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磁気抵抗比の英語
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「磁気抵抗比」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 223件
高電気比抵抗磁気抵抗膜例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE FILM WITH HIGH ELECTRICAL RESISTIVITY - 特許庁
磁気抵抗比の温度係数が小さい磁気抵抗膜例文帳に追加
MAGNETO RESISTIVE FILM WITH SMALLER TEMPERATURE COEFFICIENT OF MAGNETO RESISTIVE RATIO - 特許庁
磁気抵抗素子TR103およびTR104は、磁気抵抗素子の抵抗変化を検出するための比較基準用の一定抵抗である。例文帳に追加
The magnetoresistive elements TR103 and TR104 are fixed resistors for reference for comparison for detecting resistance variation of magnetoresistive elements. - 特許庁
磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッド例文帳に追加
FERROMAGNETIC TUNNEL TYPE MAGNETO-RESISTANCE EFFECT HEAD HAVING SMALL BIAS DEPENDENCY OF MAGNETIC RESISTANCE RATIO - 特許庁
トンネル磁気抵抗(TMR)素子におけるMR比の向上、抵抗のバラツキの抑制を図る。例文帳に追加
To provide a magnetoresistance element capable of improving an MR ratio in a tunnel magnetoresistive (TMR) element and decreasing variation in resistance. - 特許庁
素子抵抗が低く、MR比の高いトンネル磁気抵抗効果素子(TMR素子)を提供すること。例文帳に追加
To provide a tunneling magneto-resistance effect element (TMR element) which has a low element resistance and a high MR ratio. - 特許庁
従来のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子よりも高磁気抵抗効果比および低抵抗のボトムスピンバルブ磁気抵抗効果センサ素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a bottom spin valve magnetoresistive effect sensor element having a higher magnetoresistive effect ratio and lower resistance as compared with a conventional one, and its manufacturing method. - 特許庁
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「磁気抵抗比」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 223件
磁気抵抗素子RrefのMR比は、メモリセル内の磁気抵抗素子のMR比の半分に設定されている。例文帳に追加
The MR ratio of the magneto-resistance element Ref is set to be half of the MR ratio of the magnet-resistance element in the memory cell. - 特許庁
熱安定性にすぐれ、MR比の高い磁気抵抗素子を提供すること。例文帳に追加
To provide a magnetoresistive element having excellent thermal stability and a high MR ratio. - 特許庁
MR比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加
To provide a top pin type tunnel magneto-resistance element with a high MR ratio. - 特許庁
テスターは、ROMに記憶された抵抗値を基準値として、測定した磁気抵抗効果素子の抵抗値と比較する。例文帳に追加
The tester compares the resistance of the measured magnetoresistive element with the resistance stored in the ROM using it as the standard. - 特許庁
磁気素子はバイアス電圧の増加に対して正の傾きをもって増加する磁気抵抗比を有する。例文帳に追加
The magnetic element increases positively in magnetoresistivity with an increase in an bias voltage. - 特許庁
トンネリング磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ、高MR比の素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To stably realize a high magneto-resistance effect and to provide a method for manufacturing an element of high MR ratio in a tunneling magneto-resistance effect element. - 特許庁
CPP型磁気抵抗効果ヘッドの再生出力を低下させることなくマグノイズを低減し、磁気抵抗効果ヘッドのSN比を向上させる。例文帳に追加
To enhance an SN ratio of a magneto-resistive head by reducing magnetic noise without reducing playback output of a CPP magneto-resistive head. - 特許庁
磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい且つ高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。例文帳に追加
To provide a ferromagnetic tunnel type magneto-resistance effect head having small bias dependency of the magnetic resistance ratio and also high output power. - 特許庁
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