「炭化ほう素抵抗」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

簡易な工程で、フィルタに適した大きさの気孔を形成できると共に、比抵抗値を広い範囲内の任意の値に、容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質多孔体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an electroconductive silicon carbide porous body on which pores of the size suitable for a filter can be formed by a simple process and the specific resistance value of which can be adjusted easily to an optional value within a wide range. - 特許庁

オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is subjected to an anneal treatment for forming an ohmic contact reducing an ohmic contact resistance, and has an insulating film on a silicon carbide (000-1) surface, and to provide the semiconductor device. - 特許庁

簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a conductive silicon carbide honeycomb structure capable of adjusting an electric resistance easily in a wide range by a simple process. - 特許庁

しきい値電圧の増大ならびにパンチスルーを防止し、かつチャネル抵抗の低下を達成し得る炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device which is prevented from increasing its threshold voltage protected against a punch-through phenomenon, and capable of reducing a channel resistance, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である低抵抗ｎ型不純物層を形成するための工業的な方法を提案すること。例文帳に追加

To present an industrial method for forming a low-resistance n-type impurity layer that is indispensable in the formation of an electronic device, for a semiconductor silicon carbide substrate with a buried insulating layer. - 特許庁

炭化珪素表面のカーボンコンタミを除去して低コンタクト抵抗のオーミック電極や良質な絶縁膜／半導体層の界面が形成できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a carbon contamination on the surface of silicon carbide is removed, in which an ohmic electrode of a low contact resistance can be formed and in which the good-quality interface between an insulating film and a semiconductor layer can be formed. - 特許庁

実質的に基板使用面のほぼ全面で、体積電気抵抗率がほぼ均一な炭化珪素単結晶基板、及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal substrate which has substantially an almost uniform volume electric resistivity on an almost whole surface of the used surface of the substrate, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

熱処理装置のメンテナンス頻度を低減できると共に、電極表面荒れを防止しつつオーミックコンタクトの低抵抗化を図る炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device, capable of reducing maintenance frequency of thermal treatment equipment and obtaining low resistance of an ohmic contact while preventing the roughness of an electrode surface. - 特許庁

低表面エネルギーを有する材料へのぬれ性並びに水型及び炭化水素型の両方の液体の透過に対し、抵抗体が向上した表面処理の提供。例文帳に追加

To provide a surface treating method in which resistance to the wettability to a material having a low surface energy and the penetration of both water-type and hydrocarbon-type liquids are improved. - 特許庁

少量の硫黄を含む留分中の不飽和炭化水素の水素化方法において特に使用可能な触媒であって、硫黄化合物を含む仕込原料中における芳香族化合物の水素化を行なうことが可能であり、しかも充分なチオ抵抗性特性を有していて、触媒寿命が大きい触媒を提供する。例文帳に追加

To effectively hydrogenate aromatic compds. in a feed source material containing sulfur compds. by incorporating two noble metals in the group VII, namely platinum and palladium, and one halogen selected from fluorine and chlorine on a carrier essentially containing alumina. - 特許庁

逆方向バイアスにおける耐圧性能を確保し、かつ順方向バイアスにおけるショットキー障壁を低くした上で、結晶性に優れてオン抵抗が低く、かつ耐熱性を十分に確保した炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon carbide semiconductor device excellent in crystallinity and having a low ON resistance and sufficient heat resistance while ensuring breakdown voltage performance in reverse bias and lowering Schottky barrier in forward bias, and to provide its fabrication process. - 特許庁

炭素数１０〜１２の飽和炭化水素化合物およびグリコールエーテル類から選ばれる２種以上の成分からなり、その体積抵抗率が１×１０^８Ωｃｍ以上、１×１０^１３Ωｃｍ以下である帯電防止性に優れた炭化水素系洗浄剤を用いて、５０〜１３０℃の温度範囲、２００ｍｍＨｇ以下の洗浄槽圧力下で被洗浄物を洗浄する。例文帳に追加

The object to be cleaned is cleaned at 50-130°C by using the hydrocarbon-based cleaning agent, which is composed of two or more components selected from 10-12C hydrocarbons and glycol ethers and has the volume resistivity of 1×10^8 to 1×10^13 Ω-cm and an excellent antistatic property, and keeping the pressure in a cleaning tank below 200 mmHg. - 特許庁

緻密でより優れた耐食性と発熱体に適した比抵抗をそなえ、フロートガラス製造における加熱用ヒータとして好適に使用し得る高強度炭化珪素発熱体および該炭化珪素発熱体からなるフロートガラス製造用ヒータならびに該ヒータを使用するフロートガラスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To offer a heater for a float glass manufacture which consists of a high strength silicon carbide heating element and the silicon carbide heating element for a heater for heating in float glass manufacture, and has a dense and more excellent corrosion resistance characteristic and a specific resistance suitable for the heating element, and the manufacture method for the float glass which uses this heater. - 特許庁

炭化珪素からなる半導体基板上に炭化珪素または窒化ガリウムの半導体エピタキシャル成長層を半導体層として備える半導体装置であって、小さなオン抵抗を実現するため前記半導体基板の厚さを薄くしても、半導体基板の強度を維持し、ウエハプロセスにおけるウエハ割れを少なくできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having the semiconductor epitaxial growth layer of silicon carbide or nitride gallium as a semiconductor layer on a semiconductor substrate composed of the silicon carbide, capable of maintaining the strength of the semiconductor substrate even when the thickness of the semiconductor substrate is reduced in order to realize small on-state resistance and reducing wafer breaking in a wafer process, and its manufacturing method. - 特許庁

比表面積の大きいカーボン表面に電極活物質材料を一様に薄くコーティングした電気抵抗が小さく、表面コーティング層の電気化学反応（擬似容量）の速い金属酸化物、金属窒化物又は金属炭化物コート炭素微粉末及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal oxide-, metal nitride- or metal carbide-coated carbon fine powder which is formed by uniformly and thinly applying an electrode active material on the surface of carbon having a large specific surface area and has low electric resistance and the high rate of electrochemical reaction (pseudo capacity) on the surface coating layer. - 特許庁

素子電極２，３間に、電子放出部５を含む導電性膜４を有する電子放出素子の製造に際し、導電性膜４に高抵抗部からなる電子放出部５を形成した後、オレフィン系炭化水素と窒素から構成される混合気体中で、基板１を加熱しながら素子電極２，３間に電圧を印加して活性化処理を施す。例文帳に追加

When an electron emission element having conductive films 4 containing electron emission parts 5 between element electrodes 2, 3 is manufactured, the electron emission part 5 made of a high resistance part is formed in the conductive film 4, and a substrate 1 is heated in a mixed gas of olefinic hydrocarbon and nitrogen, and at the same time, voltage is applied to the element electrodes 2, 3 as activation treatment. - 特許庁