「炭化ほう素抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

オン抵抗値を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide that can reduce an on-state resistance value. - 特許庁

高抵抗率で高品質の大口径炭化珪素単結晶インゴットの製造方法、その方法に用いる炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料、その方法より製造される炭化珪素単結晶を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a large caliber and high quality silicon carbide single crystal ingot, raw material of silicon carbide crystal to be used for growing silicon carbide single crystal, and a silicon carbide single crystal to be manufactured by the method. - 特許庁

純度を低下させることなく化学気相成長法により形成された炭化珪素を、炭化珪素層の抵抗を低くして炭化珪素層を導電化させることができる炭化珪素導電化方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for imparting electric conductivity to silicon carbide where a silicon carbide layer can be imparted with electric conductivity by lowering the resistance of the silicon carbide layer consisting of silicon carbide formed by a chemical vapor deposition method without lowering purity. - 特許庁

順方向抵抗の経時的な上昇を抑制するとともに、順方向抵抗や素子のＯＮ抵抗の初期値の上昇を抑制可能な炭化珪素半導体装置を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide semiconductor device capable of preventing a rise in the initial value of a forward resistance or the ON-resistance of an element as well as suppressing a rise in the forward resistance with time. - 特許庁

炭化珪素半導体基板と電極膜との間のコンタクト抵抗が低く、炭化珪素半導体基板から電極膜が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device with low contact resistance between a silicon carbide semiconductor substrate and an electrode film in which an electrode film hardly peels from the silicon carbide semiconductor substrate. - 特許庁

低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact, with which a silicon carbide sintered compact having excellent resistance characteristics in a wide temperature range extending from low temperature to high temperature can be produced, and to provide the silicon carbide sintered compact. - 特許庁

低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact, with which silicon carbide having excellent resistance characteristics in a wide temperature range extending from low temperature to high temperature can be produced, and to provide the silicon carbide sintered compact. - 特許庁

低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a silicon carbide sintered compact, with which a silicon carbide sintered compact having excellent resistance characteristics in a wide temperature range extending from low temperature to high temperature can be produced, and to provide the silicon carbide sintered compact. - 特許庁

基体上に化学的気相成長法によって炭化珪素膜を成膜するのに際して、炭化珪素膜の成膜速度を制御することによって炭化珪素膜の体積抵抗率を制御する。例文帳に追加

In deposition of a silicon carbide film on a substrate by a CVD method, the deposition rate is controlled to control volume resistivity of the silicon carbide film. - 特許庁

好ましくは、炭化珪素体の室温での電気抵抗率が１０００００Ω・ｃｍ以上であり、炭化珪素結晶の平均粒径が５μｍ以下であり、炭化珪素体が化学的気相成長法によって成膜されている。例文帳に追加

Preferably, the silicon carbide body has ≥100,000 Ω.cm electric resistivity at room temperature, and ≤5 μm average particle diameter of silicon carbide crystals, and is formed into a film by a chemical vapor growth method. - 特許庁

内部に含まれる窒素濃度が低く抵抗率が高い炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method of a silicon carbide single crystal having low nitrogen concentration included in the crystal and having high resistivity. - 特許庁

緻密で耐久性に優れ、また比抵抗の調整を容易に行うことのできる反応焼結法による炭化珪素発熱体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reaction sintering method for producing a compact silicon carbide heating element excellent in durability, in which resistivity is easily adjusted. - 特許庁

コンタクト抵抗を低減しつつ、イオン注入したｐ^+層の消失を低減できる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device capable of reducing elimination of ion-implanted p^+ layers while reducing contact resistance. - 特許庁

炭化珪素焼結体、その製造方法、それを用いたマイクロ波吸収体及びそれを用いた電力用抵抗体例文帳に追加

SILICON CARBIDE SINTERED PRODUCT, ITS PRODUCTION, MICROWAVE ABSORBER USING THE SAME AND RESISTOR USING THE SAME - 特許庁

高密度、高純度で、且つ高い体積抵抗率（低い導電性）を有する炭化ケイ素焼結体、及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide sintered body having a high density, a high purity and a high volume resistivity (low electroconductivity), and further to provide a method for producing the sintered body. - 特許庁

オン抵抗の増大を抑えつつ、微細化可能な炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide field effect transistor and its manufacturing method which enables the microfabrication while reducing the increase of on-state resistance. - 特許庁

オン抵抗を低減することができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device that allows reduction in on-resistance and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

本発明は、体積抵抗率が全面積部分に亘って均一な炭化珪素単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal substrate having uniform volume electric resistivity in the range of the whole area part. - 特許庁

抵抗の温度依存性が低く高純度な炭化ケイ素焼結体シート及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high purity silicon carbide sintered compact sheet low in temperature dependency of resistance, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

抵抗の温度依存性が小さいヒータ用部品としての炭化ケイ素焼結体及びそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide sintered compact as a component for a heater small in the temperature dependency of the resistance and a method of manufacturing the same. - 特許庁

