反応性イオンビームの英語

誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming apparatus which is configured to form a thin film having a high light transmittance and a high surface smoothness by accelerating the reactivity of a film formed on a film forming plane of a substrate by irradiating the film forming plane with ion beams, when a dielectric film is formed. - 特許庁

第２の反応ガスをプラズマ化して発生されたラジカルのフラックス、すなわち、イオンビームを中性ビーム化して被処理基板に照射するようにした中性ビームを利用した原子層蒸着装置及びこの装置を利用した原子層蒸着方法を提供する。例文帳に追加

To provide a neutral-beam-utilizing atomic layer vapor deposition apparatus wherein a workpiece is irradiated with a neutral beam formed by neutralizing a radical flux, i.e., an ion beam, generated by converting a second gas into a plasma, and to provide an atomic layer vapor deposition method utilizing the apparatus. - 特許庁

基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。例文帳に追加

The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering. - 特許庁

本発明の課題は、真空の解除，装置の分解，部品交換なしに、反応性の高いイオン種によって電極表面に堆積する絶縁被膜が除去できるイオンビーム発生装置及びそれのクリーニング方法を提供するにある。例文帳に追加

To provide an ion beam generating device capable of removing an insulation film deposited on the surface of an electrode by a highly reactive ionic species without the release of vacuum, the disassembly of the device and the exchange of a parts, and a cleaning method therefor. - 特許庁

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。例文帳に追加

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4). - 特許庁

ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。例文帳に追加

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas. - 特許庁

この結晶基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５よりCHF_3ガスとArガスとを1:10〜1:2の範囲で混合したガスを反応性エッチングガスとしてイオン銃室１３内に導入する。例文帳に追加

The crystalline substrate 11 is set in a specimen chamber 12 of an ion beam irradiator, and a mixture gas of a CHF_3 gas and an Ar gas mixed at a ratio in a range of 1:10 to 1:2 is introduced from a gas inlet pipe 15 into an ion gun chamber 13 as a reactive etching gas. - 特許庁

半導体の表面の一部を反応性イオンエッチングにより除去することによって半導体に溝を形成する反応性イオンエッチング工程と、溝の底面に対して０°より大きく４５°以下の角度に傾斜した方向からイオンビームを照射することによって溝の底面の一部を除去する低角度イオンミリング工程とを含む半導体装置の製造方法である。例文帳に追加

The method of manufacturing a semiconductor device includes a reactive ion etching step to form grooves in a semiconductor by partly removing the surface of the semiconductor by reactive ion etching, and a small-angle ion milling step to partly remove the bottom of the groove by emitting an ion beam to the bottom of the groove in an inclined direction at a zero degree or higher and 45 degrees or lower with respect to the bottom thereof. - 特許庁