Ar-Amとは 意味・読み方・使い方

Also, the time integration of an acceleration reduction portion (Ar-Am) in the period during which the target acceleration Ar exceeds the acceleration upper limit Am is calculated as an acceleration shortage amount Q.例文帳に追加

また、目標加速度Ａｒが加速度上限Ａｍを超える期間の加速度減少分（Ａｒ−Ａｍ）の時間積分を、加速不足量Ｑとして算出する。 - 特許庁

A motor control unit calculates a target acceleration Ar according to an acceleration profile, also estimates an acceleration upper limit Am of the motor taking an acceleration decline portion due to counter electromotive force or disturbance into consideration, and corrects the target acceleration Ar to the acceleration upper limit Am in a period during which the target acceleration Ar exceeds the acceleration upper limit Am.例文帳に追加

モータ制御ユニットは、加速度プロファイルに従う目標加速度Ａｒを算出する一方、逆起電力や外乱による加速度低下分を加味してモータの加速度上限Ａｍを推定し、目標加速度Ａｒが加速度上限Ａｍを超える期間では、目標加速度Ａｒを加速度上限Ａｍに補正する。 - 特許庁

When the last coordinate information indicates inside of areas AT, AB, AL and AR, other than the reference area AM, processing is determined based on the direction to the area indicated by the last coordinate information from the reference coordinate DC 2 (S115 etc.).例文帳に追加

そして、最後の座標情報が基準領域ＡＭ以外の領域ＡＴ、ＡＢ、ＡＬ、およびＡＲ内を示す際、基準座標ＤＣ２からその最後の座標情報で示された領域への方向に基づいて処理を決定する（Ｓ１１５等）。 - 特許庁

When the final coordinates information indicates the inside of domains AT, AB, AL, and AR except a standard domain AM, the input coordinates processing program determines processing, based on a direction from the standard coordinate DC2 to the domain indicated by the final coordinate information (S115 etc.).例文帳に追加

そして、最後の座標情報が基準領域ＡＭ以外の領域ＡＴ、ＡＢ、ＡＬ、およびＡＲ内を示す際、基準座標ＤＣ２からその最後の座標情報で示された領域への方向に基づいて処理を決定する（Ｓ１１５等）。 - 特許庁

The surface of a semiconductor chip (wafer 10) is subjected to ion milling with a mixture gas of Ar and H2 to form conductor layers 14, 16 on an Al layer 12 and a polyimide layer 13, and the exposed surface of the polyimide layer 13 is subjected to sputter etching with am N2 gas.例文帳に追加

半導体チップ（ウエハ１０）の表面に対し、ＡｒとＨ_2 の混合ガスによりイオンミリングを行い、Ａｌ層１２とポリイミド層１３の上に導体層１４，１６を形成した後、露出しているポリイミド層１３の表面に対し、Ｎ_2 ガスによりスパッタエッチングを行う。 - 特許庁