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塩化ガリウムの英語
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英訳・英語 gallium chloride
「塩化ガリウム」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
顆粒状三塩化ガリウムの製造方法例文帳に追加
三塩化ガリウムを製造するための大容量送達方法例文帳に追加
HIGH VOLUME DELIVERY SYSTEM FOR GALLIUM TRICHLORIDE - 特許庁
雰囲気をアンモニアガスとし、ガリウム化合物粉末として塩化ガリウム粉末を用いてもよい。例文帳に追加
Ammonia gas can be used as an atmospheric gas, and a gallium chloride powder can be used as the gallium compound powder. - 特許庁
三塩化ガリウムを製造するための大容量送達システム例文帳に追加
HIGH VOLUME DELIVERY SYSTEM FOR PRODUCING GALLIUM TRICHLORIDE - 特許庁
その後、窒化ガリウム粒子成長部30において、予備反応管21内で生成した塩化ガリウムと、窒化ガリウム結晶核生成部10から輸送されたアンモニアガスとを、前記窒化ガリウム結晶核上で化学的に反応させ、成長させることによって目的とする窒化ガリウム粉末を得る。例文帳に追加
The objective gallium nitride powder is produced by subsequently chemically reacting gallium chloride produced in a preparatory reaction tube 21 with ammonia gas transported from the zone 10 for producing the gallium nitride crystal nucleus and growing the resultant product on the crystal nucleus of gallium nitride in the zone 30 for growing the gallium nitride particle. - 特許庁
蒸気相の高純度三塩化ガリウムを窒化ガリウムの反応器に供給するための装置を提供する。例文帳に追加
To provide equipment which supplies a high purity gallium trichloride in vapor phase to a reactor of a gallium nitride. - 特許庁
アンモニア(NH_3)と塩化ガリウム(GaCl)を供給すると、Si基板10の面10aに窒化ガリウム(GaN)30がエピタキシャル成長を開始する(b)。例文帳に追加
When ammonia (NH_3) and a gallium chloride (GaCl) are supplied, the epitaxial growth of a gallium nitride(GaN) 30 starts on the surface 10a of an Si substrate 10 (Fig. b). - 特許庁
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「塩化ガリウム」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
三塩化ガリウムとトリアルキルアルミニウムとの反応によりトリアルキルガリウムを合成する方法であって、三塩化ガリウムに対するトリアルキルアルミニウムの使用量を少なくしても、収率良くトリアルキルガリウムを製造することができる方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of synthesizing the trialkygallium in a high yield, by reacting gallium trichloride with a trialkylaluminum, even when an amount of the trialkylaluminum to be used based on an amount of the gallium trichloride is decreased. - 特許庁
ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、ガリウムとマグネシウムと塩化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを高収率で製造できる方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of producing the trialkygallium in a high yield, by reacting gallium, magnesium, and an alkyl chloride, without using a gallium-magnesium alloy. - 特許庁
ガリウムとマグネシウムとハロゲン化アルキルとの反応によりトリアルキルガリウムを製造する方法であって、ガリウム−マグネシウム合金を用いることなく、溶媒として炭化水素化合物を用い、かつハロゲン化アルキルとして塩化アルキルを用いても、収率良くトリアルキルガリウムを得ることができる方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing a trialkylgallium, capable of producing the trialkygallium in a high yield through reaction of gallium, magnesium, and an alkyl halide, by using a hydrocarbon compound as a solvent, without using a gallium-magnesium alloy, even when an alkyl chloride is used as the alkyl halide. - 特許庁
窒化ガリウム膜は、塩化水素(HCl)ガスとアンモニアガスを供給することによって基板上に成長される。例文帳に追加
A gallium nitride film is caused to grow on a substrate by supplying a hydrogen chloride (HCl) gas and an ammonia gas. - 特許庁
アンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガス気流中で、塩化ガリウムの粉末4を1000〜1200℃で1.0〜1.5時間加熱する。例文帳に追加
The method for producing the hollow spherical particles comprises heating a powder 4 of gallium chloride at 1,000-1,200°C in a mixed gas stream of ammonia gas and argon gas for 1.0-1.5 h. - 特許庁
マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第1の工程と、少なくとも1種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第2の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。例文帳に追加
This method for producing the trialkylgallium includes a first process for heating a mixture of the magnesium and the gallium in a molten state under a vacuum and a second process for reacting the mixture heated under the vacuum with the alkyl chloride in at least one kind of ether compound so as to synthesize the trialkylgallium. - 特許庁
マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第1の工程と、少なくとも1種の炭化水素化合物中で、真空加熱された上記混合物と、少なくとも1種の塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第2の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。例文帳に追加
This method for producing the trialkylgallium includes a first process for heating a mixture of the magnesium and the gallium in a molten state under a vacuum and a second process for reacting the mixture heated under the vacuum with at least one kind of the alkyl chloride in at least one kind of the hydrocarbon compound so as to synthesize the trialkylgallium. - 特許庁
一方、塩化水素はガリウムを配置したGa溜め8に導かれ、V族ガス拡散部7の頂点部付近に配置された噴射口10より噴射される。例文帳に追加
Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7. - 特許庁
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