酸化物トラップの英語

本発明は、NOxトラップ触媒を含む触媒として有用なゾルゲル処理された金属−アルミニウム基酸化物材料である。例文帳に追加

This oxide is the metal-aluminum base oxide material useful for the catalyst containing a NOX trapping catalyst and subjected to sol gel treatment. - 特許庁

トラップ層１５は、ペロブスカイト構造の卑金属酸化物１５１を触媒１５０として含有してなる。例文帳に追加

The trap layer 15 contains a base metal oxide 151 of a perovskite structure as the catalyst 150. - 特許庁

ゲート酸化物層（６７）及びゲート電極（９３）が２つのストラップ間の基板（５１）上に形成される。例文帳に追加

A gate oxide layer (67) and a gate electrode (93) are formed on the substrate (51) between the two straps. - 特許庁

トラップ絶縁膜は、Ａｌ，Ｈｆ、Ｚｒ又はＬｎ（ランタノイド元素）を含む酸化物を主成分とする絶縁膜により形成すればよい。例文帳に追加

The trap insulating film can be formed of an insulating film, which is mainly composed of an oxide comprising Al, Hf, Zr or Ln (lanthanoids). - 特許庁

シリコン表面にトラップ用中心を作ることによって、シリコン／酸化物界面における好ましくない蓄積電荷が不動にされる。例文帳に追加

Undesirable charge storage in a silicon/oxide interface is immobilized by forming a trap center on a silicon surface. - 特許庁

トラップ用中心は、シリコン基板と酸化物層との間に挿入される多結晶シリコン層によって製造される。例文帳に追加

The trap center is manufactured from a polysilicon layer inserted between the silicon substrate and an oxide layer. - 特許庁

アルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用した電荷トラップ型メモリ素子の製造方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF ALUMINUM OXIDE LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF CHARGE TRAP MEMORY ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

アルミニウム酸化物層の形成方法及びそれを利用した電荷トラップ型メモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of an aluminum oxide layer, and a manufacturing method of a charge trap type memory element which utilizes the same. - 特許庁