直接遷移半導体の英語

前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。例文帳に追加

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate. - 特許庁

本超高速光スイッチ１は、離散的エネルギー準位を形成し得る所定膜厚ｄの直接遷移型半導体素子２と、半導体素子２に信号光４ａおよび制御光５ａを照射する手段（４，５）と、半導体素子２から出射される所定の高次励起子エネルギー準位の応答のみを取り出す波長フィルタ３とを備える。例文帳に追加

An ultrafast optical switch 1 includes: a direct-transition type semiconductor device 2 with a predetermined film thickness d, capable of forming a discrete energy level; means (4 and 5) applying signal light 4a and control light 5a to the semiconductor device 2; and a wavelength filter 3 extracting only a response of a predetermined high-order exciton energy level emitted from the semiconductor device 2. - 特許庁

基板と、該基板上に形成された半導体層と、配線又は電極を構成する電極層とを備えた半導体素子において、半導体層と電極層とが直接接合される部分を有しており、該電極層は、ニッケル、コバルト、鉄などの遷移金属を含有したアルミニウム合金薄膜で形成されているものとした。例文帳に追加

In the semiconductor device which comprises a wafer, a semiconductor layer formed on the wafer and an electrode layer comprising wiring or an electrode, the semiconductor device includes a portion wherein the semiconductor layer and the electrode layer are directly bonded, and the electrode layer is formed from the aluminum alloy thin film containing transition metals such as nickel, cobalt, iron and the like. - 特許庁

酸化亜鉛は直接遷移型半導体であるため，理論値に近い紫外線遮蔽波長を得ることが期待できるが，室温においても励起子による再結合発光が生じるため，サンスクリーン材への応用は制限されている。例文帳に追加

To solve the following problem: although an ultraviolet-shielding wavelength close to a theoretical value is expected to be obtained because zinc oxide is a direct transition semiconductor, the application of zinc oxide to a sunscreen material is limited because recombination luminescence due to exciton occurs even at room temperature. - 特許庁

１０ｐｐｂ以上０.１モル％以下の遷移金属を含有する窒化アルミニウム単結晶基板１１と、その単結晶基板１１上に直接形成された窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化インジウム及びこれらの物質からなる混晶の中から選ばれた少なくとも１種のIII−Ｖ族窒化物の単結晶膜１２、１４、１５とを備える半導体素子である。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with: an aluminum nitride single crystal substrate 11 containing a transition metal of 10 ppb or more and 0.1 mol% or less; and at least one type of groups III-V nitride single crystal films 12, 14, 15 chosen from gallium nitride, aluminum nitride, boron nitride, indium nitride, and a mixed crystal composed of these nitrides, and formed directly on the substrate 11. - 特許庁