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意味・対訳 寄生トランジスタ
「parasitic transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 466件
To provide a semiconductor device which restrains parasitic operation by a parasitic transistor inside a semiconductor substrate.例文帳に追加
寄生動作を抑制した半導体装置を提供する。 - 特許庁
To reduce a capacity parasitic to a selection transistor and an initialization transistor.例文帳に追加
選択トランジスタや初期化トランジスタに寄生する容量を低減する。 - 特許庁
TRANSISTOR AMPLIFIER HAVING REDUCED PARASITIC OSCILLATION例文帳に追加
寄生振動を低減したトランジスタ増幅器 - 特許庁
To miniaturize a vertical MOS transistor and to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance increased by the miniaturization.例文帳に追加
縦型ＭＯＳトランジスタの小型化、それに伴い増加する寄生抵抗、寄生容量の低減。 - 特許庁
To provide a transistor having a minimized parasitic effect.例文帳に追加
最小化された寄生効果を有するトランジスタを提供すること。 - 特許庁
A parasitic bipolar transistor is turned ON against a further excessive surge.例文帳に追加
更に過大なサージに対しては寄生バイポーラトランジスタがオンする。 - 特許庁
To detect a parasitic current caused by a parasitic transistor, and control the behavior of a control circuit in accordance with the parasitic current, thus surely preventing a malfunction of the control circuit caused by the parasitic current.例文帳に追加
寄生トランジスタによる寄生電流を検出し、寄生電流に応じて制御回路の動作を制御することを目的とし、寄生電流に起因する制御回路の誤動作を確実に防止する。 - 特許庁
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「parasitic transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 466件
By forming an ion implanting layer 14 for parasitic Tr adjustment on a channel region 9 of the parasitic transistor, a threshold voltage of the parasitic transistor is adjusted.例文帳に追加
そして、寄生トランジスタのチャネル領域９に寄生Ｔｒ調節用イオン注入層１４を形成することで、寄生トランジスタのしきい値電圧を調節する。 - 特許庁
The lower high-concentration region 34 is provided, thus reducing the parasitic base resistance of the parasitic transistor generated in the body region 36, and hence inhibiting the secondary yield phenomenon due to the parasitic transistor.例文帳に追加
下部高濃度領域３４を設けることで、ボディ領域３６に生ずる寄生トランジスタの寄生ベース抵抗値を小さくすることが可能となるため、寄生トランジスタによる２次降伏現象を抑制することができる。 - 特許庁
The similar effect to a case where a resistor and a capacitor are provided can be obtained by parasitic resistance and parasitic capacitance of the load transistor T2.例文帳に追加
負荷用トランジスタＴ２の寄生抵抗及び寄生容量によって、抵抗素子及びキャパシタを設けた場合と同様な効果が得られる。 - 特許庁
To provide a vertical transistor in which parasitic resistance of a source is small and which is not influenced by "1" disturbance by a parasitic bipolar element.例文帳に追加
ソースの寄生抵抗が小さく、寄生バイポーラ素子による”１”ディスターブの影響を受けない縦型トランジスタを提供する。 - 特許庁
To provide a horizontal hetero-bipolar transistor which can perform a high speed operation with a small parasitic capacity or a parasitic resistor.例文帳に追加
寄生容量や寄生抵抗の小さな高速動作の可能な横型へテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁
To prevent destruction of a device by a parasitic effect produced by a parasitic transistor, when a MOSFET of a bridge circuit is formed on a single chip.例文帳に追加
ブリッジ回路のＭＯＳＦＥＴを１つのチップに形成した場合に、寄生トランジスタによる寄生効果で素子が破壊されることを防ぐ。 - 特許庁
To protect a semiconductor device against damage caused by a parasitic effect possessed by a parasitic transistor when a MOSFET having a bridge circuit structure is formed into a single chip.例文帳に追加
ブリッジ回路のＭＯＳＦＥＴを１つのチップに形成した場合に、寄生トランジスタによる寄生効果で素子が破壊されることを防ぐ。 - 特許庁
With this structure, the value of resistance at the base region of the parasitic transistor is reduced, a potential increase at the base region of the MOS transistor 1 is suppressed, and the operation of the parasitic transistor is inhibited.例文帳に追加
この構造により、寄生トランジスタのベース領域での抵抗値が低減し、ＭＯＳトランジスタ１のベース領域での電位上昇が抑制され、寄生トランジスタ動作が抑止される。 - 特許庁
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