寄生トランジスタの英語

ＭＯＳトランジスタのソース・ドレインに関する寄生容量と寄生抵抗とを低減する。例文帳に追加

To reduce parasitic capacitance and resistance regarding the source/ drain of a MOS transistor. - 特許庁

この構造により、寄生トランジスタのベース領域での抵抗値が低減し、ＭＯＳトランジスタ１のベース領域での電位上昇が抑制され、寄生トランジスタ動作が抑止される。例文帳に追加

With this structure, the value of resistance at the base region of the parasitic transistor is reduced, a potential increase at the base region of the MOS transistor 1 is suppressed, and the operation of the parasitic transistor is inhibited. - 特許庁

電界効果トランジスタの半導体領域は、寄生的なバイポーラトランジスタの半導体領域も形成する。例文帳に追加

A semiconductor region of the field effect transistor further forms a semiconductor region of a parasitic bipolar transistor. - 特許庁

ＳＯＩ型基板に形成される半導体装置において、寄生ＭＯＳトランジスタが抑制されたＭＯＳトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a MOS transistor with a parasitic MOS transistor suppressed in a semiconductor device formed on an SOI type substrate. - 特許庁

トランジスタが設計より低い閾値電圧で動作し始めるという寄生トランジスタ動作を抑制する。例文帳に追加

To suppress a parasitic transistor operation of a transistor that starts operating at a threshold voltage lower than a design value. - 特許庁

電流検出手段と並列に電界効果トランジスタを設けるとその電界効果トランジスタ寄生ダイオードに電流が分流する。例文帳に追加

To shunt an electric current to a field effect transistor parasitic diode by providing a field effect transistor in parallel to current detection means. - 特許庁

ｎ型薄膜トランジスタ４のサイドチャネル部16での寄生薄膜トランジスタの形成を防止できる。例文帳に追加

The formation of a parasitic thin film transistor in the side channel 16 of the n-type thin film transistor 4 can be prevented. - 特許庁

トリプルウェルＭＯＳトランジスタにおいて、消費電流の増大や、寄生バイポーラトランジスタの熱暴走による素子破壊を防ぐこと。例文帳に追加

To obtain a triple well MOS transistor in which increase of current consumption is prevented while protecting an element against breakdown due to thermal runaway of a parasitic bipolar transistor. - 特許庁