閾膜電位の英語

その結果、このフィールド酸化膜４上に形成される寄生ＭＯＳの閾値電位を上げることができる。例文帳に追加

This can raise the threshold potential of the parasitic MOS formed on the field oxide film 4. - 特許庁

そして、表面電位演算値と表面電位計により測定された絶縁膜の表面電位測定値との差が閾値以下になるまで表面電荷密度の仮決定値が変更され、上記差が閾値以下となった際の仮決定値が表面電荷密度の値として決定される。例文帳に追加

Thereafter, the preliminarily determined value of the surface charge density is changed until a difference between the surface potential operation value and a surface potential observation value of the insulating film measured by a surface electrometer becomes to a threshold or less, and the preliminarily determined value at the time when the difference becomes to the threshold or less is decided as a value of the surface charge density. - 特許庁

その結果、このフィールド酸化膜４上に形成される寄生ＭＯＳの閾値電位を上げることができる。例文帳に追加

As a result of that, it is possible to increase the threshold potential of parasitic MOS formed on this field oxide film 4. - 特許庁

こうして、ゲート電極４３の電位を低くすることで、薄膜ダイオード４の閾値が変動した場合であっても、薄膜ダイオード４の電流ｉが変動しないような安定領域にゲート電極４３の電位を設定することができる。例文帳に追加

By lowering potential of the gate electrode 43 like this, the potential of the gate electrode 43 can be set in such stable region as a current i of a thin-film diode 4 does not fluctuate even if a threshold value of the thin-film diode 4 fluctuates. - 特許庁

十分に低い閾値電位を有し、グラファイト構造を有する炭素薄膜から構成された電子放出部を備えた冷陰極電界電子放出素子を提供する。例文帳に追加

To provide a cold cathode field electron emission element having sufficiently low threshold potential, and an electron emission part constituted with a carbon thin film having graphite structure. - 特許庁

刺激部位での意図した神経活動に対して永続的な効果を生み出すと期待されるこれらの方法のいくつかの実施形態は、刺激部位での神経細胞の静止膜電位を閾値下レベルまで上昇させる電気パルスを使用する。例文帳に追加

Several embodiments of these methods that are expected to produce a lasting effect on intended neural activity at the stimulation site use electrical pulses that increase the resting membrane potential of neurons at the stimulation site to a subthreshold level. - 特許庁

閾値電圧を導出する際には、アース線６をフローティング状態にして薄膜トランジスタ１５をオン状態とし、薄膜トランジスタ１５を通過してアース線６に流入する電荷に起因したアース線６の電位変動を制御部８によって検知し、薄膜トランジスタ１５の閾値電圧を導出する。例文帳に追加

In order to derive the threshold voltage of the thin-film transistor 15, an earth line 6 is placed in a floating state to turn on the thin-film transistor 15, and a control part 8 detects the potential variation of the earth line 6 due to electric charges flowing to the earth line 6 which passes through the thin-film transistor 15. - 特許庁