技術の適用プロセスの英語

プロセス整合性良くトレンチキャパシタにＨＳＧ技術の適用を図る。例文帳に追加

To apply an HSG technology to a trench capacitor with excellent process matching performance. - 特許庁

適用する要素技術はすべて既知のもので個々のプロセス技術の改良、開発は必要とするものの最も実現の可能性の高いＣＯ_２リサイクルシステムである。例文帳に追加

The CO_2 recycling system is the most realizable and all applied elemental techniques are known, though improvement and development of each process are required. - 特許庁

少ないハードウェアコストで、マルチプロセス環境や仮想マシン利用環境にも適用可能なキャッシュメモリの分割管理技術を提供する。例文帳に追加

To provide a division management technology of a cache memory which is applicable even to a multi-process environment or a virtual machine use environment with small hardware costs. - 特許庁

マルチ・トランザクション処理の起点となるプロセスのプロセスＩＤによって識別されるカウンタのアップダウンにより、カウンタが初期値に戻ったときをひとつのマルチ・トランザクション処理の完了とみなすことにするという更新アクセス・カウンタ技術を適用することによって課題を解決する。例文帳に追加

An update access-counter technology is applied which assumes a time when a counter is returned to an initial value depending on the up-down counting of the counter identified by a process ID of a process that is a starting point of multi-transaction processing being the completion of one multi-transaction processing, thus solving the problem. - 特許庁

研磨に伴う毒性の高いガスの発生を速やかに検知し危険性に対して、有効な回避策を実施でき、現実の研磨プロセス並びに研磨装置に適用できる化学的研磨終点検知技術を用いて研磨する研磨方法、及び研磨装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method and a device for polishing a substrate by the use of a chemical polishing end-point detection technology capable of rapidly detecting generation of a strong toxic gas accompanying the polishing and effectively avoiding the risk, and can be applied to the actual polishing process and polishing device. - 特許庁

埋め込み配線形成技術を適用して微細な配線を形成しつつも、プロセス中において層間絶縁膜の膜剥がれや変形などを発生させることなく、膜強度の低い低誘電率膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which forms a fine interconnection using buried interconnection forming techniques without causing the separation or deformation of an interlayer insulation film during processes, and which uses a film of low permittivity having low film strength as the interlayer insulation film. - 特許庁

この可変曲率ミラーデバイスの製造に当たっては、基材薄板（１）の出発原料として単結晶シリコンウェハ、ＳＯＩウェハが使用可能であり、半導体加工技術、ＭＥＭＳなどの技術を個々にまたは組み合わせた製造プロセスからなる可変曲率ミラーデバイスの製造方法が適用可能である。例文帳に追加

With respect to manufacturing of the variable curvature mirror device, a single crystal silicon wafer and an SOI wafer are available as a starting material of the thin base plate (1), and a manufacturing method comprising manufacturing processes using individual or combination of techniques such as semiconductor processing techniques and MEMS is applicable. - 特許庁