B2H6とは 意味・読み方・使い方

In the nuclei forming process of this case, the element B2H6 or SiH4 is doped and a grain size is increased in the tangsten film.例文帳に追加

このときの核生成工程において、B2H6またはSiH4をドーピングし、タングステン膜のグレインサイズを増大させる。 - 特許庁

It is desirable to set a mixture ratio of hydrogen in this atmosphere to diborane (B2H6) in a diborane (B2H6) mixture gas at 1% or more.例文帳に追加

この雰囲気を構成する水素とジボラン（Ｂ_2Ｈ_6）混合ガス中のジボランの混合比を１％以上とするのが望ましい。 - 特許庁

Growing of a p---type high-resistance layer 24 is made by stopping of the B2H6 gas supply into the reacting furnace and by continuing supplying of SiHCl3 gas.例文帳に追加

反応炉内へのＢ_2 Ｈ_6 ガスの供給を停止し、ＳｉＨＣｌ_3 ガスの供給を継続して、ｐ^--型の高抵抗層２４を成長させる。 - 特許庁

By feeding only the gaseous B2H6 before the formation of the W new creation film in this way, the W new creation film of high quality can be formed on the WxN film.例文帳に追加

このように、Ｗニュークリエーション膜の成膜前にＢ_2Ｈ_6ガスのみを供給すると、ＷｘＮ膜上に良質のＷニュークリエーション膜が形成される。 - 特許庁

In the method for manufacturing a silicon wafer, the silicon wafer having boron doped therein is heat treated at a temperature of 1000°C or more in an atmosphere of a mixture gas of hydrogen and diborane (B2H6) (1).例文帳に追加

(1) ボロンをドープしたシリコンウェーハを水素とジボラン（Ｂ_2Ｈ_6）の混合ガス雰囲気中で1000℃以上の温度で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth device durable at a vapor-phase growth temperature higher than the decomposition temperature 250°C or above, even when using diborane (B2H6) gas.例文帳に追加

ジボラン（Ｂ_2 Ｈ_6 ）ガスを用いる場合において、その分解温度２５０℃以上の気相成長温度とする場合においても、十分使用に耐える気相成長装置を構成する。 - 特許庁

By succeedingly feeding the gaseous SiH4 and gaseous B2H6 before the formation of the W new creation film in this way, the W new creation film of high quality can be formed on the WxN film.例文帳に追加

このように、Ｗニュークリエーション膜の成膜前にＳｉＨ_4ガスとＢ_2Ｈ_6ガスを順次供給すると、ＷｘＮ膜上に良質のＷニュークリエーション膜が形成される。 - 特許庁