超構造格子素子の英語

ｐ型超格子構造とその作製方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子例文帳に追加

p-TYPE SUPERLATTICE STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING ELEMENT THEREOF - 特許庁

そして、ＳｉＧｅ超格子構造とＣＭＯＳ素子とを接続する電気接続配線を形成し、ＳｉＧｅ超格子構造と貼り合わせ基板との間に空洞を形成する。例文帳に追加

An electrical connection circuit is formed connecting the SiGe superlattice structure and the CMOS element and forms a cavity between the SiGe superlattice structure and the laminated substrate. - 特許庁

半導体レーザ素子のＧａＡｓ基板と下部クラッド層との間に、歪補償構造のＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ超格子層を挿入する。例文帳に追加

In this semiconductor laser element, an InGaAs/GaAsP superlattice layer of a distortion compensation structure is provided between a GaAs substrate and an underlying clad layer. - 特許庁

超格子構造２０を有する熱電変換素子１であって、超格子構造２０は、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層することにより形成され、第１の層１１および第２の層１２はいずれもアモルファスである熱電変換素子。例文帳に追加

The thermoelectric transducer 1 has a super-lattice structure 20 formed by alternately laminating first layers 11 containing Si and second layers 12 containing Ge and Au, and both the first and second layers 11, 12 are amorphous. - 特許庁

２つの電極１１，１２間に、障壁層２１と量子井戸層２２とが交互に繰り返して積層形成してなる超格子構造を有する真性半導体ｉ層１５を有する超格子半導体素子を備える。例文帳に追加

A super lattice semiconductor element having an intrinsic semiconductor (i) layer 15 having a super lattice structure in which barrier layers 21 and quantum well layers 22 are alternately and repeatedly laminated is provided between two electrodes 11 and 12. - 特許庁

表面劣化のない、ａｓ ｇｒｏｗｎで低抵抗な、ｐ型超格子構造とその製造方法の提供、並びに高性能のIII族窒化物半導体素子及び半導体発光素子の提供。例文帳に追加

To provide a p-type superlattice structure which has no surface deterioration and as-grown low resistance, and its manufacturing method, as well as a high-performance group III nitride semiconductor element and a semiconductor light emitting element. - 特許庁

超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a photocathode semiconductor device suitable for attaining desired super-high brightness performance by making an energy state of electron monochromatic and improving quantum efficiency with the use of a superlattice structure. - 特許庁

上記製造方法では、第１のシリコン基板に能動ＣＭＯＳ素子を形成するとともに、第２のＳＯＩ（Si-on-insulator）基板上にＳｉＧｅ超格子構造を形成する。例文帳に追加

In the production method, while forming an active CMOS element on a first silicon substrate, an SiGe superlattice structure is formed on a second SOI (Si-on-insulator) substrate. - 特許庁