直接遷移形半導体の英語

ＳｉＧｅＣ混晶よりなる直接遷移型の活性層を有する光半導体装置を、安価に形成する。例文帳に追加

To form an optical semiconductor device including a direct transition type active layer consisting of a mixed crystal of SiGeC. - 特許庁

ここで、ゲート絶縁膜３は、内部に発光物質、具体的にはＳｉ，ＳｉＧｅ，Ｇｅなどの半導体ナノクリスタル、直接遷移型の半導体の多結晶や微結晶、Ｅｒ，Ｅｕなどの希土類元素、ＺｎＳ：Ｍｎなどの蛍光物質が添加されて形成されている。例文帳に追加

A gate insulation film 3 is formed by adding a light emitting substance, e.g. a semiconductor nanocrystal of Si, SiGe or Ge, polycrystal or microcrystal of a direct transition semiconductor, a rare earth element of Er or Eu, or a fluorescent substance of ZnS:Mn, or the like. - 特許庁

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。例文帳に追加

In the semiconductor device which comprises a wafer, a semiconductor layer formed on the wafer and an electrode layer comprising wiring or an electrode, the semiconductor device includes a portion wherein the semiconductor layer and the electrode layer are directly bonded, and the electrode layer is formed from the aluminum alloy thin film containing transition metals such as nickel, cobalt, iron and the like. - 特許庁

本超高速光スイッチ１は、離散的エネルギー準位を形成し得る所定膜厚ｄの直接遷移型半導体素子２と、半導体素子２に信号光４ａおよび制御光５ａを照射する手段（４，５）と、半導体素子２から出射される所定の高次励起子エネルギー準位の応答のみを取り出す波長フィルタ３とを備える。例文帳に追加

An ultrafast optical switch 1 includes: a direct-transition type semiconductor device 2 with a predetermined film thickness d, capable of forming a discrete energy level; means (4 and 5) applying signal light 4a and control light 5a to the semiconductor device 2; and a wavelength filter 3 extracting only a response of a predetermined high-order exciton energy level emitted from the semiconductor device 2. - 特許庁

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11. - 特許庁