反応性イオンエッチング法の英語

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING REACTIVE ION ETCHING - 特許庁

反応性イオンエッチング用のマスク材料、マスク及びドライエッチング方法例文帳に追加

MASKING MATERIAL FOR REACTIVE ION ETCHING, MASK AND DRY ETCHING METHOD - 特許庁

反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a contact hole of a semiconductor element using a reactive ion etching. - 特許庁

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。例文帳に追加

In the surface roughening method for a semiconductor substrate to roughen the surface of the semiconductor by the reactive ion etching method, after forming an oxide film on the surface of the semiconductor substrate, perform surface roughening by the reactive ion etching method. - 特許庁

平坦な基板上に磁性層形成後、反応性イオンエッチング法で磁性層の一部を除去し、かつその上に誘電体層を形成する。例文帳に追加

After a magnetic layer is formed on a flat substrate, a portion of the magnetic layer is removed by a reactive ion etching method and a dielectric layer is formed thereon. - 特許庁

本発明はタンタル/フッ素副生成物を除去するためアルゴン/水素反応性イオンエッチングを使用する方法を提供するものである。例文帳に追加

The method in which an argon/hydrogen reactive-ion etching is used for removing the tantalum/fluorine byproduct is provided. - 特許庁

ＺｎＳｅ多結晶体１を炭化水素基を含まない塩素系ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によりエッチングする。例文帳に追加

The ZnSe poly crystal 1 is etched by the reactive ion etching method using chlorine gas which does not included a hydrocarbon group. - 特許庁

ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いた光ディスク基板用スタンパの製造方法において、正確な溝深さ制御を可能とする。例文帳に追加

To accurately control a groove depth in a method for manufacturing a stamper for an optical disk substrate using RIE (Reactive Ion Etching). - 特許庁