電荷結合素子メモリの英語

電荷の安定化及び電子と正孔との再結合速度を向上させ、プログラム状態や消去状態で、反対電荷が電荷トラップ層内に残っていることを減らしたりまたは防止し、プログラム／消去状態の安定性を確保させる不揮発性メモリ素子の作動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory element operating method that can improve the speed of stabilizing the charges and re-coupling electrons and holes, reduce or prevent the reverse charges remaining in the charge trap layer in a programmed state and erased state, and secure the stabilized programmed state and erased state. - 特許庁

不揮発性メモリ素子にプログラムや消去に寄与するＤＣパルスと電荷の再結合や再配置を促進するＡＣ摂動パルスとの複合パルスを印加してプログラムや消去を行う作動方法である。例文帳に追加

This method performs programming and erasing by applying composite pulses of DC pulses contributing to programming or erasing and AC perturbations pulses promoting re-coupling and relocating of charges to a nonvolatile memory element. - 特許庁