炭化ほう素抵抗の英語

純度を低下させることなく化学気相成長法により形成された炭化珪素を、炭化珪素層の抵抗を低くして炭化珪素層を導電化させることができる炭化珪素導電化方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for imparting electric conductivity to silicon carbide where a silicon carbide layer can be imparted with electric conductivity by lowering the resistance of the silicon carbide layer consisting of silicon carbide formed by a chemical vapor deposition method without lowering purity. - 特許庁

順方向抵抗の経時的な上昇を抑制するとともに、順方向抵抗や素子のＯＮ抵抗の初期値の上昇を抑制可能な炭化珪素半導体装置を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide semiconductor device capable of preventing a rise in the initial value of a forward resistance or the ON-resistance of an element as well as suppressing a rise in the forward resistance with time. - 特許庁

炭化珪素半導体基板と電極膜との間のコンタクト抵抗が低く、炭化珪素半導体基板から電極膜が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device with low contact resistance between a silicon carbide semiconductor substrate and an electrode film in which an electrode film hardly peels from the silicon carbide semiconductor substrate. - 特許庁

低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact, with which a silicon carbide sintered compact having excellent resistance characteristics in a wide temperature range extending from low temperature to high temperature can be produced, and to provide the silicon carbide sintered compact. - 特許庁

低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact, with which silicon carbide having excellent resistance characteristics in a wide temperature range extending from low temperature to high temperature can be produced, and to provide the silicon carbide sintered compact. - 特許庁

低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact, with which a silicon carbide sintered compact having excellent resistance characteristics in a wide temperature range extending from low temperature to high temperature can be produced, and to provide the silicon carbide sintered compact. - 特許庁

基体上に化学的気相成長法によって炭化珪素膜を成膜するのに際して、炭化珪素膜の成膜速度を制御することによって炭化珪素膜の体積抵抗率を制御する。例文帳に追加

In deposition of a silicon carbide film on a substrate by a CVD method, the deposition rate is controlled to control volume resistivity of the silicon carbide film. - 特許庁

好ましくは、炭化珪素体の室温での電気抵抗率が１０００００Ω・ｃｍ以上であり、炭化珪素結晶の平均粒径が５μｍ以下であり、炭化珪素体が化学的気相成長法によって成膜されている。例文帳に追加

Preferably, the silicon carbide body has ≥100,000 Ω.cm electric resistivity at room temperature, and ≤5 μm average particle diameter of silicon carbide crystals, and is formed into a film by a chemical vapor growth method. - 特許庁