薄膜トランジスタの動作特性の英語

信頼性及びオフ電流特性に優れ、動作電圧の低電圧化等に有効なゲート絶縁膜の薄膜化を実現することができる薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタ基板、その製造方法、並びに、それを備える半導体装置及び液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor (TFT) substrate, excellent in reliability and off-state current property, with a TFT realizing a thin film for a gate insulating film that is effective in voltage reduction of operation voltage, etc., and its manufacturing method, a semiconductor device and a liquid crystal display having the same. - 特許庁

オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide: a thin-film transistor comprising a low-temperature polysilicon transistor having a low off-current, excellent potential-holding characteristics, low power usage, and a high operating speed; a method for manufacturing the thin-film transistor; and a liquid-crystal display device using the same. - 特許庁

有機発光表示装置及びその動作方法に関し、特に非晶質シリコン薄膜トランジスタの特性低下及び劣化を防止する有機発光表示装置及び動作方法を提供する。例文帳に追加

To provide: an organic light-emitting display device which can especially prevent degradation and deterioration of characteristics of amorphous silicon thin film transistors; and a method of operating the device. - 特許庁

雰囲気の変化に起因する不安定動作を起こさず、安定したＴＦＴ動作特性が得られる酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an oxide-semiconductor channel film transistor obtaining stable TFT performance characteristics without causing an unstable operation due to an atmospheric change. - 特許庁

製造時の複雑なプロセスを付加することなく、薄膜トランジスタのオフ電流の増加を極力抑え、かつオン電流を効果的に増大させることにより、スイッチング特性の改善された低電圧動作に有利で、微細化にも対応可能な薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thin-film transistor together with a method of its manufacturing, which is advantageous in a low-voltage operation of improved switching characteristic and is responsible to miniaturization by reducing the off-current of a thin-film transistor to the utmost, while on-current is effectively increased without adding complicated processes in the manufacturing. - 特許庁

ゲートドライバを構成するシフトレジスタ内の薄膜トランジスタの特性の変化に起因する誤動作の発生を抑止することのできる表示装置を実現する。例文帳に追加

To provide a display device capable of suppressing the occurrence of malfunction caused by a change in characteristics of a thin-film transistor in a shift register constituting a gate driver. - 特許庁

半導体薄膜の結晶の不均一性を緩和し、薄膜トランジスタの動作特性を向上させることが可能な半導体膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor film, which eases non-uniformity of crystal of the semiconductor thin film and improves operation characteristics of a thin film transistor. - 特許庁

チャネルエッジ部の薄膜トランジスタの特性におけるハンプに起因する回路動作の不良やリーク不良を抑制して、高品質の画像表示を可能とする。例文帳に追加

To provide a high quality image display by restricting failure and leakage failure of circuit operation resulting from hump in behavior of thin film transistor at a channel edge portion. - 特許庁