4級炭素原子の英語

下記一般式（１）（式中、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は低級アルキル基又は２−ヒドロキシエチル基を示し、Ｒ_４は炭素原子数８から２０までの疎水基を意味し、Ｓはシロキサン基を含有する炭化水素鎖、Ｘは塩素原子又は臭素原子を示す。）で表わされることを特徴とする連結部にシロキサン鎖を有する４鎖４親水基含有陽イオン界面活性剤。例文帳に追加

The cationic surfactant is characterized by including 4 chain 4 hydrophilic group having the siloxane group in the linkage part represented by formula (1), wherein R_1, R_2 and R_3 each denotes a lower alkyl group or 2-hydroxy ethyl group, R_4 denotes a hydrophobic group having 8-20 carbon atoms, S denotes a hydrocarbon chain containing a siloxane group and X denotes a chlorine atom or bromine atom. - 特許庁

下記一般式（１）（式中、ｎは８から２０までの整数を意味し、Ｒは低級アルキル基又は２−ヒドロキシエチル基を示し、Ｓは炭素原子数２から１２のアルキレン鎖又は芳香環を含むアルキレン鎖、Ｘは塩素原子又は臭素原子を示す。）で表わされることを特徴とする４鎖４親水基含有陽イオン界面活性剤。例文帳に追加

The cationic surfactant containing 4 chains and 4 hydrophilic groups is represented by formula (1) (wherein n is an integer of 8-20; R is a lower alkyl group or a 2-hydroxyethyl group; S is a 2-12C alkylene chain or an alkylene chain containing an aromatic ring; and X is a chlorine or bromine atom). - 特許庁

一般式(I)で表される化合物、その塩およびそれらの溶媒和物｛式中、Ｘ、Ｙ及びＺは各々窒素原子又は炭素原子、ｍは０〜３の整数、ｎは１〜３の整数、Ｑは、水酸基、ハロゲン原子、低級アルケニル基等１又は２個の基で置換されてもよいベンゼン環、Ｒ^1は、水酸基、ハロゲン原子、低級アルケニル基等の１又は２個の基で置換されてもよいフェニル基、ナフチル基または５若しくは６員の芳香族複素環基、Ｒ^2は低級アルキル基、カルバモイル基、フェニル基又は５もしくは６員の芳香族複素環基、Ｒ^3及びＲ^4は、各々水素原子又は低級アルキル基、Ｒ^5は水素原子、低級アルキル基又はベンジル基、Ｒ^6は水素原子、水酸基、ハロゲン原子、低級アルケニル基等を示す。例文帳に追加

A compound represented by general formula (I), its salt, and their solvates are provided. - 特許庁

酸性基を有するカチオン交換樹脂に、一般式：Ｒ^1 Ｒ^2 Ｒ^3 Ｒ^4Ｐ^+ ［Ｒ^1 、Ｒ^2 、Ｒ^3 及びＲ^4 は、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アリール基、アラルキル基又は一般式：ＣＨ_2 ＝Ｃ（Ｙ）−Ａ−Ｚ−（Ｙは水素原子、低級アルキル基、又はアリール基、Ａは単結合、ベンジル基、−ＯＣ（Ｏ）−又は−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、Ｚは単結合、アルキレン基を示す。）で表わされる基を示す。例文帳に追加

The polymer beads, having an average bead size of 20-2,000 μm, are prepd. by incorporating 0.1-80 mol.% antibacterial phosphonium cations into a cation-exchange resin having acidic groups (e.g. sulfo or carboxyl groups). - 特許庁

洗浄される表面と水系配合物とを接触させることを含む、半導体製造プロセスにおける残渣を除去するための洗浄方法であって、その水系配合物が、アクリルアミド−メチル−プロパンスルホナートポリマー、アクリル酸−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸コポリマー及びこれらの混合物からなる群から選択されるポリマー、及び４超の炭素原子を有する第四級アンモニウムヒドロキシド又は非アセチレン性界面活性剤と共に水酸化コリンを有する方法である。例文帳に追加

The present invention is the method of cleaning for removing residue in semiconductor manufacturing processing, comprising contacting the surface to be cleaned with the aqueous formulation which has a polymer selected from the group consisting of acrylamido-methyl-propane sulfonate polymers, acrylic acid-2-acrylamido-2-methylpropane sulfonic acid copolymer and mixtures thereof and a quaternary ammonium hydroxide having greater than 4 carbon atoms, or choline hydroxide together with an acetylinic surfactant. - 特許庁