簡易な工程で、比抵抗値を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質多孔体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a conductive silicon carbide porous body which can easily adjust a specific resistance value in a wide range by a simple process. - 特許庁

体積抵抗のバラツキが少なく、安定した導電性を有する炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide sintered compact which ensures less variation in volume resistance and has stable electric conductivity and a method for producing the same. - 特許庁

トレンチゲート構造の炭化珪素半導体装置において、低オン抵抗である半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device with a trench gate structure, which has low on-resistance, and to provide a manufacturing method of the device. - 特許庁

ＣＶＤ法により作製した炭化ケイ素体であって、窒素元素の含有量が０．１〜１００ｐｐｍであり、かつケイ素以外の金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であり、比抵抗が０．０１〜１０Ω・ｃｍである炭化ケイ素体。例文帳に追加

This silicon carbide body is a silicon carbide body produced by a CVD method, has 0.1-100 ppm content of nitrogen element, ≥10 ppm content of metal element except silicon and 0.01-10 Ω.cm resistivity. - 特許庁

常圧焼結法により、窒素含有量が０．４ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下であり、前記窒素の一部が炭化ケイ素結晶に固溶しており、残部が炭化ケイ素結晶粒界に窒化ホウ素結晶として存在し、かつ、比抵抗が０．１ＧΩ・ｃｍ以上である高比抵抗の炭化ケイ素焼結体を得る。例文帳に追加

The high specific resistance silicon carbide sintered compact in which the content of nitrogen is 0.4 to 0.5 wt%, a part of the nitrogen is allowed to enter into solid solution in silicon carbide crystals, the balance is present on the grain boundaries of the silicon carbide crystals as boron nitride crystals, and specific resistance is ≥0.1 GΩ cm is obtained by an atmospheric pressure sintering process. - 特許庁

ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a readily sinterable silicon carbide powder which has a substantially stoichiometric composition and which provides a fine sintered body, a silicon carbide ceramic sintered body having low resistivity, and a method for producing the same. - 特許庁

抵抗値が低く、炭化珪素発熱体の電力損出を少なくすることができて、省エネルギーを可能とし、製造コストの面でも有利な炭化珪素発熱体端部の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide heating element end part low in a resistance value, suppressing power loss of a silicon carbide heating element and saving energy and advantageous in the manufacturing cost. - 特許庁

オン抵抗の低減を図ることが可能な炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide substrate which can reduce on-resistance, and to provide a substrate with an epitaxial layer, a semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide substrate. - 特許庁

炭化珪素領域と酸化膜との界面のチャネル移動度を向上させ、低オン抵抗な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device that is low in on-resistance by enhancing the channel mobility of an interface between a silicon carbide region and an oxide film, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

炭化珪素半導体装置のチャネルにおけるキャリアの移動度を向上することにより、低オン抵抗などの特性に優れた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon-carbide semiconductor device which excels in such a property as its low ON-resistance, by improving the carrier mobility in its channel. - 特許庁

炭化ケイ素にホウ素源と窒素源が添加された炭化ケイ素焼結体であって、窒素含有量が６５０重量ｐｐｍ以上８０００重量ｐｐｍ以下、比抵抗が１０^7Ω・ｃｍ以上、密度が３．０ｇ／ｃｍ^3以上であることを特徴とする高比抵抗炭化ケイ素焼結体を用いる。例文帳に追加

The high-resistivity silicon carbide sintered compact used is a silicon carbide sintered compact prepared by adding a boron source and a nitrogen source to silicon carbide and has a nitrogen content of 650 to 8,000 wt. ppm, a resistivity of at least 10^7 Ω cm, and a density of at least 3.0 g/cm^3. - 特許庁

化学的気相成長法によって得られる高純度であって、かつ緻密質の炭化珪素体において、炭化珪素膜の体積抵抗率を、広い範囲で容易に制御する。例文帳に追加

To easily control, over a wide range, volume resistivity of a silicon carbide film composed of a highly pure and dense silicon carbide obtained by a chemical vapor deposition(CVD) method. - 特許庁

炭化ケイ素を主体としかつ安定して低い体積抵抗率を示す炭化ケイ素系導電性焼結体を提供すること、およびそのような炭化ケイ素系導電性焼結体を製造する工業的方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a silicon carbide-based electroconductive sintered compact which contains silicon carbide as a main component and exhibits a low volume resistivity stably, and an industrial method for manufacturing the same. - 特許庁

窒化珪素結合炭化珪素／窒化珪素焼結体からなり、電力制御用のインバーター保護用や核融合炉の超伝導コイル保護用などの抵抗器として、高電圧で電力負荷容量の大きな回路に使用されるセラミック抵抗体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce a ceramic resistor comprising a silicon nitride-bound silicon carbide/ silicon nitride sintered compact and used as a resistor for protection of an inverter for controlling an electric power, the protection, etc., of a superconductive coil for a nuclear fusion reactor in a circuit having a great electric power load capacity under a high voltage and to provide a method for producing the ceramic resistor. - 特許庁

