準単分子層の英語

前記方法および装置は、準単分子層薄膜蒸着の急速反復を可能にする多段階蒸着プロセスおよびシステムを含む。例文帳に追加

The method and an apparatus include a multistage deposition process and system which enables rapid repetition of sub-monolayer deposition of thin films. - 特許庁

誘電体酸化被膜が形成された弁作用金属上に、導電性高分子層（Ａ）を形成し、前記導電性高分子層（Ａ）上に、導電性高分子単量体と支持電解質及び遷移金属イオンとが、溶媒に含まれてなる導電性高分子重合用電解液を準備し、導電性高分子層（Ｂ）を電解重合により形成して固体電解コンデンサを製造する。例文帳に追加

The solid electrolytic capacitor is manufactured by the steps of: forming a conductive polymer layer (A) on a metal having a valve action on which a dielectric oxide film is formed; preparing an electrolyte solution for polymerizing conductive polymers, including a solvent in which conductive polymeric monomers, a supporting electrolyte and transition metal ions are contained; and forming a conductive polymer layer (B) by means of electrolytic polymerization. - 特許庁

金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、１０Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。例文帳に追加

A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of ≤10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material. - 特許庁

本発明の非等方性粒子配列体１００の製造方法は、弾性導電体１１０または弾性熱伝導体１１０の単一層を準備する段階と、弾性導電体１１０または弾性熱伝導体１１０の上部および下部が露出されるように弾性導電体１１０または弾性熱伝導体１１０の単一層同士の間を弾性高分子で充填して弾性高分子層１２０を形成する段階とを含んでなる。例文帳に追加

The manufacturing method of the anisotropy particle arrangement 100 includes a step for preparing a single layer of the elastic electrical conductor 110 or the elastic heat conductor 110, and a step for forming the elastic polymer layer 120 by filling elastic polymer between single layers of the elastic electrical conductor 110 or the elastic heat conductor 110 so as the upper part and the lower part of the elastic conductor 110 or the elastic heat conductor 110 to be exposed. - 特許庁

基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法に関し、この方法は、基板１を準備する工程と、基板上に少なくとも１つの半導体材料の単分子層２を含むテンプレートをエピタキシャル成長する工程と、テンプレート上に半導体材料のアモルファス層３を堆積する工程と、熱処理またはレーザアニールを行い、半導体材料のアモルファス層を、半導体材料の単結晶層に完全に変える工程とを含む。例文帳に追加

A method for forming a layer of a monocrystalline semiconductor material on a substrate, comprises: providing the substrate 1; growing epitaxially a template comprising at least one monomolecular layer 2 of a semiconductor material on the substrate 1; depositing an amorphous layer 3 of the semiconductor material on the template; and performing a thermal treatment or a laser anneal thereby completely converting the amorphous layer of the semiconductor material into a monocrystalline layer of the semiconductor material. - 特許庁