超浅接合の英語

超浅接合形成部において用いられるイリジウムを含む熱安定性の高いニッケルシリサイドおよびその製造方法例文帳に追加

IRIDIUM CONTAINING HIGH THERMAL STABILITY NICKEL SILICIDE USED FOR ULTRATHIN JUNCTION FORMATION PART, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

アニーリング温度が８５０℃であったとしても、シリサイドの低シート抵抗によって、超浅接合形成部の低接合リーク電流が実現される。例文帳に追加

Even if the annealing temperature is 850°C, the low junction leakage current at an ultrathin junction formation part is materialized by the low sheet resistance of the silicide. - 特許庁

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process. - 特許庁