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B dopedとは 意味・読み方・使い方
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「B doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 72件
To form an Si epitaxial growth film in which B of a uniform B concentration is doped, a SiGe epitaxial growth film in which B is doped and a SiGe epitaxial growth film in which B and C are doped.例文帳に追加
Ｂ濃度が均一なＢがドーピングされたＳｉエピタキシャル成長膜、ＢがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜、ＢとＣがドーピングされたＳｉＧｅエピタキシャル成長膜を形成する。 - 特許庁
To provide an impurity doped diamond in which B, P, S, N and O are doped at high efficiency in high concentration.例文帳に追加
Ｂ、Ｐ、Ｓ、Ｎ、Ｏが高効率でダイヤモンドに高濃度でドーピングされた不純物ドープダイヤモンドを提供する。 - 特許庁
A high-concentration B-doped region is formed on the top surface of an Si layer serving as the cap layer, and an area around a joint between the high-concentration B-doped region and the emitter is reduced in dopant concentration.例文帳に追加
キャップ層となるＳｉ層上面に、高濃度のＢドープ領域を形成すると同時にエミッタとの接合部近傍のドーパント濃度を低くする。 - 特許庁
A B-doped diamond layer 2 is formed on a first undoped diamond layer 1.例文帳に追加
第１のアンドープダイヤモンド層１上にＢドープダイヤモンド層２を形成する。 - 特許庁
Between the heavily doped diamond layers 2 and 3, a diamond layer 4 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer, a diamond layer 6 doped with B and becoming a gate, and a diamond layer 5 doped extremely lightly with B and becoming a channel layer are formed in this order.例文帳に追加
また、高ドープダイヤモンド層２と高ドープダイヤモンド層３との間には、極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層４、Ｂがドープされゲートとなるドープダイヤモンド層６、及び極低濃度にＢがドープされチャネル層となる低ドープダイヤモンド層５をこの順に形成する。 - 特許庁
(b) Impurity atoms are then doped into the silicon thin film by an ion implanting method.例文帳に追加
（ｂ）次にイオン注入法で不純物原子をシリコン薄膜に注入する。 - 特許庁
For example, an organic layer A is doped to the hole injection layer 3, and an organic material B is doped to the hole transport layer 4.例文帳に追加
例えば、正孔注入層３には有機材料Ａが、正孔輸送層４には有機材料Ｂがドーピングされている。 - 特許庁
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「B doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 72件
Electrocast liquid B used is the electrocast liquid A doped with saccharin system hardener 1%.例文帳に追加
電鋳液Ｂは、電鋳液Ａにサッカリン系硬化剤を１％添加したものを用いた。 - 特許庁
In this case, the counter doping using an in-site B (boron) doped epitaxial layer or B and C (carbon) codoped epitaxial layer is provided.例文帳に追加
本発明は、その場Ｂドープ・エピタキシャル層またはＢおよびＣ共ドープ・エピタキシャル層を用いるカウンタ・ドーピングを提供する。 - 特許庁
The polysilicon films 3, 4 are covered with a resist 6a and only the polysilicon film 2 is doped with low concentration B (boron) ion.例文帳に追加
ポリシリコン膜３，４をレジスト６ａで覆い、ポリシリコン膜２のみに低濃度のＢ（ホウ素）イオンをドープする。 - 特許庁
Next, the bottom oxide film 3D of the oxide film 3 is doped with B(boron) to adjust the internal stress, whereby the bottom oxide film 3D is changed into a boron-doped oxide film 3D'.例文帳に追加
次に、酸化膜３のうちの下面酸化膜３ＤにＢ（ボロン）をドープして内部応力を調整し、下面酸化膜３Ｄをボロンドープ酸化膜３Ｄ´に変える。 - 特許庁
Then a hexagonal boron nitride layer 3 is formed on the B-doped diamond layer 2 as an insulating layer.例文帳に追加
その後、蒸着法により、このＢドープダイヤモンド層２上に、絶縁層として六方晶窒化ホウ素層３を形成する。 - 特許庁
The method also includes a step of forming a heavily-doped region 9 of boron (B) of a p-type impurity at the edge of the field oxide film 3.例文帳に追加
さらに、フィールド酸化膜３のエッジ部分にＰ型不純物であるホウ素（Ｂ）の高濃度領域９が形成されている。 - 特許庁
A B-doped diamond ultraviolet generation layer is formed on a low resistance conductive substrate 1 by a plasma CVD method or the like.例文帳に追加
低抵抗導電性基板１上に、プラズマＣＶＤ法等により、紫外線発生層であるＢドープダイヤモンド層２を形成する。 - 特許庁
A superconductive diamond film 4 is laminated on the lower diamond film 2 and doped with boron with high concentration, wherein for example the atomic ratio of boron B to carbon C (B/C) is set at 5.0% or above.例文帳に追加
また、超伝導ダイヤモンド膜４は、下層ダイヤモンド膜２上に積層され、ホウ素が高濃度に、例えば、ホウ素（Ｂ）と炭素（Ｃ）との原子数比（Ｂ／Ｃ）が、５．０％以上にドーピングされている。 - 特許庁
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