縁応力の英語

ＭＥＭＳデバイスにおける薄膜応力を低減するための絶縁スキーム例文帳に追加

ISOLATION SCHEME FOR REDUCING FILM STRESS IN MEMS DEVICE - 特許庁

真空絶縁容器と電界緩和シールド間に形成される絶縁層の熱応力を緩和する。例文帳に追加

To moderate thermal stress of an insulating layer formed between a vacuum insulating container and an electric field moderating shield. - 特許庁

このため、個々の絶縁層で生じる応力（圧縮応力、引っ張り応力）が増大せず、深いトレンチに対しても十分に応力を低減することができる。例文帳に追加

Therefore, the stress (compressive stress, tensile stress) generated in each insulating layer does not increase, and the stresses can be sufficiently reduced even in the case of a deep trench. - 特許庁

圧縮応力を有する絶縁膜と引っ張り応力を有する絶縁膜とが互いに応力を相殺することがない半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device wherein an insulating film having compression stress and an insulating film having tensile stress do not offset the stress with each other. - 特許庁

この応力集中部２１には、その近傍に高圧プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁膜１７を設け、この絶縁膜１７により応力集中部２１に引張り応力を発生させる。例文帳に追加

An insulating film 17 formed by a high-pressure plasma CVD method is provided in the vicinity of the stress concentrating section 21 so as to generate the tensile stress in the section 21 by the film 17. - 特許庁

上層側絶縁膜７，８の平均応力平均応力σ<SB>up・av</SB>は、下層側絶縁膜２，３の平均応力σ<SB>down・av</SB>よりも圧縮側となっている。例文帳に追加

Average stress σ_up._av in the upper-layer side insulating films 7 and 8 is at the compression side as compared with average stress σ_down._av in the lower-layer side insulating films 2 and 3. - 特許庁

好ましくは、絶縁膜４の表面が、１．０ｎｍ以下の算術平均粗さ（Ｒａ）を有しており、また、絶縁膜４の応力が、圧縮応力で２５０ＭＰａ以下であり、引張応力で４００ＭＰａ以下に設定されている。例文帳に追加

Preferably, the surface of the insulating film 4 has the roughness arithmetic average (Ra) of 1.0nm or less, and the stress of the insulating film 4 is set to 250MPa or less on compressive stress and 400MPa on tensile stress. - 特許庁

すなわち，条件（１）が「応力緩和層４０の降伏応力＞絶縁基板２０の金属配線層２２の降伏応力」であり，条件（２）が「金属配線層２２の線膨張率＞絶縁材２３の線膨張率」である。例文帳に追加

Namely, a condition (1) is that "the yield stress of the stress relaxation layer 40 is larger than the yield stress of a metal wiring layer 22 of the insulating substrate 20", and a condition (2) is that "the linear expansion coefficient of the metal wiring layer 22 is larger than the linear expansion coefficient of an insulating material 23". - 特許庁