窒化珪素結合炭化珪素／窒化珪素焼結体からなり、電力制御用のインバーター保護用や核融合炉の超伝導コイル保護用などの抵抗器として、高電圧で電力負荷容量の大きな回路に使用されるセラミック抵抗体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a ceramic resistor comprising a silicon nitride-bonded silicon carbide/silicon nitride sintered compact, useful in a high-voltage circuit having a high power electric load capacity as a resistor for inverter protection of power control, superconducting coil protection of nuclear fusion reactor, etc., and to provide a method for producing the same. - 特許庁

下記一般式（１）： Ａ−Ｂ （１） （式中、Ａは、脂肪族炭化水素基、又は脂肪族炭化水素基を側鎖に有する芳香族炭化水素基もしくは脂環式炭化水素基を示す。Ｂは、親水性基を示す。）で表される陰イオン界面活性剤を含む水溶液を熱媒体として用いることを特徴とする流動摩擦抵抗の低い熱搬送方法。例文帳に追加

This method for heat transfer, having low flow friction resistance is characterized in that an aqueous solution containing an anionic surfactant represented by general formula (1) A-B (A is an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group or alicyclic hydrocarbon group containing an aliphatic hydrocarbon group in the side chain; B is a hydrophilic group) as the heat transfer medium. - 特許庁

また、本発明のセラミックヒータの製造方法は、発熱抵抗体が、含有する酸素量が０．９質量％以下であり、焼成後、窒化珪素となる窒化珪素粉末と、焼成後、炭化タングステンとなる炭化タングステン粉末とを、該窒化珪素粉末と該炭化タングステン粉末との合計を１００質量％とした場合に、炭化タングステン粉末が５８〜７３質量％含有するように混合し、その後、焼成する。例文帳に追加

Furthermore, in the manufacturing method of the ceramic heater, when the total of silicon nitride powders which become silicon nitride after calcination and tungsten carbide powders become tungsten carbide after calcination is made to be 100 wt.%, oxygen amount contained in the heating resistor is 0.9 wt.% or less, and tungsten carbide powders are mixed so as to contain 58 to 73 wt.% and calcined afterwards. - 特許庁

電極膜と配線導体素片との間のコンタクト抵抗が低く、電極膜から配線導体素片が剥離しにくい炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device which is low in a contact resistance between an electrode film and a wiring conductor element piece, and in which the wiring conductor element piece is hardly peeled off from the electrode film, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

チャネル層を形成するための炭化珪素層のエッチングが、オーバエッチング又はアンダーエッチングのいずれの場合であっても、ソース電極とウェル領域間の電気抵抗の増大が無い、安定した低抵抗のコンタクト領域を得ることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which is free from an increase in electric resistance between a source electrode and a well region and can obtain a stable low-resistance contact region if a silicon carbide layer for forming a channel layer is either over-etched or under-etched. - 特許庁

イオン注入法によりゲート層が形成された炭化珪素半導体装置と比較して、ゲートの入力抵抗が低く、かつ、ゲート、ドレイン間の耐圧が高いＪＦＥＴを備える炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device which has the lower input resistance of a gate in comparison with a silicon carbide semiconductor device in which a gate layer is formed with an ion implantation method, and also has a JFET having higher voltage resistance between the gate and a drain, and to provide a manufacturing method of the same silicon carbide semiconductor device. - 特許庁

チャネル形成領域でのキャリアの移動度が大きく、低オン抵抗で素子特性に優れた炭化珪素半導体装置及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device exhibiting high carrier mobility in a channel forming region, having a low on resistance and excellent in element characteristics. - 特許庁

ｐ型コンタクト抵抗を低減でき、素子のスイッチングスピードを下げないようにすることができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon-carbide semiconductor device capable of reducing p-type contact resistance and capable of preventing the decrease of the switching speed of an element, and a manufacturing method for the silicon-carbide semiconductor device. - 特許庁

チャネル形成領域でのキャリアの移動度が大きく、低オン抵抗で素子特性に優れた炭化珪素半導体装置及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device wherein the mobility of a carrier in a channel formation area is large, on-state resistance is low, and element characteristics are excellent; and to provide its manufacturing method. - 特許庁

不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部のエッチングを抑制し、ソース・ベース共通電極とベースコンタクト部とが、抵抗率の低いオーミックコンタクトとなる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for fabricating a silicon carbide semiconductor device in which the problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer, etching of a base contact portion is suppressed in activated annealing, or the like, and low resistivity ohmic contact is established between the source-base common electrode and the base contact portion. - 特許庁

シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device and its manufacturing method that can reduce the interface state at an interface between an oxide insulating film, whose major ingredient is a silicon dioxide film, and a silicon carbide semiconductor substrate so as to improve channel mobility, thereby decreasing on-resistance. - 特許庁