignment key formed of a first stepped part, formed of a first recess having a first depth from the surface of a semiconductor substrate in a scribe line region on the semiconductor substrate and a second stepped part formed of a second recess, having a second depth that is from the surface of the semiconductor substrate in a well region on the semiconductor substrate and equal to or smaller than the first depth are included. - 特許庁

半導体基板１に所定の深さのトレンチが形成され、そのトレンチ５内に分離酸化膜６が形成される。例文帳に追加

A trench of predetermined depth is formed in a semiconductor substrate 1, and an isolating oxide film 6 is formed in the trench 5. - 特許庁

円筒形状の第１アノード２１Ａ´の孔部Ｐは、浅い孔部ＰＡと深い孔部ＰＢの二段構えに成っており、深い孔部ＰＢの周面には、軸方向に、等間隔に、半円柱状の溝２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄが形成されている。例文帳に追加

A hole part P of the cylindrical first anode 21A is formed into a two-step shape comprising a shallow hole part PA and a deep hole part PB, and semi-cylindrical grooves 23A, 23B, 23C and 23D are axially formed at equal intervals on the circumferential surface of the deep hole part PB. - 特許庁

光磁気ディスクにグルーブを形成する場合に、半径方向に隣り合うグルーブＧｄとグルーブＧｔとは、深さ、または、半径方向の幅が異なるようにするか、または、深さと半径方向の幅との両方が異なるようにして形成する。例文帳に追加

When grooves are formed on a magneto-optical disk, the groups Gd and groups Gt adjacent to each other in a radial direction are so formed as to vary in depth or the width in a radial direction or to vary in both of the depth and the width in the radial direction. - 特許庁

該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。例文帳に追加

An embrittlement layer is formed in a region at a prescribed depth of the semiconductor substrate, and an insulating layer is formed on a surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

半導体層３の上面に、溝５ａ，５ｂ，５ｃの深さよりも小さい厚みで形成された上層抵抗体７ａ，７ｂが形成されている。例文帳に追加

On the upper surface of the semiconductor layer 3, upper layer resistors 7a and 7b formed by the thickness smaller than the depth of the grooves 5a, 5b and 5c are formed. - 特許庁

深い焦点深度に基づいて所望の逆ピーク状の光強度分布を安定的に形成することができ、半導体膜上に形成される結晶粒の充填率を高めることのできる結晶化装置。例文帳に追加

To obtain crystallization equipment in which a desired reverse peak light intensity distribution can be formed stably based on the deep depth of a focus, and the filling rate of crystal grains formed on a semiconductor film can be raised. - 特許庁

深い焦点深度に基づいて所望の逆ピーク状の光強度分布を安定的に形成することができ且つ半導体膜上に形成される結晶粒の充填率を高めることのできる結晶化装置。例文帳に追加

To obtain crystallization equipment and a method in which a desired reverse peak light intensity distribution can be formed stably based on the deep depth of a focus, the filling rate of crystal grains formed on a semiconductor film can be raised, and epitaxial growth can be accomplished without generating ablation. - 特許庁

良品の半導体ウェーハのフォトルミネセンス強度について、複数の温度別深さ依存グラフおよび基準温度依存グラフを作成し、温度別深さ依存グラフ毎について、フォトルミネセンス強度の支配的なウェーハ深さ領域を求め、実測温度依存グラフを作成する。例文帳に追加

A plurality of depth dependency graphs by temperatures of photoluminescence intensity of a semiconductor wafer of good quality and a reference temperature dependence graph are generated, and a dominant wafer depth region of photoluminescence intensity is obtained for each of the depth dependency graphs by the temperatures to generate a measured temperature dependence graph. - 特許庁

周回溝１３の深さが、この周回溝１３の形成箇所でのインナーパーツ１の肉厚の略半分の寸法となっている。例文帳に追加

The depth of the circumferential groove 13 is substantially half the wall thickness of the inner part 1 at the position at which the circumferential groove 13 is formed. - 特許庁

半構造化データ要素分割部２１は、半構造化データを、その半構造化データを構成する最小単位の要素に分割し、半構造化データの階層構造における要素毎の深度を算出する。例文帳に追加

A semi-structured data element division part 21 divides semi-structured data into elements of a minimum unit constituting the semi-structured data, and calculates a depth in each element in a hierarchical structure of the semi-structured data. - 特許庁