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酸化側の英語
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英訳・英語 oxidizing side
「酸化側」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2936件
側面酸化をプラズマ酸化により行う。例文帳に追加
Side surface oxidation is carried out through plasma oxidation. - 特許庁
（ｇ）側壁膜１８ａを熱酸化して側壁酸化膜１９を形成する。例文帳に追加
(g): The sidewall film 18a is thermally oxidized to form a sidewall oxide film 19. - 特許庁
メサの両側では、酸化用層のＡｌが選択的に酸化され、Ａｌ酸化層１５になっている。例文帳に追加
Al of the oxidizing layer 14 is selectively oxidized, and becomes Al oxide layer 15 on the both sides of the mesa. - 特許庁
流入側酸化触媒コート層でPMが効率よく酸化され、流出側酸化触媒コート層でHCが効率よく酸化される。例文帳に追加
PM is oxidized efficiently by the inflow-side oxidation catalyst-coated layer and HC is oxidized efficiently by the outflow-side oxidation catalyst-coated layer. - 特許庁
ＬＯＣＯＳ酸化が埋め込み酸化膜に達した後の過剰な酸化により、ボディ領域が底面側から酸化され、圧縮応力が発生する。例文帳に追加
To avoid compression stress which is produced, when a body region is oxidized from its bottom surface side by excessive oxidation, after LOCOS oxidation reaches an embedded oxide film. - 特許庁
外側酸化ガス流路Ｒ２を流れる酸化ガスを前記ガス流変向部３２によって内側酸化ガス流路Ｒ１側に変向する。例文帳に追加
An oxidant gas flowing in an outer oxidant gas passage R2 is turned toward an inner oxidant gas passage R1 by the gas-flow turning part 32. - 特許庁
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「酸化側」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 2936件
排気浄化装置６０は、酸化力を備え、排気ガスＧ中の未燃ＨＣを酸化する上流側酸化触媒６２と、上流側酸化触媒６２の下流に配置されて、上流側酸化触媒６２の酸化力よりも大きい酸化力を備え、排気ガスＧ中の未燃ＨＣを酸化する下流側酸化触媒６３とを備える。例文帳に追加
An exhaust emission control device 60 contains an upstream side oxidization catalyst 62 which has oxidizing capacity and oxidizes unburned component HC in exhaust gas G and a downstream side oxidization catalyst 63 which is arranged downstream from the upstream side oxidization catalyst 62, has oxidizing capacity larger than the upstream side oxidization catalyst 62 has and oxidizes unburned component HC in exhaust gas G. - 特許庁
表面の酸化皮膜が、外側がＣｒ−Ｍｎ系酸化物で内側がＣｒ系酸化物からなるフェライト系ステンレス鋼板でもよい。例文帳に追加
The ferritic stainless steel sheet may have the oxide film consisting of the Cr-Mn-based oxide on the outer surface and that consisting of a Cr-based oxide on the inner surface. - 特許庁
トレンチの側壁及び底部に酸化膜を形成する。例文帳に追加
An oxide film is formed on the sidewall and bottom section of the trench. - 特許庁
第２の酸化膜は、ダイオード層の側壁を覆う。例文帳に追加
The second oxide film covers the side surfaces of the diode layer. - 特許庁
この側壁スペーサは、第１の酸化膜３７と窒化膜３８と第２の酸化膜３９とを含む。例文帳に追加
The side wall spacer includes a first oxide film 37, a nitride film 38, and a second oxide film 39. - 特許庁
ゲート電極４の側面には、ポリシリコンを酸化してシリコン酸化膜５を形成している。例文帳に追加
A silicon oxide film 5 is formed on the side of the gate electrode 4 by oxidizing polysilicon. - 特許庁
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oxidizing side
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