金属シリサイドの英語

金属シリサイド層の形成方法例文帳に追加

FORMATION OF METAL SILICIDE LAYER - 特許庁

金属シリサイドは、ニッケル・シリサイド、コバルト・シリサイド、チタン・シリサイド、パラジウム・シリサイド、プラチナ・シリサイド、エルビウム・シリサイド、およびこれらの組合せからなる群から選択される。例文帳に追加

The metal silicide is selected from a group consisting of nickel-silicide, cobalt-silicide, titanium-silicide, palladium-silicide, platinum-silicide, erbium-silicide, and the combination thereof. - 特許庁

シリサイド膜１５の形成後は、金属層５０Ｃはシリサイド膜１５で保護される。例文帳に追加

After the silicide film 15 is formed, the metal layer 50C is protected by the silicide film 15. - 特許庁

この第２シリサイド層１５２は、第１シリサイド層１４２とは異なる金属を用いて形成されている。例文帳に追加

The second silicide layer 152 is formed using different metal from the first silicide layer 142. - 特許庁

次に、金属膜８および金属シリサイド層９の上に、金属膜８と同じ金属膜を形成し、低温で加熱処理することによって金属シリサイド層９の上にさらに金属シリサイド層を形成する。例文帳に追加

Subsequently, a metal film similar to the metal film 8 is formed on the metal film 8 and the metal silicide layer 9 and heat treated at a low temperature to form a metal silicide layer further on the metal silicide layer 9. - 特許庁

リング状ゲート電極１５は、ゲート酸化膜１４を介してポリシリコン層１５ａと、Ｗシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｎｉシリサイドなどの金属シリサイド１５ｂの２層構造で形成される。例文帳に追加

A ring shaped gate electrode 15 has a double-layer structure wherein a polysilicon layer 15a and a metallic silicide 15b such as W silicide, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide, etc. are provided on a gate oxide film 14. - 特許庁

また、シリサイド層３０はシリサイド化反応抑制金属を含み、シリサイド層３０の表面から所定の深さに至る領域において、シリサイド層３０の表面から基板側へ向かってシリサイド化反応抑制金属の濃度が高くなる濃度プロファイルを有する。例文帳に追加

Additionally, the silicide layer 30 contains a silicidation reaction suppressing metal, and has a concentration profile, wherein concentration of the silicidation reaction suppressing metal becomes higher, from the surface of the silicide layer 30 as going toward the substrate side, in a region from the surface of the silicide layer 30 to a predetermined depth. - 特許庁