蝕刻の英語

強誘電体キャパシタ構造体の乾式蝕刻方法例文帳に追加

METHOD FOR DRY ETCHING FERROELECTRIC SUBSTANCE CAPACITOR STRUCTURAL BODY - 特許庁

タングステンの蝕刻抑制剤を含むポリシング組成物例文帳に追加

POLISHING COMPOSITION INCLUDING INHIBITOR OF TUNGSTEN ETCHING - 特許庁

二層型パターン形成方法及びパターン蝕刻方法例文帳に追加

DOUBLE LAYER PATTERNING METHOD AND PATTERN MILLING METHOD - 特許庁

半導体ウェーハの蝕刻状態計測方法例文帳に追加

METHOD OF MEASURING ETCHING CONDITION OF SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

第３段階は湿式蝕刻工程によりなされ、第４の段階はレーザービーム加工または反応性イオン蝕刻によりなされる。例文帳に追加

The third stage is performed by a wet etching process, and the fourth stage is performed by laser beam work or reactive ion etching. - 特許庁

残留するモールド用犠牲絶縁膜を酸化タンタル膜を蝕刻終了点として選択的に湿式蝕刻して除去する。例文帳に追加

The remaining molding sacrifice insulating film is wet-etched selectively, with the tantalum oxide film as an etch-end point, for removal. - 特許庁

その後、酸化膜208を除去してセコ蝕刻またはライト蝕刻を行うことによって、ナノ結晶212を形成する。例文帳に追加

Then, the oxide film 208 is removed and a secco etching or light etching is conducted, thus forming nanocrystals 212. - 特許庁

蝕刻マスクによって露出される基板の他面にアルカリ性溶液を導入し基板を蝕刻してメンブレイン層を露出する。例文帳に追加

Then, the alkalne solution is introduced to the other face of the substrate exposed by the etching mask, and the substrate is etched, and the membrane layer is exposed. - 特許庁