ﾊﾞｰﾃｨｶﾙの英語

ダブルバーティカルチャネル領域４４の高さはゲート層２０の厚さにより決定される。例文帳に追加

The height of the double vertical channel region 44 is determined by the thickness of a gate layer 20. - 特許庁

ダブルバーティカルチャネル薄膜トランジスタのＣＭＯＳ装置及びその製造方法例文帳に追加

CMOS DEVICE OF DOUBLE VERTICAL CHANNEL THIN FILM TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

また、バーティカルスロットを唇側と舌側に各々１本づつ付与することによって、ロックピンと補助装置を各々のバーティカルスロット内に独立して使用できるようになり、従来のブラケットよりも使い易くなる。例文帳に追加

A vertical slot is applied each to the lip side and a tongue side, which makes a lock pin and an auxiliary device to be used independently in the each vertical slot and allows easier use than conventional ones. - 特許庁

セルロースエステルフィルムの製造方法、セルロースエステルフィルム、偏光板及びバーティカルアラインメント（ＶＡ）型液晶表示装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CELLULOSE ESTER FILM, CELLULOSE ESTER FILM, POLARIZING PLATE, AND VERTICAL ALIGNMENT(VA) TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS - 特許庁

半導体素子は、多数のシリコンピラーを具備したシリコン基板の前記各シリコンピラーに、バーティカルピラートランジスターが形成されて具現される。例文帳に追加

The semiconductor device is embodied by forming vertical pillar transistors on respective silicon pillars equipped with a plurality of silicon pillars. - 特許庁

内燃機関に設けた点検用プラットホームの上下振動を抑制するバーティカルダイナミックダンパ。例文帳に追加

A vertical dynamic damper inhibits vertical vibration of the inspection platform provided on an internal combustion engine. - 特許庁

第一Ｎ＋ドープト領域、第一Ｐ-ドープト領及びＮ-ドープト層は、ＳＣＲ103のバーティカルＮＰＮトランジスタ131を形成する。例文帳に追加

The first N^+-doped region, the first P-doped region and the N-doped layer form the vertical NPN transistor 131 of the silicon controlled rectifier 103. - 特許庁

前記バーティカルピラートランジスターのゲートは、前記シリコンピラーの底部一側面に選択的に形成され、前記バーティカルピラートランジスターのドレイン領域は、隣合うドレイン領域の間に相互連結されるように形成される。例文帳に追加

The gates of the vertical pillar transistors are selectively formed on one side surface of the bottom part of the silicon pillar, and drain areas of the vertical pillar transistors are formed so as to be mutually connected between adjacent drain areas. - 特許庁