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溶液成長の英語
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英訳・英語 crystal growth from solution; solution growth
「溶液成長」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 240件
溶液結晶成長における結晶化条件をスクリーニングする方法例文帳に追加
SCREENING METHOD FOR CRYSTALLIZATION CONDITIONS IN GROWTH OF CRYSTAL IN SOLUTION - 特許庁
オキシカルコゲナイド系薄膜の成長に溶液気化ＣＶＤ法を用いる。例文帳に追加
Solution vaporization CVD is employed for growing an oxy-chalcogenide based thin film. - 特許庁
農業・園芸用成長促進に用いるコロイド水溶液例文帳に追加
COLLOIDAL AQUEOUS SOLUTION USABLE FOR AGRICULTURAL AND HORTICULTURAL GROWTH PROMOTION - 特許庁
溶液成長法により一回の工程で均一厚の化合物半導体単結晶を複数成長可能な結晶成長技術を提供する。例文帳に追加
To provide a crystal growing method in which a plurality of compound semiconductors having uniform thickness can be grown in a single process by a liquid growing method. - 特許庁
公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a silicon carbide single crystal in which the growth rate of the silicon carbide single crystal is high in comparison with that in a known solution growth method. - 特許庁
銀塩溶液とハロゲン化物溶液とに均一な化学反応をさせて均一なハロゲン化銀の核形成と成長を図る。例文帳に追加
To bring a silver salt solution and a halide solution into a uniform chemical reaction and to achieve uniform nucleation and growth of silver halide. - 特許庁
溶液法によるＳｉＣ単結晶を成長する際の種結晶の破壊・剥離を防止して高い成長速度を達成し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for composite bonding of a seed crystal for growing a SiC single crystal by a solution growth technique, whereby high growth speed can be achieved by preventing breaking and separation of the seed crystal when growing the SiC single crystal by the solution growth technique. - 特許庁
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「溶液成長」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 240件
ＳｉＣ単結晶の接着方法及びＳｉＣ単結晶の溶液成長法例文帳に追加
METHOD FOR ADHERING SiC SINGLE CRYSTAL AND SOLUTION GROWTH METHOD OF SiC SINGLE CRYSTAL - 特許庁
化学気相成長法によるＰＺＴ成膜用の原料溶液およびＰＺＴ膜の形成方法例文帳に追加
RAW MATERIAL SOLUTION FOR PZT FILM FORMATION BY CHEMICAL VAPOR GROWTH METHOD AND METHOD FOR FORMING PZT FILM - 特許庁
溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法例文帳に追加
METHOD FOR COMPOSITE BONDING OF SEED CRYSTAL FOR GROWING SiC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH TECHNIQUE - 特許庁
化学気相成長法による銅配線薄膜の製造方法およびその原料溶液例文帳に追加
METHOD FOR PRODUCING COPPER WIRING THIN FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS, AND RAW MATERIAL SOLUTION USED IN THE SAME - 特許庁
溶液法によって大口径のＳｉＣ単結晶を連続的に成長させる方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for continuously growing an SiC single crystal having a large diameter by a solution method. - 特許庁
結晶成長速度を向上させた溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing an SiC single crystal improved in crystal growth rate by a solution process. - 特許庁
溶液気化の化学気相成長法に用いるための高純度の（ノルマルブトキシ）トリス（ジピバロイルメタナト）ジルコニウムの原料溶液を容易に製造する方法および該溶液を用いたＰＺＴ膜の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for easily producing a raw material solution of high purity (n-butoxy)tris(pivaloylmethanato)zirconium for using in the vaporized solution source of chemical vapor deposition method, and a PZT film-forming method using the solution. - 特許庁
溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液は交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。例文帳に追加
After the solutions are vaporized, a vapor phase precursor solution and a reaction solution are alternately pulsedly-supported into a deposition chamber to grow an ALD film of a predetermined thickness. - 特許庁
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