大リーク試験の英語

被試験半導体素子の温度が最大定格を超えないように試験槽の温度を制御して、被試験半導体素子の温度がリーク電流により最大定格を超えて熱暴走に至るのを防止する試験装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tester which controls the temperature of a test tank so that the temperature of a semiconductor element under test does not exceed a maximum rating, thereby blocking the temperature of the semiconductor element under test from thermal runaway over the maximum rating due to leak currents. - 特許庁

ＯＦＦリークの多い半導体集積回路の出荷試験において、半導体試験装置に簡易な回路を付加するのみで、Ｉｄｄｑ試験に要する時間を従来より大幅に短縮でき、高価な半導体試験装置の使用時間を低減できて、試験を経済的に実施することができ、コストを低減することができる半導体試験装置を提供する。例文帳に追加

To remarkably shorten a time required for an Iddq test compared with the conventional art, only by adding a simple circuit to a semiconductor testing device, to reduce a using time of the expensive semiconductor testing device to conduct a delivery test economically, and to reduce a cost, in the delivery test of a semiconductor integrated circuit wherein OFF leaks are frequently observed. - 特許庁

被試験体の部材自体からのガス放出が大きいものでも短時間に処理ができるヘリウムリークテスト装置を提供する。例文帳に追加

To provide a helium leak tester which can perform test in a short time even when the member of a specimen itself discharges a gas significantly. - 特許庁

また、ガラス中の空隙を減少させ、高温直流バイアス試験において、耐圧劣化やリーク電流の増大を防止することができる。例文帳に追加

Moreover, gaps in the glass films can be reduced, and in a high-temperature DC bias test, deterioration of the dielectric strength and increase in the leakage current can be avoided. - 特許庁

多コア・プロセッサ中のコアは、最大動作周波数、電力消費、電力リーク、機能的な正しさおよびその他のパラメータについての傾向情報を含む動的プロファイルを取得するために定期的に試験される。例文帳に追加

Cores in a many-core processor are periodically tested to obtain dynamic profiles including trend information on its maximum operating frequency, power consumption, power leakage, functional correctness, and other parameters. - 特許庁

容量絶縁膜が酸化アルミニウムを含むスタック型のキャパシタを備える半導体装置であって、BT試験の際の半導体装置の劣化を抑制し、リーク電流の増大を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a stacked capacitor whose capacitance insulating film contains an aluminum oxide and capable of suppressing the increase of a leak current by suppressing the deterioration of a semiconductor device upon BT testing, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

上述した手段によれば、選別を行なう半導体装置を低温化することによって、サブスレッショルド領域にてゲート電圧に対するドレイン電流の変化が大きくなるため、スタンバイ電流を低減することが可能となり、低しきい値のＭＩＳＦＥＴのリーク電流試験を確実に行なうことができる。例文帳に追加

According to the above manner, reducing the temperature of the semiconductor device increases a change in a drain current with respect to a gate voltage in a sub-threshold region, and thus makes it possible to reduce the stand-by current and to surely conduct the leak current test of the MISFET having a low threshold. - 特許庁