A first resistor metal layer 14 as thick as 50Å to 2 μm is arranged on the intermediate layer 18, and furthermore a second resistor metal layer 16 as thick as 50Å to 2 μm is arranged on the first resistor metal layer 14.例文帳に追加

５０Åと２μｍの間の厚さの第一抵抗金属である第一の層１４を中間層１８上に配置して、さらに５０Åと２μｍの間の厚さの第二抵抗金属である第二の層１６を第一抵抗金属である第一の層１４上に配置する。 - 特許庁

The optical member comprises a substrate and a photocatalytic film which is formed on the substrate, has a thickness of ≥5 Å and ≤50 Å and is made of photocatalytic film, and thus the photocatalytic film is formed on the uppermost surface.例文帳に追加

本発明は、基板と、前記基板上に光触媒物質からなる厚さ5Å以上50Å以下の光触媒膜とからなり、前記光触媒膜が最表面に成膜されていることを特徴とする。 - 特許庁

When hydrogen gas is produced by dehydrogenation reaction of a hydrogen-containing organic compound using a catalyst, a porous carrier having pores of an average pore size of not less than 50Å and carrying metal particles is used as the catalyst.例文帳に追加

水素含有有機化合物を脱水素反応させることによって水素ガスを生成させる方法に用いる触媒であって、当該触媒が、平均細孔径５０Å以上の細孔を有する多孔質担体に金属粒子が担持されたものであることを特徴とする水素ガス製造用触媒。 - 特許庁

The polyparaphenylene terephthalamide (PPTA) staple fibers having a Na+ ion content of ≤1.0 wt.% and obtained by subjecting fibers having a crystal size (110 face) of ≤50Å, a diameter of 1 to 20 μm, and an aspect ratio of 50 to 5,000 to an extraction treatment using 20°C water.例文帳に追加

結晶サイズ（１１０面）が５０オングストローム以下であり、直径１〜２０μｍ、アスペクト比が５０〜５０００とした繊維を、２０℃の水で抽出処理し、Ｎａ＋イオン含有量が１．０重量％以下であることを特徴とするポリパラフェニレンテレフタルアミド短繊維。 - 特許庁

To provide a constituent used for forming a porous interlayer dielectric that contains a solvent for dissolving a saccharide or a derivative for the same, an organic or inorganic matrix precursor which is thermally stable, and the saccharide or derivative for the same and/or an organic or inorganic matrix precursor, and to provide a method of manufacturing a porous semiconductor interlayer dielectric having small pores each with a size of 50Å or below using the same.例文帳に追加

糖類またはその誘導体；熱的に安定な有機または無機マトリックス前駆体；および、前記糖類若しくはその誘導体および／または有機若しくは無機マトリックス前駆体を溶解させる溶媒を含有する多孔性層間絶縁膜の形成に用いられる組成物およびこれを用いて気孔の大きさが５０Å以下の水準とごく小さい多孔性半導体層間絶縁膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