酸素熱ドナーの英語

この加熱処理する工程によって局所領域に酸素ドナーを発生させ、この酸素ドナーの発生量に基づいて半導体基板内に微小な導電特性領域を作成することを特徴としている。例文帳に追加

Through this thermal treatment step, an oxygen donor is generated at the specific region, and based on the quantity of the oxygen donor generated, a minute conductive property region is created inside the semiconductor substrate. - 特許庁

（２）酸素ドナーの許容量を、デバイス製造の工程における熱処理後において、１×１０^13ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3とすることができる。例文帳に追加

(2) The oxygen donor allowable quantity can be set at 1×10^13 atoms/cm^3 after the heat treatment in the device manufacturing step. - 特許庁

デバイスメーカー側で実施される回路形成用熱処理での酸素ドナー発生を効果的に抑制できる低酸素濃度シリコンウェーハを用い、機械的強度が高く、且つ比較的安価で、、ＣＯＰ（ Crystal Originated Particle ）フリーの高抵抗シリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a relatively inexpensive, high-resistance silicon wafer which is free of COP (Crystal Originated Particle) and has high mechanical strength using a low-oxygen concentration silicon wafer which effectively inhibits generation of oxygen donors during heat-treatment performed by a device manufacturer for circuit formation. - 特許庁

ゲッタリング能及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。例文帳に追加

To manufacture a high resistance silicon wafer whose gettering performance and economical efficiency are excellent, capable of effectively suppressing the generation of an oxygen thermal donor by thermal treatment for circuit formation performed at a device maker side. - 特許庁

ゲッタリング能、機械的強度及び経済性に優れ、しかもデバイスメーカーの側で実施される回路形成用熱処理での酸素サーマルドナーの発生を効果的に抑制できる高抵抗シリコンウエーハを製造する。例文帳に追加

To manufacture a high resistor silicon wafer excellent in gettering ability, mechanical strength and economical efficiency while effectively suppressing the occurrence of oxygen thermal donor in heat treatment for forming a circuit, which is carried out at a device maker side. - 特許庁

高温かつ酸化性の雰囲気での熱処理によりウェーハに内方拡散した酸素を低減でき、サーマルドナーの発生を抑制できる高抵抗ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high-resistance SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer, for reducing oxygen dispersed inside a wafer by heat treatment in a high-temperature and oxidizing atmosphere and preventing the generation of thermal donor. - 特許庁

高周波用ダイオードの作製に最適な高抵抗なものであり、ゲッタリングに必要な酸素析出起因欠陥密度が確保され、デバイス熱処理工程での酸素ドナーの発生を効果的に抑制でき、十分な機械的強度を有し、高周波用ダイオードを作製する場合に高比抵抗層における再結合中心を形成する必要がない高抵抗率シリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a high-resistivity silicon wafer that has high resistance optimum for manufacturing a diode for high frequencies, secures defect density caused by the deposition of oxygen required for gettering, can effectively suppress the generation of oxygen donors in a device heat-treatment process, has sufficient mechanical strength, and dispenses with the formation of a recombination center in a high specific-resistance layer when manufacturing the diode for high frequencies. - 特許庁