AC sputteringとは 意味・読み方・使い方

AC POWER SUPPLY FOR SPUTTERING APPARATUS例文帳に追加

スパッタリング装置用の交流電源 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus where, when film deposition is performed by sputtering using an AC power source, the generation of arc discharge is swiftly detected to cut off the output from the AC power source, and energy upon the generation of arc discharge is reduced, so as to effectively prevent the generation of particles and splashes.例文帳に追加

交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。 - 特許庁

To constitute a sputtering apparatus using an AC power source in such a manner that electric power can be applied with high precision without depending on the distance between the installation place thereof and the installation place of the AC power source.例文帳に追加

交流電源を用いたスパッタリング装置を、その設置場所と交流電源の設置場所との間の距離に依存せず、精度の良く電力投入できるように構成する。 - 特許庁

To effectively detect arc discharge generated through a part subjected to capacitive coupling when film deposition is performed by sputtering using an AC power source.例文帳に追加

交流電源を用いたスパッタリングにより成膜するときに、容量結合した部分を通して発生したアーク放電を効果的に検出できるようにする。 - 特許庁

The ITO deposition device is successively provided with an ITO deposition treatment part which forms an sputtering deposition ITO membrane by a low temperature method; a high frequency wave measuring part which measures the resistance or reactance of the sputtering deposition ITO membrane by the predetermined frequency in a high frequency AC four terminal method; and an annealing treatment part which applies annealing treatment on the sputtering deposition ITO membrane.例文帳に追加

順に、低温成膜法によりＩＴＯ膜をスパッタ成膜するＩＴＯ成膜処理部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜について、高周波の交流４端子法により、所定の周波数でその抵抗およびまたはリアクタンスを測定する高周波測定部と、スパッタ成膜されたＩＴＯ膜をアニール処理するアニール処理部とを、備えている。 - 特許庁

The method for producing the silicon oxide film is performed, with which the silicon oxide film is formed on a substrate by using a sputtering target comprising silicon carbide and silicon with a ratio in number of atoms of C to Si being from 0.5 to 0.95 and carrying out AC sputtering having from 1 to 1000 kHz frequency in an atmosphere containing oxidizing gas.例文帳に追加

炭化ケイ素とケイ素とを含有し、Ｓｉに対するＣの原子数比が０．５〜０．９５であるスパッタターゲットを用い、酸化性ガスを含有する雰囲気中で、周波数１〜１０００ｋＨｚの交流で交流スパッタリングを行うことにより、基体上に酸化ケイ素膜を成膜する、酸化ケイ素膜の製造方法。 - 特許庁

In the dual magnetron sputtering apparatus for depositing a film containing a target component to a substrate disposed in a vacuum chamber, by applying an AC voltage to two cathodes, an earth shield is disposed around each target, and the periphery of a cathode in the chamber is electrically insulated.例文帳に追加

２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。 - 特許庁