酸化物エレクトロニクスの英語

高い誘電率を有するパイロクロール構造のセラミック酸化物材料を形成するプロセスおよびマイクロエレクトロニクス用途のためのこのプロセスの実施例文帳に追加

PROCESS FOR FORMING CERAMIC OXIDE MATERIAL WITH PYROCHLORE STRUCTURE HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT AND IMPLEMENTATION OF THE PROCESS FOR APPLICATION IN MICROELECTRONICS - 特許庁

オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。例文帳に追加

On the surface of the p-type GaN layer (20, 30) of an optoelectronic element (10), a translucent contact part composed of a metal oxide is formed by deposition technology. - 特許庁

ＳｒＴｉＯ_3 について、低抵抗ｐ型化することができれば、すでに実現している低抵抗ｎ型のＳｒＴｉＯ_3 と組み合わせることにより酸化物エレクトロニクスへの道が開ける。例文帳に追加

A perovskite transition metal oxide SrTiO3 is doped with acceptor and donor, at the same time, during crystal growth. - 特許庁

極低温を必要としない酸化物超伝導体を用いて、エレクトロニクス応用に必要な臨界電流値やステップ電圧の大きさの正確な制御が可能であり、かつ良好かつ設計通りの特性を有する超伝導トンネル接合素子を提供する。例文帳に追加

To provide a superconducting tunnel junction element wherein the magnitude of a critical current and step voltage required for applied electronics is accurately controlled using an oxide superconductor which does not require a very low temperature, with well and designed characteristics provided. - 特許庁

透明な基材フィルム上に金属酸化物層を設けてなる透明ガスバリア性フィルム、特に液晶ディスプレイ素子（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）、タッチパネル素子（ＴＰ）等に代表されるエレクトロニクス素子のプラスチックフィルム基板として好適に用いられる、ガスバリア性を付与した透明ガスバリア性フィルムとその製造方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a transparent gas-barrier film provided with a metal oxide layer on a transparent substrate film, especially a transparent gas-barrier film imparted with gas-barrier property and preferably usable as a plastic film substrate for an electronic device represented by a liquid crystal display device (LCD), an electroluminescence device (EL), a touch panel device (TP), etc., and to provide a method for producing the same. - 特許庁