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空乏層の英語
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英訳・英語 blocking layer; space charge layer; barrier layer; depletion layer
「空乏層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 525件
第1の層は、その下方に空乏層を画定する。例文帳に追加
The first layer demarcates, underneath thereof, a depletion layer. - 特許庁
空乏層は、n−InAsP窓層4内のみに発生する。例文帳に追加
A depletion layer is generated only in the N-InAsP window layer 4. - 特許庁
半導体素子の空乏層深さ評価方法及び装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING DEPTH OF DEPLETION LAYER OF SEMICONDUCTOR ELEMENT - 特許庁
半導体空乏層容量測定方法及びその装置例文帳に追加
MEASURING METHOD AND APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR DEPLETION LAYER CAPACITY - 特許庁
この空乏層は半導体基板表面まで広がる。例文帳に追加
This depletion layer spreads over the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁
第1の層と埋込層との間に空乏層が画定される。例文帳に追加
A depletion layer is defined between the first layer and the embedded layer. - 特許庁
これらの特性における変化により、空乏層全体が研磨されるまで合金層および空乏層を等しい速度で研磨することが可能となる。例文帳に追加
The change in these properties allows the alloy layer and barrier layer to be polished at an equivalent rate until the entire barrier layer has been polished. - 特許庁
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Weblio専門用語対訳辞書での「空乏層」の英訳 |
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「空乏層」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 525件
溝27の中に空乏層用絶縁膜34aを介して空乏層用導体層35、36、37を配置する。例文帳に追加
In each groove 27, depletion layer forming conductor layers 35, 36, and 37 are arranged through the intermediary of a depletion layer forming insulating film 34a. - 特許庁
実際と等しい深さに拡がる仮想状態での真の空乏層の容量を算出する空乏層容量算出手段を備える。例文帳に追加
A depletion layer capacitance calculation means is provided and calculates true depletion layer capacitance on the assumption that the depletion layer extends in a depth actually equal. - 特許庁
半導体の空乏層容量算出装置及びC−V特性測定装置例文帳に追加
DEPLETION LAYER CAPACITANCE CALCULATION APPARATUS AND C-V CHARACTERISTIC MEASURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR - 特許庁
トランジスタ、及びトランジスタにおける空乏層の制御方法例文帳に追加
TRANSISTOR AND CONTROL METHOD OF DEPLETION LAYER IN TRANSISTOR - 特許庁
また、ストライプの開口により空乏層を形成して高耐圧を得る。例文帳に追加
Moreover, high breakdown strength can be obtained by forming a depletion layer by the opening of a stripe. - 特許庁
N^-層5とPボディ領域9との間に形成される空乏層はN^-層5側に延びる。例文帳に追加
A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5. - 特許庁
Siデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。例文帳に追加
The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers. - 特許庁
第3の電極(3)に印加される電圧により光伝導層(1)の空乏層が制御可能である。例文帳に追加
The depletion layer of the photoconductive layer (1) can be controlled by the voltage applied to the third electrode (3). - 特許庁
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